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          Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內存芯片產品開發(fā)完成

          作者: 時間:2010-01-14 來源:cnbeta 收藏

            韓國內存廠商日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗產品的開發(fā),這款產品將主要面向移動設備,可在智能手機,平板電腦等移動設備上使用,并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/105093.htm

           

            這款產品的數(shù)據(jù)傳輸率可達1066Mbps,并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。

            宣稱這款芯片產品采用了制程技術制作,工作電壓僅1.2V,位寬為32位的配置條件下,使用這種芯片的內存系統(tǒng)帶寬可達4.26GB/s。另外,這種芯片的耗電量也比前代產品下降了50%左右。



          關鍵詞: Hynix 44nm DDR2 內存芯片

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