關鍵詞：半橋驅(qū)動集成電路；IR2304；三相橋式逆變器

１ ＩＲ２３０４的功能特點

ＩＲ２３０４是國際整流器公司（ＩＲ）新推出的多功能６００Ｖ高端及低端驅(qū)動集成電路，這種適于功率ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ驅(qū)動的自舉式集成電路在照明鎮(zhèn)流器、電源及電機等功率驅(qū)動領域中將獲得廣泛的應用。ＩＲ２３０４的性能特點如下：

（１）芯片體積?。ǎ模桑校福啥雀撸赏瑫r驅(qū)動同一橋臂的上、下兩只開關器件）；

（２）動態(tài)響應快。典型通斷延遲時間２２０／２２０ｎｓ、內(nèi)部死區(qū)時間１００ｎｓ、匹配延遲時間５０ｎｓ；

（３）驅(qū)動能力強，可驅(qū)動６００Ｖ主電路系統(tǒng)。具有６０ｍＡ／１３０ｍＡ輸出驅(qū)動能力，柵極驅(qū)動輸入電壓寬達１０～２０Ｖ；

（４）工作頻率高?？芍С郑保埃埃耄龋蛞韵碌母哳l開關，可與ＩＲＦ８３０或ＩＲＦＢＣ３０等較小巧的ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ配合使用；

（５）輸入輸出同相設計。提供高端和低端獨立控制驅(qū)動輸出，可通過兩個兼容３．３Ｖ、５Ｖ和１５Ｖ輸入邏輯的獨立ＣＭＯＳ或ＬＳＴＴＬ輸入來控制，為設計帶來了很大的靈活性；

（６）低功耗設計，堅固耐用且防噪效能高。ＩＲ２３０４采用高壓集成電路技術，整合設計既降低成本和簡化電路，又降低設計風險和節(jié)省電路板的空間。相比于其它分立式、脈沖變壓器及光耦解決方案，ＩＲ２３０４更能節(jié)省組件數(shù)量和空間，并提高可靠性；

（７）具有電源欠壓保護和關斷邏輯。ＩＲ２３０４有兩個非倒相輸入及交叉?zhèn)鲗ПＷo功能，整合了專為驅(qū)動電機的半橋ＭＯＳＦＥＴ或ＩＧＢＴ電路而設的保護功能。當電源電壓降至４．７Ｖ以下時，欠壓鎖定 ?ＵＶＬＯ? 功能會立即關掉兩個輸出，以防止穿通電流及器件故障。當電源電壓大于５Ｖ時則會釋放輸出 ?綜合滯后一般為０．３Ｖ?。過壓（ＨＶＩＣ）及防閉鎖ＣＭＯＳ技術使ＩＲ２３０４非常堅固耐用。

另外，ＩＲ２３０４還配備有大脈沖電流緩沖級，可將交叉?zhèn)鲗p至最低；同時采用具有下拉功能的施密特（Ｓｃｈｍｉｔｔ） 觸發(fā)式輸入設計，可有效隔絕噪音，以防止器件意外開通。

ＩＲ２３０４采用８腳ＤＩＰ或ＳＯＩＣ封裝，其引腳排列如圖１所示。該芯片與其它同類產(chǎn)品的特性比較見表１，從表１可看出ＩＲ２３０４比同類其它產(chǎn)品特性更優(yōu)越，集成度更高。

ＩＲ２３０４各引腳的功能及推薦工作參數(shù)如表２所列。

表1 IR2106/2301/2108/2109/2302/2304特性比較

表2 IR2304推薦的工作參數(shù)

２?。桑遥玻常埃吹墓ぷ?a class="contentlabel" href="http://yuyingmama.com.cn/news/listbylabel/label/原理">原理

ＩＲ２３０４的典型接線如圖２所示，圖中ＶＣＣ為１０～２５Ｖ功率管門極驅(qū)動電源，可用ＴＴＬ或ＣＭＯＳ邏輯信號作為輸入，因此ＶＣＣ可用一個典型值為＋１５Ｖ的電源。Ｃ２為自舉電容，當ＶＴ１關斷、ＶＴ２開通時，ＶＣＣ經(jīng)ＶＤ、Ｃ２、負載、ＶＴ２給Ｃ２充電，以確保ＶＴ２關斷、ＶＴ１開通時，ＶＴ１管的柵極靠Ｃ２上足夠的儲能來驅(qū)動，從而實現(xiàn)自舉式驅(qū)動。若負載阻抗較大，Ｃ２經(jīng)負載降壓充電較慢，使得當ＶＴ２關斷、ＶＴ１開通時Ｃ２上的電壓仍不能充電至自舉電壓８．２Ｖ以上時，輸出驅(qū)動信號會因欠壓被片內(nèi)邏輯封鎖，ＶＴ１就無法正常工作。每個周期ＶＴ１開關一次，Ｃ２就通過開關ＶＴ２充電一次。因此，Ｃ２的容量選擇應考慮如下幾點：

（１）Ｃ２應為高穩(wěn)定、低串聯(lián)電感、高頻率特性的優(yōu)質(zhì)電容，容量為０．１～１μＦ。

（２）盡量使自舉上電回路不經(jīng)大阻抗負載，否則應為Ｃ２充電提供快速充電通路。

（３）ＰＷＭ開關頻率較高時，Ｃ２應選小。當ＰＷＭ工作頻率較低時，若占空比較高，則ＶＴ１開通時間較長，ＶＴ２開通時間較短，因此Ｃ２應選小；若占空比較低，ＶＴ１導通脈寬較窄，則ＶＴ２導通脈寬較寬，自舉電壓容易滿足。否則，在有限時間內(nèi)無法達到自舉電壓，從而造成欠壓保護電路工作。因此，Ｃ２的選擇應綜合考慮ＰＷＭ變化的各種情況，最好在調(diào)試時監(jiān)測ＨＯ、ＶＳ腳的波形。

３ 三相橋式逆變電路

由ＩＲ２３０４組成的三相橋式逆變器的硬件結(jié)構如圖３所示。對于由六個功率元件構成的三相橋式逆變器來說，采用三片ＩＲ２３０４驅(qū)動三個橋臂是中小型功率變換的理想選擇。

該逆變電路中的主電路可將直流電壓（＋ＤＣ）逆變?yōu)槿嘟涣鬏敵鲭妷?Ｕ、Ｖ、Ｗ?。該直流電壓（＋ＤＣ）來自三相橋式整流電路，逆變電路功率元件應選用耐壓為１０００Ｖ的ＩＧＢＴ元件。

逆變器中的驅(qū)動電路使用的就是１０００Ｖ的ＩＲ２３０４。由于三相逆變器每個周期總有一個上下管導通，故上管自舉電容容易充電，三個上管自舉電路可有序工作。但ＩＲ２３０４使用不當，尤其是自舉電容選擇不好，易導致芯片損壞或不能正常工作。電容Ｃ１、Ｃ２和Ｃ３分別為三路高端輸出的供電電源的自舉電容。單電源＋１５Ｖ供電電壓經(jīng)二極管隔離后又分別作為其三路高端驅(qū)動輸出的供電電源，這樣一來大大減小了控制變壓器體積并減少了電源數(shù)目，從而降低了產(chǎn)品成本，提高了系統(tǒng)可靠性。

通過電路中的ＰＷＭ控制器可為逆變器提供六路控制信號。一些模擬電路或數(shù)字電路的ＰＷＭ的產(chǎn)生都通過專用芯片來實現(xiàn)，如三相ＰＷＭ發(fā)生器ＳＡ８２８２。為了提高ＰＷＭ的輸出質(zhì)量和可靠性，以高性能單片機和數(shù)字信號處理（ＤＳＰ）等為控制核心來構成整個系統(tǒng)。如德州儀器ＴＭＳ３２０ＬＦ２４０ｘＤＳＰ內(nèi)部自帶的事件管理器模塊專門用來產(chǎn)生ＰＷＭ。它們大部分是在１６位單片機或ＤＳＰ的基礎上增加部分特殊的控制功能來構成專用的集成電路，應用在各種開關電源、交直流電機調(diào)速系統(tǒng)中。以ＴＭＳ３２０ＬＦ２４０ｘＤＳＰ為核心的典型數(shù)字控制電機變壓變頻調(diào)速系統(tǒng)原理框圖如圖４所示。實驗和調(diào)試結(jié)果表明，利用ＴＭＳ３２０ＬＦ２４０７ＤＳＰ事件管理器模塊的波形發(fā)生器輸出的方波可簡化系統(tǒng)的軟硬件開發(fā)，同時其ＰＷＭ波形的質(zhì)量和可靠性也很好。

４　注意事項

用ＩＲ２３０４設計逆變器時，應注意以下幾點：

（１）當自舉電壓不容易滿足要求時，可以取掉ＶＤ，直接給ＶＢ、ＶＳ加另一個１０～２５Ｖ隔離電源，但這一作法沒有充分利用ＩＲ２３０４應有的資源和特點。對于全橋型逆變器，無需經(jīng)過負載充電，這種形式的自舉工作僅是Ｃ２選擇問題。

（２）若使用自舉技術產(chǎn)生ＶＢ時，則接于引腳Ｖｃｃ與ＶＢ間的二極管ＶＤ應為超快恢復二極管，其反向耐壓要大于６００Ｖ。

（３）芯片中的輸入控制邏輯電路還為同一橋臂的高端和低端提供了死區(qū)時間，以避免同一橋臂上被驅(qū)動功率元件在開關轉(zhuǎn)換過渡期間同時導通。

（４）驅(qū)動電路輸出串接電阻阻值一般應在 １０～３３Ω，而對于小功率器件，串接電阻應該增加到３０～５０Ω。

（５）驅(qū)動電路與被驅(qū)動功率器件的距離應盡可能短，連接線應盡可能使用雙絞線或同軸電纜屏蔽線。

（６）可使用高頻高速光耦合器件，如６Ｎ１３６、４Ｎ２５等將控制部分（圖３中的ＰＷＭ控制器）與由ＩＲ２３０４構成的驅(qū)動電路隔離，使控制電路的邏輯地和驅(qū)動電路的邏輯地相互獨立，以此來增強系統(tǒng)的抗干擾能力。

（７）在具體應用電路設計中可根據(jù)實際需要靈活變更外圍電路，以滿足使用需求。