華為因?yàn)樾酒豢ú弊拥氖逻€在發(fā)酵，最近中國(guó)汽車行業(yè)又因?yàn)樾酒倘笔艿綐O大沖擊。其實(shí)不管是燃油車還是電動(dòng)車，每臺(tái)車都搭載了近千枚芯片，從發(fā)動(dòng)機(jī)控制到儀表盤再到車燈，全離不開小小的芯片。

其實(shí)對(duì)于應(yīng)用于手機(jī)、電腦上的芯片來(lái)說(shuō)，不斷追求的是體積更小、功耗更低和計(jì)算能力更強(qiáng)，這些需求最好的解決方案就是不斷提高制程工藝。即7nm、5nm這些數(shù)據(jù)，這些數(shù)據(jù)代表的就是晶體管中柵極的寬度。簡(jiǎn)單來(lái)講，這個(gè)數(shù)據(jù)越小，相同尺寸芯片上的晶體管數(shù)量就可以越多，性能相對(duì)更強(qiáng)。

然而全球范圍內(nèi)能夠量產(chǎn)5nm工藝芯片的公司只有臺(tái)積電的三星，中國(guó)的中芯國(guó)際則剛剛量產(chǎn)14nm。所以當(dāng)臺(tái)積電停止為華為代工后，華為的芯片就受到了制衡。

然而汽車搭載的車規(guī)級(jí)芯片相對(duì)手機(jī)搭載的消費(fèi)級(jí)芯片來(lái)說(shuō)，對(duì)于制程工藝的要求沒那么高，在汽車領(lǐng)域MCU IGBT這類主控芯片大多數(shù)使用的是28nm、48nm甚至更落后的工藝制程，就連最智能的特斯拉也使用的是14nm工藝制程。

這是因?yàn)橐环矫嫫嚤旧砜臻g較大，對(duì)芯片尺寸要求相對(duì)沒有那么嚴(yán)苛，另一方面主流燃油車的發(fā)動(dòng)機(jī)、底盤和車燈控制等元器件工作時(shí)，對(duì)芯片的算力要求不是很高。

盡管車規(guī)級(jí)芯片對(duì)制程要求不高，但是它也要攻克三道屬于自己的難關(guān)：環(huán)境+壽命+安全。

相比手機(jī)，汽車的工作環(huán)境要惡劣千倍，行駛時(shí)會(huì)面對(duì)層出不窮的問題。還有汽車的壽命往往在15年，或者駕駛20萬(wàn)公里。這不僅要求車規(guī)級(jí)芯片要有足夠長(zhǎng)的壽命，還要求它能在未來(lái)15年內(nèi)都能滿足汽車行車的基本訴求。最重要的一道是安全關(guān)，汽車芯片的不良率要趨于0。

雖然按很多車規(guī)級(jí)芯片工藝制程還停留在28nm，但設(shè)計(jì)制造的技術(shù)門檻并不低，更何況對(duì)智能汽車的呼聲越來(lái)越高，這也意味著對(duì)芯片的技術(shù)要求越來(lái)越高。然而盡管中國(guó)已經(jīng)是汽車大國(guó)，但在車載芯片領(lǐng)域還是嚴(yán)重依賴歐美，所以在緊要關(guān)頭，中國(guó)的車規(guī)級(jí)芯片也有可能會(huì)卡脖子！