第三代半導體 文章 最新資訊
第三代半導體洗牌GaN躍居主角
- 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報告指出，第三代半導體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規(guī)模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優(yōu)異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業(yè)應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫(yī)療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產(chǎn)業(yè)自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
- 關鍵字： 第三代半導體 GaN 拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 SiC
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術
- 9 月 3 日消息，“南京發(fā)布”官方公眾號于 9 月 1 日發(fā)布博文，報道稱國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時 4 年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，實現(xiàn)我國在該領域的首次突破。項目背景碳化硅是第三代半導體材料的主要代表之一，具有寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導熱率等優(yōu)良特性。碳化硅 MOS 主要有平面結構和溝槽結構兩種結構，目前業(yè)內應用主要以平面型碳化硅 MOSFET 芯片為主。平面碳化硅 MOS
- 關鍵字： 碳化硅 mosfet 第三代半導體 寬禁帶
搶奪賽位，第三代半導體戰(zhàn)局激烈
- 目前，第三代半導體是全球戰(zhàn)略競爭新的制高點，也是各地區(qū)的重點扶持行業(yè)，意法半導體、英飛凌、安世半導體、三安光電等頭部廠商順勢而上，加速布局第三代半導體，市場戰(zhàn)火已燃，一場群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。多方來戰(zhàn)，“直搗”三代半核心環(huán)節(jié)第三代半導體欣欣向榮，八方入局，搶奪市場重要賽位，擁抱巨大增量市場。業(yè)界認為，面對下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當務之急。第三代半導體產(chǎn)能供應緊張，三安/意法等大廠在前線沖鋒：英飛凌將拋出70億歐元（約544.24億元人民幣），部署馬來西亞地區(qū)產(chǎn)能，其馬來西亞居
- 關鍵字： 第三代半導體
第三代半導體市場規(guī)模持續(xù)增長，2024慕尼黑上海電子展提供產(chǎn)業(yè)發(fā)展探討平臺
- 近年來，我國信息技術得到迅猛發(fā)展，第三代半導體作為其中的關鍵器件起著重要作用。政策方面國家出臺了一系列相關政策旨在大力提升先進計算、新型智能終端、超高清視頻、網(wǎng)絡安全等數(shù)字優(yōu)勢產(chǎn)業(yè)競爭力，積極推進光電子、高端軟件等核心基礎產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新突破，這大大提高了對第三代半導體的需求。預計未來，隨著互聯(lián)網(wǎng)與信息技術的持續(xù)進步，對第三代半導體的需求會越來越高， 2023年到2028年的復合增長率將達到30.83%，整體市場規(guī)模呈穩(wěn)定持續(xù)增長趨勢。圖源丨智研咨詢5G通信基站驅動射頻器件業(yè)務持續(xù)擴張無線通訊基礎設施是氮化鎵射頻
- 關鍵字： 第三代半導體 慕尼黑上海電子展
SEMICON2024收官，第三代半導體賽道競爭激烈！
- 3月20日，春分時期，萬物復蘇，SEMICON China 2024在上海新國際博覽中心拉開了序幕。現(xiàn)場一片繁忙熱鬧，據(jù)悉本次展會面積達90000平方米，共有1100家展商、4500個展位和20多場會議及活動涉及了IC制造、功率及化合物半導體、先進材料、芯車會等多個專區(qū)。本次展會中，碳化硅、氮化鎵等第三代半導體產(chǎn)業(yè)鏈格外亮眼，據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，共有近70家相關企業(yè)帶來了一眾新品與最新技術，龍頭企業(yè)頗多，材料方面包括Resonac、天域半導體、天岳先進、天科合達等企業(yè)，設備端則如晶盛機電、中微公司
- 關鍵字： 碳化硅 氮化鎵 第三代半導體
GaN企業(yè)，出售！
- 近日，美國GaN器件廠商Odyssey宣布出售公司資產(chǎn)。目前，Odyssey已與客戶簽署最終協(xié)議，將其大部分資產(chǎn)出售給一家大型半導體公司，交易金額為952萬美元，目前買家信息處于保密狀態(tài)。資料顯示，Odyssey成立于2019年，專注基于專有的氮化鎵（GaN）處理技術開發(fā)高壓功率開關元件和系統(tǒng)，擁有一座面積為1萬平方英尺的半導體晶圓制造廠，配備了一定比例的1000級和10000級潔凈空間以及先進半導體開發(fā)和生產(chǎn)工具，致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化鎵場效應晶體管。償還貸款和交易費用后，公司預
- 關鍵字： 氮化鎵 第三代半導體
全球GaN最新應用進展！
- 自2018年10月25日，Anker發(fā)布全球首款GaN充電器，將GaN正式引入消費電子領域以來，短短幾年間，各大GaN廠商紛紛涉足相關產(chǎn)品。當前，GaN消費電子產(chǎn)品市場已是一片紅海，競爭日趨激烈。面對GaN在消費電子領域應用現(xiàn)狀，相關企業(yè)開始尋求新的增量市場，GaN技術應用由此逐步向新能源汽車、光伏、數(shù)據(jù)中心等其他應用場景延伸。GaN的特殊價值，正在消費電子之外的多個領域持續(xù)釋放。01GaN正在加速“上車”在汽車電動化與智能化趨勢下，汽車搭載的電子電力系統(tǒng)越來越多。而與傳統(tǒng)硅材料相比，基于GaN材料制備的
- 關鍵字： 氮化鎵 第三代半導體 消費電子
全球加速碳化硅產(chǎn)能擴充
- 受惠于下游應用市場的強勁需求，碳化硅產(chǎn)業(yè)正處于高速成長期。據(jù)TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。近期，備受關注的碳化硅市場又有了新動態(tài)，涉及三菱電機、美爾森、芯粵能等企業(yè)。三菱電機SiC工廠預計4月開建據(jù)日經(jīng)新聞近日報道，三菱電機將于今年4月，在日本熊本縣開工建設新的8英寸SiC工廠，并計劃于2026年4月投入運營。2023年3月，三菱電機宣布，計劃在5年內投資約1000億日元（折合人民幣約48.56億元）建設一個
- 關鍵字： 新能源汽車 碳化硅 第三代半導體
第三代半導體項目遍地開花
- 近日，多個第三代半導體項目迎來最新進展。其中，重投天科第三代半導體項目、山東菏澤砷化鎵半導體晶片項目投資資金超30億?？偼顿Y32.7億元，重投天科第三代半導體項目在深圳寶安啟用據(jù)濱海寶安消息，2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產(chǎn)基地在深圳寶安區(qū)啟用，其由深圳市重投天科半導體有限公司建設運營，將進一步補強深圳第三代半導體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈（VIDM）”，助力廣東打造國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。濱海寶安消息顯示，該項目2021年11月開工建設，2022年11月關鍵生產(chǎn)區(qū)域廠房結構封頂，2023年6月襯底產(chǎn)線
- 關鍵字： 第三代半導體
基于第三代半導體射頻微系統(tǒng)芯片研究項目啟動
- 據(jù)云塔科技官微消息，1月15日，中國科學技術大學微電子學院孫海定教授牽頭的國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點專項“基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁異質集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項目啟動會暨實施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。據(jù)悉，該項目是由中國科學技術大學牽頭，香港科技大學作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關。面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質集成射頻微系統(tǒng)
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安森美：緊握第三代半導體市場，助力產(chǎn)業(yè) 轉型與可持續(xù)發(fā)展
- 1 轉型成功的2023得益于成功的戰(zhàn)略轉型，在汽車和工業(yè)市場增長的 推動下，安森美在 2023 年前 3 季度的業(yè)績都超預期。 其中，第一季度由先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和能源基 礎設施終端市場帶來的收入均同比增長約 50%，在第 二季度汽車業(yè)務收入超 10 億美元，同比增長 35%，創(chuàng) 歷史新高，第三季度汽車和工業(yè)終端市場都實現(xiàn)創(chuàng)紀錄 收入。安森美大中華區(qū)銷售副總裁Roy Chia2 深入布局碳化硅領域在第三代半導體領域，安森美專注于 SiC，重點聚 焦于汽車、能源、電網(wǎng)基礎設施等應
- 關鍵字： 安森美 第三代半導體 碳化硅 SiC
韓國晶圓代工大廠加快第三代半導體布局！
- 據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導體專家。業(yè)內人士透露，東部高科聘請了安森美半導體前技術開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負責氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。Salih是一位功率半導體工藝開發(fā)人員，擁有約20年的行業(yè)經(jīng)驗，曾在電氣與電子工程師學會 (IEEE) 上發(fā)表過有關功率半導體的重要論文。東部高科聘請Salih是為了加快GaN業(yè)務的技術開發(fā)和商業(yè)化。這項任命旨在加強第三代功率半導體業(yè)務的技術開發(fā)和商業(yè)化。功率半導體業(yè)務目前占東部高科
- 關鍵字： 韓國 晶圓代工 第三代半導體
第三代半導體介紹
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