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          傳美國將進(jìn)一步限制GAA技術(shù)及HBM對華出口

          發(fā)布人:芯智訊 時間:2024-07-04 來源:工程師 發(fā)布文章

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          6月12日消息,據(jù)知情人士爆料稱,美國拜登政府希望進(jìn)一步限制中國獲得用于制造尖端芯片的全環(huán)繞柵極(GAA)晶體管技術(shù),同時還有消息稱,美國還將限制高帶寬內(nèi)存(HBM)技術(shù)的對華出口,這對人工智能加速器至關(guān)重要。

          報道稱,GAA晶體管技術(shù)將進(jìn)一步提升晶體管密度,同時提供了功率和性能優(yōu)勢,但該技術(shù)目前僅用于最尖端的工藝節(jié)點(diǎn)。目前,只有三星在其 3nm 節(jié)點(diǎn)上生產(chǎn)了這項(xiàng)技術(shù)。英特爾將在其Intel 20A 節(jié)點(diǎn)中采用 GAA,臺積電則計劃在2nm制程上采用GAA技術(shù)。

          美日歐現(xiàn)有的對華出口管制政策,限制了中國獲得16/14nm以下先進(jìn)制程所需的半導(dǎo)體制造設(shè)備。盡管如此,中國還是有其他方法可以規(guī)避這些限制并提高其現(xiàn)有工藝節(jié)點(diǎn)的性能,此前的信息顯示,中國已經(jīng)具備7nm制程的量產(chǎn)能力,同時有可能在無需EUV光刻機(jī)的情況下實(shí)現(xiàn)5nm制程的量產(chǎn)。

          甚至中國晶圓制造商可以將GAA晶體管技術(shù)移植到其現(xiàn)有的7nm工藝節(jié)點(diǎn)上,雖然這不能提供使用3nm GAA及以下工藝的技術(shù)的全部好處,但可以想象,它將在功率和性能方面有所提高。由于GAA是通過單一圖案完成的,因此中國可能會利用其現(xiàn)有的芯片制造工具完成這一壯舉。

          華為云服務(wù)首席執(zhí)行官張平安認(rèn)最近表示,他認(rèn)為中國不會在短期內(nèi)獲得3.5nm或更小芯片的芯片制造設(shè)備,所以中國應(yīng)該努力更好地利用其現(xiàn)有的7nm工藝節(jié)點(diǎn)。

          此前美國已經(jīng)對GAA技術(shù)實(shí)施了出口管子,目前尚未有任何加強(qiáng)限制的條件的官方消息。相關(guān)的傳聞都是不具名的,所以真實(shí)性依然存疑。

          不過,對HBM出口的新限制可能并不是那么的遙遠(yuǎn),因?yàn)镠BM對于人工智能芯片的開發(fā)和生成式人工智能模型的發(fā)展非常重要,而人工智能技術(shù)是美國重點(diǎn)關(guān)注和對華限制的領(lǐng)域。

          編輯:芯智訊-浪客劍


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          關(guān)鍵詞: 芯片

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