近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級IGBT產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

吉利科技集團(tuán)消息顯示，該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術(shù)，通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和FS結(jié)構(gòu)，兼具短路耐受同時實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通/開關(guān)損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。

據(jù)悉，晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創(chuàng)新，發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì)+模塊制造+車規(guī)認(rèn)證”的綜合能力，為新能源汽車、電動摩托車、光伏、儲能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。