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	量子阱
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          量子阱 文章
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          提高GaAs襯底上InAs量子阱的遷移率
          
                                                            
            
                    	
          • 德國的研究人員報告說，在分子束外延 （MBE） 期間使用的表面平滑技術(shù)提高了砷化銦 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化鎵 （GaAs） 襯底上的遷移率，特別是在低于 120K 的低溫下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。來自柏林洪堡大學(xué)、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的團隊評論道：“隨著表面平滑的引
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        GaAs  InAs  量子阱  遷移率                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                                

                
          
	                
          
		                	
          
	
          
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          量子阱介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　量子阱是指由2種不同的半導(dǎo)體材料相間排列形成的、具有明顯量子限制效應(yīng)的電子或空穴的勢阱。量子肼的最基本特征是，由于量子阱寬度(只有當(dāng)阱寬尺度足夠小時才能形成量子阱)的限制，導(dǎo)致載流子波函數(shù)在一維方向上的局域化。在由2種不同半導(dǎo)體材料薄層交替生長形成的多層結(jié)構(gòu)中，如果勢壘層足夠厚，以致相鄰勢阱之間載流子波函數(shù)之間耦合很小，則多層結(jié)構(gòu)將形成許多分離的量子阱，稱為多量子阱。如果勢壘層很薄，相鄰阱之間		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		  		  		        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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