近日，橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST) 宣布，已經簽署收購法國氮化鎵（GaN）創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權的并購協(xié)議。Exagan的外延工藝、產品開發(fā)和應用經驗將拓寬并推進意法半導體的汽車、工業(yè)和消費用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務。Exagan將繼續(xù)執(zhí)行現(xiàn)有產品開發(fā)規(guī)劃，意法半導體將為其部署產品提供支持。

雙方的交易條款沒有對外公布，等法國政府按照慣例成交法規(guī)批準后即可完成交易。現(xiàn)已簽署的并購協(xié)議還規(guī)定，在多數(shù)股權收購交易完成24個月后，意法半導體有權收購剩余的Exagan少數(shù)股權。本交易將采用可用現(xiàn)金支付。

意法半導體公司總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery表示：“意法半導體的碳化硅發(fā)展勢頭強勁，現(xiàn)在我們正在擴大對另一種前景很好的復合材料--氮化鎵的投入，以促進汽車、工業(yè)和消費市場客戶采用GaN功率產品。收購Exagan的多數(shù)股權是我們加強公司在全球功率半導體市場的領先地位以及我們的GaN長遠規(guī)劃、生態(tài)系統(tǒng)和業(yè)務的又一項新舉措，是對我們目前與CEA-Leti在法國圖爾的開發(fā)項目以及最近宣布的與臺積電的合作項目的補充。”

氮化鎵(GaN)屬于寬帶隙(WBG)材料家族，其中包括碳化硅。GaN基器件是高頻電力電子器件行業(yè)取得的一大進步，其能效和功率密度高于硅基晶體管， GaN基器件節(jié)能省電，縮減系統(tǒng)整體尺寸。GaN器件適合各種應用，例如，服務器、電信和工業(yè)用功率因數(shù)校正和DC/DC轉換器；電動汽車車載充電器和車規(guī)DC-DC轉換器，以及電源適配器等個人電子應用。

Exagan成立于2014年，總部位于法國格勒諾布爾。該公司致力于推進電力電子行業(yè)從硅基技術向GaN-on-silicon技術轉變，研發(fā)體積更小、能效更高的功率轉換器。Exagan的GaN功率開關是為標準200毫米晶圓設計。