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          寬帶CDMA發(fā)射機低相噪本振源的設計

          作者: 時間:2010-05-20 來源:網(wǎng)絡 收藏
          分析研究了如何根據(jù)各類整機指標確定本振源的具體指標;給出了一套EVM指標的仿真程序,它可以綜合分析各組成部分對整機EVM指標的影響;給出了一整套器件指標估算的方法,包括壓控振蕩器VCO相位噪聲確定,鎖相環(huán)路芯片(PLL IC)1Hz歸一化相位噪聲對相位誤差的影響。

            及碼分多址接入,是一種基于擴展頻譜通信技術的多址接入方式。它采用唯一的碼字將消息信號擴展到相對更寬的頻帶上,從而減少干擾,增強系統(tǒng)處理能力,并且可以區(qū)分用戶。多址接入不要求分割頻率和時間,因而系統(tǒng)容量較高。目前國際上主流的第三代移動通信技術(WCDMA,CDMA2000以及我國提出的TD-SCDMA)都采用了CDMA技術。CDMA收發(fā)信機將成為今后通信產品的主流。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/188081.htm

            本振源作為CDMA心臟,對通信質量有著舉足輕重的影響。CDMA技術對線性度和調制精度有嚴格的要求,因此,如何根據(jù)整機指標(如:誤差向量幅度-EVM,鄰道功率抑制比-ACPR),尤其是對本振源要求較高的多模手機,確定本振源可實現(xiàn)的具體指標(相位噪聲等),并對電路進行設計與優(yōu)化,成為各類CDMA通信設備設計者的新的挑戰(zhàn)。

          寬帶CDMA發(fā)射機低相噪本振源的設計

            圖1 CDMA發(fā)射機框圖

            本文介紹一款CDMA發(fā)射機的本振源設計過程,提供一整套針對CDMA發(fā)射機本振電路(鎖相環(huán)路)進行的電路指標確定、器件選取與參數(shù)設定以及電路設計的方案的可行性評估。

            另外,對發(fā)射機系統(tǒng)的EVM指標進行了仿真,從而得出了合理的本振源相位誤差指標。為便于設計者對鎖相環(huán)路的優(yōu)化與仿真,筆者還編寫了一套ADS鎖相環(huán)路仿真程序,不同于常見的優(yōu)化和計算在后臺進行的輔助程序。在使用本仿真程序時,設計得可以調整任意參數(shù)或器件值并迅速獲得與該調整相應的所有關鍵指標(如:相噪、雜散、穩(wěn)定性)的變化。

            1 原理簡介

            CDMA發(fā)射機框圖如圖1所示,其中左上部分為本振源電路。單片機通過數(shù)據(jù)部控制鎖相環(huán)路芯片(PLL IC)使得該電路可以鎖定在不同的信道上;溫補晶振(TCXO)為鎖相環(huán)路提供精確的參考頻率源;壓控振蕩器(VCO)反饋信號與該頻率源在PLL IC內進行鑒相。鑒相輸出通過電荷泵和環(huán)路濾波器輸出到壓控振蕩器的控制端控制其輸出頻率。

          寬帶CDMA發(fā)射機低相噪本振源的設計

            2 指標設定

            與本振源相關的主要整機指標有:

            ?頻穩(wěn)度:±2×10 -6;

            ?EVM:15%;

            ?帶寬:2.5MHz;

            ?ACPR:-40dB/±2.5MHz。

            基于上述指標,得出以下針對本振源的一些具體指標:

            (1)參考頻率源頻穩(wěn)定:±1.7ppm(包括溫度頻穩(wěn)度、供電電壓頻穩(wěn)度、負載牽引頻穩(wěn)定和年老化率累加)。

          cdma相關文章:cdma原理



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          關鍵詞: CDMA 寬帶 發(fā)射機

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