日本電子信息領(lǐng)域技術(shù)戰(zhàn)略地圖（一）半導(dǎo)體技術(shù)子領(lǐng)域
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2、（大項目）設(shè)計（SoC設(shè)計）
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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設(shè)計內(nèi)容
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模塊間通信技術(shù)
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多處理器技術(shù)
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可重復(fù)配置邏輯
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系統(tǒng)層次設(shè)計、核查
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高級建模技術(shù)
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¨ 系統(tǒng)建模
¨ 事務(wù)級建模
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合成、優(yōu)化技術(shù)
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核查技術(shù)
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性能、成本估算技術(shù)
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魯棒性系統(tǒng)技術(shù)
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硅芯片實現(xiàn)技術(shù)
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系統(tǒng)的復(fù)合化技術(shù)
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低耗電設(shè)計
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變異評價技術(shù)
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考慮制造性的設(shè)計（DFM、DFR、MASK）
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混合模擬數(shù)字技術(shù)
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IP Bus設(shè)計
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IP庫的設(shè)計
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電路設(shè)計
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¨ 電路仿真技術(shù)
¨ 器件建模技術(shù)
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3、（大項目）制造技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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基礎(chǔ)設(shè)備技術(shù)
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實時流程監(jiān)控技術(shù)
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高精度仿真技術(shù)（裝置內(nèi)的復(fù)雜現(xiàn)象的模型）
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高精度仿真技術(shù)（流程破壞復(fù)雜現(xiàn)象的模型）
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有機(jī)物分析技術(shù)
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裝置內(nèi)現(xiàn)象測量技術(shù)
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工廠集成技術(shù)
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晶圓設(shè)備控制技術(shù)
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¨ 綠色工廠可視化技術(shù)
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4、（大項目）流程技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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晶體管的形成流程
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柵層疊形成技術(shù)
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源漏退火技術(shù)
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源漏淺接合形成技術(shù)
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源漏接觸形成技術(shù)
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元件分離技術(shù)
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清洗技術(shù)
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新的清洗技術(shù)
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硅基板
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大尺寸晶圓制造技術(shù)
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流程仿真技術(shù)
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對應(yīng)新流程的仿真
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5、（大項目）光刻技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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曝光設(shè)備技術(shù)
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主流生產(chǎn)技術(shù)
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¨ ArF浸入式曝光設(shè)備技術(shù)
¨ ArF浸入式曝光／間隔技術(shù)
¨ EUV曝光設(shè)備技術(shù)
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新技術(shù)
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¨ ML2（無光罩光刻）
¨ NIL（壓印光刻）
¨ DSA（直接自我聚合）
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光罩技術(shù)
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缺陷檢測設(shè)備技術(shù)
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缺陷修正技術(shù)
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數(shù)據(jù)處理技術(shù)（OPC、RET、MDP、MRC等）
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高效制備技術(shù)
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光阻流程技術(shù)
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材料技術(shù)（光阻、增透膜、收縮、光阻頂層涂敷）
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浸入式曝光技術(shù)
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雙重圖形（Pitch Splitting/Spacer）技術(shù)
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光刻集成技術(shù)
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資源模擬技術(shù)
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綜合的最優(yōu)化技術(shù)
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6、（大項目）SoC開發(fā)／制造工程的工程化
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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開發(fā)平臺
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設(shè)計方法的結(jié)構(gòu)化和標(biāo)準(zhǔn)化
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流程開發(fā)的結(jié)構(gòu)化和標(biāo)準(zhǔn)化
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制造集成控制平臺
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成本、引用、質(zhì)量的建模
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綜合性的判斷功能
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分層控制信息
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工程控制技術(shù)（實現(xiàn)了單晶片的的分層傳輸控制技術(shù)）
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¨ 分層的傳輸技術(shù)
¨ 晶圓單元傳輸控制技術(shù)
¨ 單晶圓芯片的追蹤技術(shù)
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設(shè)備控制技術(shù)
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¨ OEE設(shè)備建模/監(jiān)控技術(shù)
¨ 設(shè)備、流程建模技術(shù)
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流程控制技術(shù)
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¨ 工藝建模技術(shù)
¨ 根據(jù)建模對分層設(shè)備、流程的的控制技術(shù)
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質(zhì)量控制技術(shù)
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¨ 產(chǎn)量建模技術(shù)
¨ 產(chǎn)量監(jiān)控技術(shù)
¨ 最佳檢測技術(shù)
¨ DFM和APC的融合技術(shù)
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7、（大項目）評價、分析技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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測量技術(shù)
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微型化形狀測量、性能評價技術(shù)
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¨ 模式測量技術(shù)（晶片）
¨ 疊加(overlay)誤差測量技術(shù)
¨ 柵極形狀測量（2D、3D）技術(shù)
¨ 薄膜厚度測量技術(shù)(絕緣膜、金屬多層膜)
¨ 界面、表面評價技術(shù)
¨ 摻雜分布測量技術(shù)
¨ 工作職能評價技術(shù)
¨ 溝槽形狀測量技術(shù)（2D、3D）
¨ 薄膜厚度測量技術(shù)（絕緣膜、Barrier/Seed膜、金屬膜）
¨ 平坦度測量技術(shù)
¨ 孔徑的測量、機(jī)械特性測量技術(shù)
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新材料評價技術(shù)
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¨ 物理上的特性評價技術(shù)
¨ 化學(xué)上的特性評價技術(shù)
¨ 機(jī)械上的特性評價技術(shù)
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產(chǎn)量提高技術(shù)
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缺陷監(jiān)測、分析技術(shù)
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¨ 缺陷檢測技術(shù)（電子束方式、光學(xué)方式）
¨ 缺陷審查技術(shù)
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物理解析技術(shù)
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¨ 檢查數(shù)據(jù)鏈接、分析孔加工技術(shù)
¨ 截面觀察、結(jié)構(gòu)、元件分析技術(shù)
¨ 結(jié)構(gòu)、界面解析技術(shù)
¨ 化學(xué)結(jié)合、元件分析技術(shù)
¨ 本地探測技術(shù)
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產(chǎn)量模型的高精確化
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¨ 隨即缺陷產(chǎn)量模型
¨ 光刻造成的系統(tǒng)性缺陷產(chǎn)量模型
¨ 允許污染模型
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8、（大項目）配線技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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微型化技術(shù)
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多層配線技術(shù)
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¨ 銅沉積技術(shù)（電鍍、PVD、CVD）
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絕緣膜技術(shù)
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¨ 固化技術(shù)
¨ 高機(jī)械強(qiáng)度技術(shù)
¨ 氣隙技術(shù)
¨ 孔密封技術(shù)
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配線材料技術(shù)
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¨ 金屬屏障技術(shù)（PVD、ALD、CVD）
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可靠性技術(shù)
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¨ 電轉(zhuǎn)移（EM）改善技術(shù)
¨ 應(yīng)力轉(zhuǎn)移（SM）改善技術(shù)
¨ 配線可靠性（TDDB）改善技術(shù)
¨ 配線變異（LER、阻抗）降低技術(shù)
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配線建模技術(shù)
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¨ 配線建模技術(shù)
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新配線技術(shù)
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直通硅晶穿孔封裝（TSV）
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¨ 用于晶圓片鍵合的薄型晶片
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新配線材料技術(shù)
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¨ 碳納米管孔
¨ 碳配線技術(shù)
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通過光和RF信號傳輸技術(shù)
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¨ 硅納米光子配線技術(shù)
¨ 芯片上RF信號傳輸技術(shù)
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印刷電路技術(shù)
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¨ 印刷電路技術(shù)
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9、（大項目）裝配技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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裝配流程
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單個芯片裝配多插針化
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¨ 晶片級封裝
¨ Low-k/Cu對應(yīng)技術(shù)
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系統(tǒng)級封裝
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¨ 同種芯片的三維芯片層
¨ 持有不同性能的半導(dǎo)體芯片的裝配
¨ TSV方式連接技術(shù)
¨ 非接觸式連接技術(shù)
¨ 光連接技術(shù)
¨ 晶圓堆疊技術(shù)
¨ 內(nèi)置基板
¨ 不同設(shè)備、光、部品之間的組合
¨ 確好芯片（KGD）技術(shù)
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裝配設(shè)計
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統(tǒng)合設(shè)計平臺技術(shù)
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¨ 芯片／包／木板連攜設(shè)計工具
¨ 電氣／熱／結(jié)構(gòu)耦合分析技術(shù)
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10、（大項目）測試技術(shù)
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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離散傅里葉變換
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高級離散傅里葉變換（DFT）
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測試數(shù)據(jù)壓縮
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內(nèi)建修復(fù)分析（BIRA）、內(nèi)建自修復(fù)（BISR）
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模擬數(shù)字混合
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測試、故障分析
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故障診斷
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對應(yīng)于缺陷的測試
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考慮到噪聲和功率的測試
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測試環(huán)境
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基于標(biāo)準(zhǔn)的測試環(huán)境
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（二）、非CMOS技術(shù)
1、（大項目）分立器件
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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功率器件
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硅功率器件
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帶隙半導(dǎo)體功率器件
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2、（大項目）納米電子器件
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中項目
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中項目細(xì)分（小項目）
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納米CMOS的延長（自組織過程晶體管）
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薄片晶體管
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納米線晶體管
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納米晶體管
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Beyond CMOS
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共振管道器件
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有機(jī)分子器件
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單電子器件
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超導(dǎo)器件
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自旋晶體管
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強(qiáng)磁性邏輯器件
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強(qiáng)相關(guān)電子器件
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電路重構(gòu)開關(guān)
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Beyond CMOS和Si CMOS的融合技術(shù)
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量子計算器件
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