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寬禁帶技術-下一代功率器件
- 行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產(chǎn)品能效更高的關鍵推動因素。例如，數(shù)據(jù)中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品都需具有最高能效?！ ⊥瑫r，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產(chǎn)品來實現(xiàn)這一目
- 關鍵字： SiC GaN
羅姆首次亮相“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”
- 全球知名半導體制造商羅姆于2018年7月19日-21日首次亮相在北京中國國際展覽中心舉辦的“2018北京國際汽車制造業(yè)暨工業(yè)裝配博覽會”(展位號：2展館T213)。以“用半導體為汽車的未來做貢獻”為理念，帶來了新能源汽車、汽車小型化輕量化、自動駕駛、人機交互等相關領先半導體產(chǎn)品。 羅姆展臺人頭攢動 在 “Formula E國際汽聯(lián)電動方程式錦標賽”特別展示區(qū)以及“xEV”、“環(huán)保/節(jié)能”、“安全/舒適”三大展區(qū)內，重點展示了以下產(chǎn)品和技術： ? 先進的SiC(碳化硅)技術：助力 “Formula
- 關鍵字： 羅姆 SiC
德州儀器CTO：TI顛覆性技術將引領我們快速前進
- 當我坐在電動汽車上踩下加速踏板，時速在3秒之內就能從0飆升到近100公里——我非常享受這個過程。正如我駕車疾馳在高速公路快車道上，而新一代技術將載著我們馳騁在大數(shù)據(jù)公路的快車道上?！ 诚胍幌?，新技術將影響著我們未來的工作和生活： · 汽車組裝生產(chǎn)線上將重新配置協(xié)作機器人，由它們來組裝不同型號的車輛。這將在降低成本的同時大大提高生產(chǎn)力，發(fā)揮競爭優(yōu)勢。今天，重置一個這樣的工廠可能需要幾年的時間?！ ?機器視覺技術將使人們即使在夜間、霧天和灰塵的環(huán)境下，駕駛時也可清晰視物?！ ?充電器尺寸將縮小到信
- 關鍵字： 德州儀器 SiC
應用角：云電源
- 云電源是描述用于傳輸、存儲和處理云數(shù)據(jù)的設備的電源的通用術語。在電信或傳輸應用中，云電源將為基帶單元和遠程無線電單元供電。用于存儲和處理的服務器機群還需要大型不間斷電源，以確保在暫時斷電時用戶仍可訪問云。每臺服務器還將需要一個電源單元(PSU)，以及眾多的DC-DC轉換器來提供負載點電源?！ ∮捎谖锫?lián)網(wǎng)顯著增加了捕獲某種數(shù)據(jù)的端點數(shù)(2017年付運約20億臺設備，比2015年增長54%)，因此需要大量的存儲器來處理和存儲數(shù)據(jù)。為此，正在構建大型服務器機群，這些機群將消耗大量電力。電源轉換將產(chǎn)生熱量，終
- 關鍵字： 云電源 SiC
低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體?！ “采腊雽w擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關鍵字： 肖特基二極，SiC
工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng)，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案。 小型輔助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關鍵字： SiC，MOSFET
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄 iC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關鍵字： SiC
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產(chǎn)實現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長?！ ≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了?！薄 iC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關鍵字： SiC
安森美半導體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴苛的汽車應用
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴展系列，包括專門用于要求嚴苛的汽車應用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應用所需的可靠性和強固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術的眾多性能優(yōu)勢?！ iC技術提供比硅器件更佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復電流，開關性能與溫度無關。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
- 關鍵字： 安森美 SiC
SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品
- 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們日常生活中的絕大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
- 關鍵字： 力特，SiC，GaN
新一代功率器件動向：SiC和GaN
- 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關鍵驅動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
- 關鍵字： 安森美，SiC，GaN
sic介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結構的大周期結構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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