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          sk 海力士 文章 最新資訊

          海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

          •   2001年海力士(Hynix)受景氣波及,遭債權(quán)銀行團接手并進行債務(wù)重整,時隔10年,海力士已成為全球第2大計算機內(nèi)存芯片供貨商。即使如此,海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù),該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時,目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款,并同時確保有足夠資金擴產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?!?/li>
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存芯片  NAND  

          海力士:DRAM市況可望進入恢復(fù)期

          •   海力士(Hynix)30日召開定期股東大會,社長權(quán)五哲表示,DRAM價格已觸底,市況可望進入恢復(fù)期,而權(quán)五哲對NANDFlash市況,也抱持肯定的態(tài)度,他表示,受日本地震影響,NANDFlash價格攀升,下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開發(fā)完畢

          •   三星電子搶先行動整整三個月之后,另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒,以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條,支持錯誤校驗功能,均采用先進的30nm級別工藝制造,完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。 
          • 關(guān)鍵字: 海力士  內(nèi)存  

          海力士:DRAM市況可望進入恢復(fù)期

          •   海力士(Hynix)30日召開定期股東大會,社長權(quán)五哲表示,DRAM價格已觸底,市況可望進入恢復(fù)期,而權(quán)五哲對NANDFlash市況,也抱持肯定的態(tài)度,他表示,受日本地震影響,NANDFlash價格攀升,下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

          •   全球第二大計算機內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱,它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。   海力士在聲明中稱,通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù),海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士加入美國芯片三維互連研究計劃

          •   韓國海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國SEMATECH的一項有關(guān)芯片三維互連研究計劃,這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實驗室承擔(dān),SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示,三維互連是高性能芯片實現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本。 
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          海力士擬將于3月前注資5.67億美元擴廠

          •   據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo),全球第2大存儲器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布,將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進行資本投資。   據(jù)海力士計劃,該筆資金將用于擴張既有廠房、設(shè)備升級與研究開發(fā)工作。該公司公開說明指出,本次投資規(guī)畫旨在因應(yīng)市場需求與成本競爭壓力加劇。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          海力士將投資5.68億美元擴建工廠和支持研發(fā)

          •   據(jù)國外媒體報道,韓國半導(dǎo)體制造商海力士周三表示,將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元),用于擴大和升級現(xiàn)有工廠,以及開展研發(fā)工作。   
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          全球NAND Flash擴產(chǎn)競賽3缺1

          •   存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報價下跌影響而驟降,除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外,市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中,唯一沒有宣布要擴產(chǎn)的只剩下海力士,2011年平板計算機和智能型手機等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?,海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12,未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  NAND  

          海力士無錫項目三期融資4.5億美元

          •   1月30日,海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項目4.5億美元銀團貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項目,由國家開發(fā)銀行江蘇省分行、中國農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行,中國銀行、工商銀行、建設(shè)銀行、中信銀行共同參與組建銀團,融資總額4.5億美元。這次銀團簽約,是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線項目銀團后的又一次成功合作。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  集成電路  

          海力士半導(dǎo)體債權(quán)人擬繼續(xù)沽售剩余股份

          •   韓國《東亞日報》周一報道,海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露,今年3月之后,海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余股份尋找買家。  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  半導(dǎo)體  

          海力士DRAM制程升級到30納米級

          •   海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后,將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布,已開發(fā)出2款計算機用DRAM產(chǎn)品,將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示,計劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品,2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。  
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士2011年計劃投資26億美元

          •   據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo),海力士(Hynix)計劃資本支出3兆韓元(約26億美元),該公司發(fā)言人證實首爾經(jīng)濟日報(Seoul Economic Daily)的報導(dǎo)。   彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出,實際投資金額可能會依市場情況而調(diào)整。Park進一步指出,2010年的投資金額為3.38兆韓元,相較之下,2011年的投資金額可能會比較小。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  

          海力士半導(dǎo)體明年一季度開始量產(chǎn)30納米芯片

          •   海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示,公司將從明年第一季度開始量產(chǎn)30納米芯片。   這一表態(tài)證實了韓國網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報道。
          • 關(guān)鍵字: 海力士  30納米  

          海力士期望大陸市場能給其帶來轉(zhuǎn)機

          •   全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱,營運獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價格走跌等因素,有鑒于大陸市場潛力巨大,該公司擬加碼大陸資本投資金額,希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示,公司計劃提高大陸廠制程技術(shù),以生產(chǎn)高階晶片。     
          • 關(guān)鍵字: 海力士  DRAM  
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          sk 海力士介紹

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