最近，內(nèi)存顆粒的工藝進(jìn)步速度非?？欤钕冗M(jìn)的30nm工藝甚至已經(jīng)超過了處理器。在功耗與散熱方面也有了長足的進(jìn)步。

　　今天我們得到最新消息，繼三星之后，爾必達(dá)也成功開發(fā)出采用30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。

　　據(jù)了解，爾必達(dá)這種顆粒最高支持DDR3-1866頻率，可以在1.35V低電壓下實(shí)現(xiàn)1600MHz頻率。同時(shí)，其工作電流相比同廠40nm產(chǎn)品工作電流降低15%，待機(jī)電流下降10%。

　　爾必達(dá)聲稱該內(nèi)存顆粒是目前世界上體積最小的產(chǎn)品，相比40nm產(chǎn)品，每塊晶圓的產(chǎn)出量要增加45%，能夠大大降低生產(chǎn)成本。