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碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
- 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉換結構，例如電流連續(xù)
- 關鍵字： SiC UPS
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關鍵字： OBC SiC MOSFET
電機的應用趨勢及控制解決方案
- 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
- 關鍵字： 202003 電機 BLDC MCU SiC IPM
碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領域一決勝負
- 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
- 關鍵字： 碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
- 關鍵字： SiC MOSFET
ERNI推出全新線對板連接器系列
- 近日，ERNI推出iBridge Ultra連接器系列的全新型款，這為已經很廣泛的線對板解決方案新增了其他連接器。這些2.0mm間距連接器經設計提供緊湊和可靠的連接，可承受強烈的振動，適合在惡劣環(huán)境中使用。其中的關鍵功能包括端子位置保證(TPA)，用于在母連接器外殼中為壓接觸點提供輔助鎖定。除了公連接器部件的定位銷之外，這個輔助鎖定功能還可以特別增強連接的抗強振動能力，比如汽車應用中發(fā)生的強振動。iBridge Ultra已根據(jù)汽車行業(yè)的USCAR-2和USCAR-21要求進行了測試，此外，這款牢固且緊湊
- 關鍵字： ERNI iBridge Ultra
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域實現(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
- 關鍵字： IGBT SiC GaN
SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著
- 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產品，但在某些時候，收益遞減
- 關鍵字： SiC MOSFET 意法半導體
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