近期，南京芯干線科技透露，今年第一季度，公司以第三代半導(dǎo)體技術(shù)為核心驅(qū)動(dòng)力，在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)電子快充、高端音響電源及商用儲(chǔ)能領(lǐng)域連破壁壘，成功打入多個(gè)全球一線品牌供應(yīng)鏈。

 AI算力基建領(lǐng)域，芯干線自主研發(fā)的 700V增強(qiáng)型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過(guò)21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測(cè)試，順利通過(guò)某全球某一線AI服務(wù)器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。

 3C消費(fèi)電子領(lǐng)域，芯干線為某全球一線手機(jī)品牌定制的45W氮化鎵PD快充方案Q1實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該方案集成了公司第三代 GaN HEMT器件（X3G6516B5），X3G6516B5是700V增強(qiáng)型(E-mode)氮化鎵功率器件，通態(tài)電阻150mΩ，DFN5x6封裝。

 專業(yè)音頻領(lǐng)域，芯干線針對(duì)高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過(guò)國(guó)際一線品牌的認(rèn)證并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

 新能源儲(chǔ)能領(lǐng)域，芯干線為國(guó)內(nèi)某頭部商用儲(chǔ)能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導(dǎo)通電阻，在導(dǎo)通電阻與動(dòng)態(tài)性能上均實(shí)現(xiàn)了相當(dāng)大的提升。

展望2025，芯干線計(jì)劃將研發(fā)投入提升至營(yíng)收的25%，重點(diǎn)突破車規(guī)級(jí)SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標(biāo)在新能源汽車功率半導(dǎo)體市場(chǎng)實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。