中國科技公司應專注于傳統(tǒng)芯片和3D封裝技術，而非前沿工藝節(jié)點。

由于美國積極阻止中國獲取最新技術，華盛頓已停止向中國出口先進芯片及芯片制造工具。受到這一技術封鎖的影響，據(jù)DigiTimes Asia報道，中國半導體行業(yè)協(xié)會集成電路分會會長兼中國集成電路創(chuàng)新聯(lián)盟秘書長葉甜春鼓勵企業(yè)在成熟節(jié)點和后端技術上進行創(chuàng)新。這一焦點應優(yōu)先于追趕英特爾、英偉達和臺積電等西方和西方盟國的半導體公司。

雖然中國正在努力開發(fā)國產芯片，例如中國CPU制造商龍芯在4月發(fā)布了性能與第十代英特爾芯片相當?shù)奶幚砥鳎湫阅苋灾辽俾浜笥贏MD、英特爾和高通的最新芯片五年。美國還阻止ASML為中國的光刻系統(tǒng)提供服務，這對中國頂級晶圓代工廠中芯國際（SMIC）產生了負面影響。

中國的上海微電子裝備集團（SMEE）已經在制造光刻設備，另一家公司北方華創(chuàng)也在努力進入該行業(yè)。然而，它們在生產最新節(jié)點芯片的能力上仍遠遠落后于ASML。如果中國在三到五年內無法克服這些挑戰(zhàn)，它將面臨在尖端芯片領域落后于西方競爭對手的風險。

葉甜春認為，中國可以開辟一條通向技術領先的新道路。他建議中國公司應專注于更加成熟的節(jié)點和架構創(chuàng)新，而不是追隨全球頂級芯片制造商如臺積電在納米工藝上的競爭。

畢竟，臺積電每年生產的1200萬片12英寸晶圓中，近80%使用的是較老的節(jié)點，而不是最新的系統(tǒng)級芯片（SoC）的尖端設計。美國的制裁使中國成為成熟節(jié)點芯片的領導者之一，因此中國應充分發(fā)揮其核心優(yōu)勢，轉向生產高質量的傳統(tǒng)芯片，這些芯片是大多數(shù)電氣和電子設備所需的。

葉甜春還建議聚焦于架構創(chuàng)新和后端工藝。隨著摩爾定律表明3nm和2nm芯片在當前架構上遇到限制，像Arm和三星這樣的公司正在尋求新的進步，以最大化晶體管密度。由于中國半導體公司仍需幾年時間才能達到這一技術水平，他表示應考慮從7nm開始進行架構創(chuàng)新。芯片設計師應與系統(tǒng)封裝公司合作，交付這些創(chuàng)新，從而在這一領域獲得比較優(yōu)勢。

許多中國科技公司希望追隨納米技術競賽，而這些領域早已被英特爾、AMD、英偉達和高通等公司主導。然而，在美國的層層阻撓下，中國將很難追趕這些科技公司。因此，中國科技公司應開辟自己的道路，為美國及其盟友忽視的技術創(chuàng)造創(chuàng)新。