日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其TANTAMOUNT? Hi-Rel COTS T97和商用的工業(yè)級597D系列固鉭貼片電容器，以及ThunderFET? SiR880DP 80V N溝道功率MOSFET入選2011年Design News雜志電子和測試類Golden Mousetrap Best Product的最終評選名單?！?/li>
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Vishay 固鉭貼片電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布9款新系列低外形、表面貼裝的標準、快速和超快雪崩整流器---AS1Px、AS3Px和AS4Px標準整流器，AR1Px、AR3Px和AR4Px快速整流器，AU1Px、AU2Px和AU3Px超快整流器。整流器的雪崩容量達20mJ EAS，正向電流高達4A，采用節(jié)省空間的小尺寸SMP和SMPC封裝?！?/li>
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Vishay 雪崩整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開關--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關導通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關噪聲降至最小?！?/li>
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Vishay 負載開關
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優(yōu)秀供應商獎。Vishay是全球最大的分立半導體和無源電子器件制造商之一，TTI是全球領先的授權分銷商，專門從事無源、連接器、機電產(chǎn)品和分立器件的分銷。
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Vishay 分立半導體
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當中首次采用3232外形尺寸。IHLP-3232DZ-11的占位面積為8.3mm x 8.8mm，高度僅有4.0mm，低至1.35m?的最大DCR和從0.22μH至47.0μH的標準感值可提供系統(tǒng)所需的高效率。
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Vishay 電感器
Vishay宣布，在Vishay網(wǎng)站上推出可幫助設計者為其應用選擇合適的繞線電阻的免費在線脈沖能量計算器。
Vishay新的Joule School在線脈沖能量計算器使設計者能夠確定在其應用中在電阻上通過的脈沖能量。計算器非常適合為承受容性充電/放電或閃電浪涌等大脈沖應用來選擇合適的繞線電阻，包括電話塔、雷達系統(tǒng)、風車、焊接機、測試設備和電源等。
Joule School簡單易用，設計者可以從三種脈沖類型中選擇一種進行計算，包括矩形脈沖、容性充電/放電脈沖和指數(shù)衰減脈沖。在選擇完脈沖類型后
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Vishay 計算器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻，以及最低的導通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導通電阻比最
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達到的最低導通電阻。
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Vishay MOSFET SiA923EDJ
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0.6mm超低外形的熱增強Thin PowerPAK? SC-70封裝的新款30V N溝道---SiA444DJT和20V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA429DJT。在2mm x 2mm的占位面積內(nèi)，新的SiA444DJT實現(xiàn)了N溝道MOSFET當中業(yè)內(nèi)最低的外形，而高度不到0.8mm的SiA429DJT具有P溝道器件中最低的導通電阻?！?/li>
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Vishay 功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出增強型PLT系列精密低TCR薄膜電阻，將容差降至±0.01%。在-55℃～+125℃的溫度范圍內(nèi)，這些器件具有低至±5ppm/℃的標準TCR。
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Vishay 薄膜電阻
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出兩款新的100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR870DP和Si4190DY。SiR870DP和Si4190DY使用了Vishay的新型ThunderFET?技術，在具有4.5V電壓等級的100V MOSFET中具有業(yè)內(nèi)最低的導通電阻。
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Vishay MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列螺旋式接線柱功率鋁電容器---104 PHL-ST。該款電容器在+105℃下的使用壽命長達5000小時，在+105℃下的額定紋波電流高達34.8A，提供從35mm x 60mm至90mm x 220mm的11種外形尺寸。
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Vishay 鋁電容器
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為其TSOP 紅外系列接收器中的10種產(chǎn)品推出新的“V”低壓電源選項，擴充其光電子產(chǎn)品組合，以滿足電池供電的消費產(chǎn)品對更低工作電壓的需求。在低至2V的電源電壓和+5℃～+85℃的溫度范圍內(nèi)工作時，V系列器件始終能夠保持穩(wěn)定的靈敏度等級。
在采用2節(jié)堿性電池的應用中，以160mA負載工作3小時，電池的典型放電曲線會從3V降到2.5V。這意味著只能在2.5V電壓下工作的標準接收器將停止工作。而一個典型非線性電池
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Vishay 紅外接收器 V系列
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款Power Metal Strip儀表分流電阻--- WSMS2908，在業(yè)內(nèi)首次采用可直接焊到PCB板上的傳感引線，無需昂貴的柔性引線。在2908尺寸的封裝內(nèi)，WSMS2908實現(xiàn)了3W功率和100 μΩ的極低阻值。
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Vishay WSMS2908
降低能量消耗、延長電池壽命，這是每個工程師在設計便攜式電子產(chǎn)品時努力的目標。電池技術的進步非常緩慢，所以便攜式產(chǎn)品的設計者把延長電池壽命的重點放在電源管理上。多年以來，從事電源管理業(yè)務的半導體制造商盡力跟上終端系統(tǒng)用戶的需求。越來越多的便攜式電子產(chǎn)品在功能上花樣翻新，這些產(chǎn)品需要峰值性能，要求設計者在設備的物理尺度內(nèi)實現(xiàn)盡可能高的效率。雖然電池行業(yè)努力開發(fā)具有比傳統(tǒng)鎳鎘(NiCd)電池電量更高的替代電池技術，但還遠不能滿
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Vishay MOSFET
vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創(chuàng)新和不斷的并購, 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應用于工業(yè)、計算機 [
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