對于一個富有經(jīng)驗的用戶來說，當一個具有較大反饋電阻RF的系統(tǒng)不穩(wěn)定時，意味著RF“尋找”運算放大器反向輸入端的寄生電容，是產(chǎn)生振鈴和過沖的原因。在環(huán)路中，這種現(xiàn)象可稱為“過相移”。反向輸入寄生電容由光電二極管電容和LMH6629輸入電容組成。LMH6629的更高帶寬令問題進一步惡化——總輸入電容的降低將足以引起過相移。對于這種情況，最有效的補救方法是在RF兩端并聯(lián)一個合適的電容(CF)。

　　為找出導致這一現(xiàn)象中低相位裕度的原因，除了全面的筆頭分析，設(shè)計人員只能反復試驗，通過選擇合適的補償元件來提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。一個更嚴密的辦法就是通過仿真來獲取對各種頻率下環(huán)路特性的更深入了解。這種辦法比起筆頭分析法要快得多，既不需要復雜的運算，也不會帶來計算錯誤的可能。設(shè)計人員要做的是在開環(huán)情況下觀察電路，以便了解環(huán)路增益(LG)的幅度和相位情況。仿真操作為用戶提供了能進行高效分析的各種理想元件，從而使得上述分析成為可能。

　　在圖4的仿真電路中，環(huán)路已在AC(與相位裕度有關(guān))處斷開，同時保留DC閉環(huán)，以建立合適的操作點。在輸出處用一個大串聯(lián)電感(L1)和一個大并聯(lián)電容(C1)即可完成仿真。

　　圖4：為了進行仿真，插入大“L”和“C”以斷開AC環(huán)路。

　　驅(qū)動大電容(V_Drive)的交流電源可以設(shè)定為1V，在器件輸出端，仿真響應如圖5中的LG函數(shù)所示。圖5中的0o低相位裕度印證了圖3中過高的閉環(huán)頻率響應峰值。為確保電路的穩(wěn)定性，對應的品質(zhì)因數(shù)即相位裕度應大于45o。

　　圖5：開環(huán)曲線表明相位裕度不足。

　　請注意：在頻率響應仿真開始之前，請確保將輸入電流源(取代光電二極管)設(shè)定為“AC 0”;顯示結(jié)果需將CF設(shè)為0pF;圖5中幅度用實線表示，相位角用虛線表示;當相位裕度為0dB時，相位裕度對應LG函數(shù)的相位角。

　　如圖6所示，為找到合適的補償電容值來改善相位裕度，我們可以將針對不同的CF值(圖4電路)的噪聲增益曲線和LMH6629開環(huán)增益曲線放在一起。噪聲增益為V(Drive)/V(In_Neg)。請注意LG的仿真低頻值要大于0dB，因為LMH6629的宏模型還包括了其差分輸入電阻。