日立公司將在下周于火奴魯魯召開的VLSI技術年會上介紹更多自旋轉移矩隨機內(nèi)存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))技術，另外據(jù)稱日立公司正在考慮將負責開發(fā)這項技術的部門從公司中分拆出去成立一家新公司。

　　SPRAM是下一代MRAM內(nèi)存技術的一種，MRAM技術的特點是利用電子自旋的磁效應來實現(xiàn)非易失型數(shù)據(jù)存儲，這種技術制作出來存儲芯片據(jù)稱耐久性極佳，不過目前MRAM內(nèi)存制造難度極大，很難批量生產(chǎn)。

　　日立公司開發(fā)的這種自旋轉移矩隨機內(nèi)存(Spin transfer torque random access memory (STT-RAM))可算是第二代的MRAM技術，這種技術據(jù)稱采用了新的內(nèi)部結構，從而解決了傳統(tǒng)MRAM設備所存在的問題。目前正在研究這項技術的廠商還有臺積電，三星，海力士，IBM-TDK，東芝等多家廠商。