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          新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
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          • 關鍵字：
                        電源  SiC  IGBT  GaN                          
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          緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業(yè)部執(zhí)行副總裁
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          • 關鍵字：
                        SiC  電氣                          
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          聚焦“寬禁帶”半導體——SiC與GaN的興起與未來
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 隨著硅與化合物半導體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領域器件性能的提升面臨瓶頸，不足以全面支撐新一代信息技術的可持續(xù)發(fā)展......
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          • 關鍵字：
                        寬禁帶  半導體  SiC  GaN                          
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          碳化硅發(fā)展勢頭強 英飛凌650V CoolSiC MOSFET推高創(chuàng)新浪潮
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650V的CoolSiC? MOSFET，值此機會，電子產(chǎn)品世界訪問了英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市場經(jīng)理陳清源先生。英飛凌,電源管理及多元化市場事業(yè)部,大中華區(qū),開關電源應用,高級市場經(jīng)理,陳清源碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系碳化硅MOSFET是一種新器件，它的出現(xiàn)使一些以前硅材料很難被應用的電源轉(zhuǎn)換結構，例如電流連續(xù)
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          • 關鍵字：
                        SiC  UPS                          
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          ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
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          • 關鍵字：
                        OBC  SiC MOSFET                          
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          安森美半導體推出新的900 V和 1200 V SiC MOSFET用于高要求的應用
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），推出另兩個碳化硅（SiC） MOSFET系列，擴展了其寬禁帶（WBG）器件系列。?這些新器件適用于各種高要求的高增長應用，包括太陽能逆變器、電動汽車（EV）車載充電、不間斷電源（UPS）、服務器電源和EV充電樁，提供的性能水平是硅（Si）?MOSFET根本無法實現(xiàn)的。安森美半導體的新的1200伏（V）和900 V N溝道SiC MOSFET提供比硅更快的開關性能和更高的可靠性?？焖俦菊鞫?/li>
                    	                        
          • 關鍵字：
                        SiC  WBG                          
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          CISSOID宣布推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布，將繼續(xù)致力于應對汽車和工業(yè)市場的挑戰(zhàn)，并推出用于電動汽車的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模塊（IPM）平臺。這項新的智能功率模塊技術提供了一種一體化解決方案，即整合了內(nèi)置柵極驅(qū)動器的三相水冷式碳化硅MOSFET模塊。這個全新的可擴展平臺同時優(yōu)化了功率開關的電氣、機械和散熱設計及其臨界控制，對于電動汽車（EV）整車廠和愿意快速采用基于碳化硅的逆變器以實現(xiàn)更高效、更簡潔電機驅(qū)動的電動機制造商而言，該平臺可以幫助他們加快產(chǎn)品上市時間。該可擴展
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          • 關鍵字：
                        SiC  IPM                          
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          電機的應用趨勢及控制解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 顧偉俊? （羅姆半導體（上海）有限公司?技術中心?現(xiàn)場應用工程師）摘? 要：介紹了電機的應用趨勢，以及MCU、功率器件的產(chǎn)品動向。 關鍵詞：電機；BLDC；MCU；SiC；IPM1? 電機的應用趨勢?隨著智能家居、工業(yè)自動化、物流自動化等概念的 普及深化，在與每個人息息相關的家電領域、車載領 域以及工業(yè)領域，各類電機在技術方面都出現(xiàn)了新的 需求。?在家電領域，電器的 智能化需要電器對人機交 流產(chǎn)生相應的反饋。例如 掃地機器人需要掃描計算 空間，規(guī)劃路線，然后執(zhí) 行移動以及相應
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          • 關鍵字：
                        202003  電機  BLDC  MCU  SiC  IPM                          
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          碳化硅（SiC）功率器件或在電動汽車領域一決勝負
          
                                                            
            
                    	
          • 電力電子器件的發(fā)展歷史大致可以分為三個大階段：硅晶閘管（可控硅）、IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和剛顯露頭角的碳化硅（SiC）系列大功率半導體器件。碳化硅屬于第三代半導體材料，與普通的硅材料相比，碳化硅的優(yōu)勢非常突出，它不僅克服了普通硅材料的某些缺點，在功耗上也有非常好的表現(xiàn)，因而成為電力電子領域目前最具前景的半導體材料。正因為如此，已經(jīng)有越來越多的半導體企業(yè)開始進入SiC市場。到2023年，SiC功率半導體市場預計將達到15億美元。SiC器件的供應商包括Fuji、英飛凌、Littelfuse、三菱、安森
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          • 關鍵字：
                        碳化硅、SiC、功率器件、電動汽車                          
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          英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅(qū)動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務高級總監(jiān)St
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          • 關鍵字：
                        SiC  MOSFET                          
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          如何利用 SiC 打造更好的電動車牽引逆變器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在本文中，我們將調(diào)查電動車牽引逆變器采用 SiC 技術的優(yōu)勢。我們將展示在各種負荷條件下逆變器的能效是如何提升的，包括從輕負荷到滿負荷。使用較高的運行電壓與高效的 1200V SiC FET 可以幫助降低銅損。還可以提高逆變器開關頻率，以對電機繞組輸出更理想的正弦曲線波形和降低電機內(nèi)的鐵損。預計在所有這些因素的影響下，純電動車的單次充電行駛里程將提高 5-10%，同時，降低的損耗還能簡化冷卻問題。簡介近期的新聞表明，純電動車?(BEV) 的數(shù)量增加得比之前的預期要快。這促使汽車制造商（包括現(xiàn)有制
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          • 關鍵字：
                        SiC  BEV  牽引逆變器                          
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          羅姆集團旗下的SiCrystal與意法半導體就碳化硅（SiC）晶圓長期供貨事宜達成協(xié)議
          
                                                            
            
                    	
          • 近日，全球知名半導體制造商羅姆和意法半導體（以下簡稱“ST”）宣布，雙方就碳化硅（以下簡稱“SiC”）晶圓由羅姆集團旗下的SiCrystal GmbH （以下簡稱“SiCrystal”）供應事宜達成長期供貨協(xié)議。在SiC功率元器件快速發(fā)展及其需求高速增長的大背景下，雙方達成超1.2億美元的協(xié)議，由SiCrystal（SiC晶圓生產(chǎn)量歐洲第一）向ST（面向眾多電子設備提供半導體的全球性半導體制造商）供應先進的150mm SiC晶圓。ST　總經(jīng)理 兼 首席執(zhí)行官（CEO）　Jean-Marc Chery 說：
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          • 關鍵字：
                        SiC  車載                          
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          使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200 V SiC電源模塊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 簡介電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導體器件開和關的策略。目前最先進的寬帶器件，如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導體具有更高的性能，如600 V至2000 V的高電壓額定值、低通道阻抗，以及高達MHz范圍的快速切換速度。這些提高了柵極驅(qū)動器的性能要求，例如，，通過去飽和以得到更短的傳輸延遲和改進的短路保護。本應用筆記展示了ADuM4136 柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢，這款單通道器件的輸出驅(qū)動能
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          • 關鍵字：
                        DC/DC  SiC                          
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          CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
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          • 關鍵字：
                        IGBT  SiC  GaN                          
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          SiC MOSFET在汽車和電源應用中優(yōu)勢顯著
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問世以來，MOSFET和IGBT一直是開關電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機驅(qū)動等電路設計。不過，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導通電阻和開關損耗的大幅降低，這些半導體開關的應用范圍越來越廣。結果，市場對這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來越高，對性能的要求越來越高。盡管主要的半導體研發(fā)機構和廠商下大力氣滿足市場要求，進一步改進MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時候，收益遞減
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          • 關鍵字：
                        SiC MOSFET  意法半導體                          
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          sic介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能. 
Si		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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