以手機(jī)為例，降低模擬和數(shù)字基帶芯片等手持設(shè)備中主要器件的工作電壓是降低功耗的辦法之一。在不需要DSP或微處理器發(fā)揮最大性能的時(shí)候，可以降低內(nèi)核供電電壓，并且降低時(shí)鐘頻率。越來(lái)越多的新一代低功耗應(yīng)用采用了此項(xiàng)技術(shù)，以盡可能地節(jié)約系統(tǒng)能量。公式PC~(VC)2.F描述了一個(gè)DSP內(nèi)核的功耗，這里，PC是內(nèi)核的功耗，VC 是內(nèi)核電壓，F(xiàn)是內(nèi)核時(shí)鐘頻率。降低內(nèi)部時(shí)鐘頻率可以減少功耗，降低內(nèi)核供電電壓可以把功耗降得更多。

　　先進(jìn)的硅片和封裝技術(shù)能起到什么作用

　　有很多音箱新興高耗電便攜式設(shè)備性能的設(shè)計(jì)因素，本文將主要以在低電壓應(yīng)用中最常見(jiàn)的功率開(kāi)關(guān)功率MOSFET為例，說(shuō)明最新的硅技術(shù)突破在增加電源需求上的影響。為說(shuō)明這些技術(shù)進(jìn)步的影響，有必要了解功率MOSFET的一些關(guān)鍵參數(shù)。

　　通道的導(dǎo)通電阻(rDS(on))是由通道的橫向和縱向電場(chǎng)控制的。通道電阻主要由柵源電壓差決定的。當(dāng)VGS超過(guò)門(mén)限電壓(VGS(th))，F(xiàn)ET開(kāi)始導(dǎo)通。許多操作要求開(kāi)關(guān)接地點(diǎn)。功率MOSFET通道的電阻與由公式R= L/A確定的物理尺寸有關(guān)，這里ρ是電阻率，L是溝道長(zhǎng)度，A是W x T，即溝道的橫截面積。