日前，F(xiàn)reescale Semiconductor公司宣布推出基于磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)的首款商用芯片。雖然離大規(guī)模采用還有不少障礙，但iSuppli公司相信這將在很大程度上推進MRAM技術的發(fā)展。 

Freescale表示，其新款4Mb密度MRAM器件結合了目前多種存儲器技術的優(yōu)點。MRAM使用磁極化來存儲數(shù)據(jù)，磁阻的改變代表著二進制狀態(tài)的變化，而不是指定的電荷水平。這與其他主流存儲技術不同，比如SRAM、DRAM和閃存。 

Freescale宣稱其新器件平衡了讀寫速度，均達到類似于DRAM的35ns水平。該器件也有類似DRAM和閃存的單元密度，但是不會出現(xiàn)DRAM的滲漏問題。同時，這款MRAM器件也可以像DRAM或SRAM一樣具有持久性，并綜合了閃存的非易失性。 

MRAM技術已經(jīng)出現(xiàn)幾年時間，還未進入主流商業(yè)應用存在不同的原因。但是兩個主要原因是：MRAM按每比特計算的成本不具備競爭力，以及難以集成到標準CMOS工藝過程中。 

Freescale采用了一個創(chuàng)新的MRAM單元結構來解決成本問題，加上稱為“觸發(fā)器”的位結構，可以將一個單元穩(wěn)定在1或者0的狀態(tài)中，無需額外的控制晶體管，進而提供了一個優(yōu)化的比特位單元解決方案。 

對于工藝過程的集成問題，工藝流程后期集成MRAM模塊，最大限度的減少對標準CMOS邏輯處理的影響。據(jù)Freescale表示，MRAM模塊不破壞標準半導體過程，將推動未來MRAM發(fā)展成基本的CMOS技術。 

iSuppli認為，F(xiàn)reescale推出最初商用MRAM將給人深刻印象，代表著重要的技術進步。然而，MRAM存儲器離大規(guī)模采用還為時尚早。Freescale已經(jīng)克服了一些技術曾困擾其競爭者的障礙，然而在其產(chǎn)品成為主流存儲方式之前，F(xiàn)reescale仍然有一段很長的路要走。 

iSuppli相信，F(xiàn)reescale技術的短期內(nèi)真正價值不是替換現(xiàn)有獨立內(nèi)存，在這個領域每存儲單位的成本競爭異常激烈。進一步說，這種產(chǎn)品的機會出現(xiàn)在系統(tǒng)級芯片(SOC)設計中。作為SOC的一部分，F(xiàn)reescale的技術可用于在高集成度處理單元中的高密度存儲器，F(xiàn)reescale可以通過提供解決方案或向其他公司授權許可。 

國際半導體技術發(fā)展路線圖(The International Technology Roadmap for Semiconductors, ITRS)表示，目前SoC設計模片區(qū)(die area)面積中最高達50%為嵌入式存儲器，通常為SRAM。在不遠的將來，這個數(shù)字可能會提高到超過70%。目前，F(xiàn)reescale公司采用180納米技術的MRAM讀/寫速度為35ns，對于L1緩存來說太慢。但對于某些微處理器來說，用于更低級別的緩存也許夠用。作為技術改進，MRAM的性能表現(xiàn)應該被提高到L1級別。 

iSuppli確信，F(xiàn)reescale的MRAM產(chǎn)品肯定會在將來進入獨立內(nèi)存市場。然而，現(xiàn)在MRAM高價格和較低密度，將它限制在某些特定的利基應用(niche application)中，像需要電池供電的SRAM一樣。另外，作為關鍵應用的后備系統(tǒng)，可以凸現(xiàn)其高性能、耐久性和非易失性，成為高成本解決方案的選擇之一。 

目前多種正處于研發(fā)的技術當中，MRAM是現(xiàn)在惟一有望在未來成為主流內(nèi)存的技術，這些技術需要經(jīng)歷多種考驗，密度、性能、持久性、非易失性以及成本低廉。 

Freescale的成就在于讓MRAM技術從眾多內(nèi)存技術中脫穎而出，朝向普遍接受的內(nèi)存方向發(fā)展。隨著MRAM開發(fā)進展，不僅Freescale公司，其它眾多競爭者的產(chǎn)品也在瞄準MRAM成為通用存儲器的長期目標