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          中國半導(dǎo)體業(yè)再次發(fā)起沖擊

          作者: 時間:2010-07-12 來源:SEMI 收藏

            差距有多大

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/110786.htm

            目前中芯國際自David Wang上臺后,又喜賀特許的楊士寧加盟,隨之引進(jìn)一批骨干人材。目前己經(jīng)開始65nm產(chǎn)品的量產(chǎn),月產(chǎn)為4000片左右,并正努力沖擊45nm技術(shù)及準(zhǔn)備32nm的研發(fā),應(yīng)該說已取得了長足的進(jìn)步。另外上海華立正緊鑼密鼓的進(jìn)行設(shè)備訂貨及技術(shù)前期準(zhǔn)備工作,如與IMEC簽訂65nm技術(shù)合作協(xié)議與培訓(xùn)人材。

            但是臺積電在Q12010年時65nm占營收27%及40-45nm占營收為14%。并正在擴(kuò)充其12英寸生產(chǎn)線Fab 12與Fab14的產(chǎn)能。到2010年第四季度時兩個工廠合計產(chǎn)能將達(dá)到16萬片,比去年同期翻一番。該公司工藝的銷售額比例在2009 年第四季度為9%,預(yù)計2010年底將提高到20%。

            聯(lián)電目標(biāo)在今年下半年實現(xiàn)65nm占營收的30-40%,即2010年銷售額有近10億美元,及45-占3%。

            另外,IBM、GlobalFoundries、三星電子、意法四家行業(yè)巨頭聯(lián)合宣布,他們將合作實現(xiàn)制造工廠的同步,共同使用IBM 技術(shù)聯(lián)盟開發(fā)的低功耗工藝生產(chǎn)相關(guān)芯片。

            IBM技術(shù)聯(lián)盟的低功耗工藝使用Bulk CMOS、HKMG(高K金屬柵極)技術(shù),特別是有意通過獨(dú)特的Gate First(前柵極)技術(shù)推動HKMG的標(biāo)準(zhǔn)化,號稱在靈活性和制造性方面都優(yōu)于其他類型的HKMG技術(shù)(主要是Intel),芯片核心尺寸更小,設(shè)計和生產(chǎn)兼容性更好。預(yù)計今年底就會有工廠率先完成同步過程,隨后不久便可以開始投產(chǎn)。

            由此,全球代工的第一陣營中,包括臺積電,聯(lián)電,GlobalFoundries及三星基本上已進(jìn)入45-40nm量產(chǎn),而跨入的試生產(chǎn)中。其中臺積電聲言將跳過28nm,而直接進(jìn)入20nm,采用領(lǐng)先半代的工藝技術(shù)策略。

            所以中芯國際及華立不但要加緊尋找技術(shù)合作伙伴,進(jìn)行自主的突破技術(shù),而且一定要快,否則想從“虎口奪牙”,要爭取更大的市場份額會有一定難度。然而,從長遠(yuǎn)看中國發(fā)展業(yè)不必太在乎是全球第幾名,而是在于從整體上提高中國半導(dǎo)體業(yè)的基礎(chǔ)水平,使產(chǎn)業(yè)鏈更加完善,能讓大部分企業(yè)能實現(xiàn)盈利而生存下來及芯片的自給率真正提高到一定水平。


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          關(guān)鍵詞: 半導(dǎo)體 28nm 40nm

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