如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時，你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓，系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行；從輸出到輸入。幸運的是，有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章，在這篇文章中，你將能夠對現(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
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FET TPS22963 德州儀器 反向電流
揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色，電池技術進步推動了這一進展，并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內的廣泛產品。近年來，電池效率（輸出功率/尺寸比）和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重，其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展，你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車，其重量只有幾磅，尺寸也就人手那么大。
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電池管理系統(tǒng) FET FET驅動器
摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明，新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大。 前言 市場對開關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！ 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中，兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創(chuàng)新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻，在新能源汽車、城市基礎設施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比，SiC產品憑借更低的開關損耗，可實現(xiàn)設備中冷卻機構的小型化。同時，通過更高頻率的開關動作，還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢?，SiC是可以同時實現(xiàn)設備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
在經過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然，要進行大批量生產，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了，但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代
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GaN SiC 第三代半導體材料
與之前介紹的晶體管放大電路相同，各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接，以構成CR的連接方式。此時，為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系，就需要偏置電路來提供柵極電壓?！ ∨c晶體管放大電路的接地方式相同，結型FET放大電路也有多種接地方式?！ ∽钜话愕脑礃O接地電路和自偏置電路 n溝道FET的例子如下圖所示，p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向，與此圖完全相反?！ ET源極接地電路的功能，與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作，要求柵極和源極間的電壓VGS為
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FET 放大電路
<概要> 全球知名半導體制造商ROHM面向工業(yè)設備用的電源、太陽能發(fā)電功率調節(jié)器及UPS等的逆變器、轉換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！ ”井a品通過ROHM獨有的模塊內部結構及散熱設計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設備用大容量電源等更大功率產品中的應用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應
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ROHM SiC
汽車功率電子產品正成為半導體行業(yè)的關鍵驅動因素之一。這些電子產品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
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SiC GaN
雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復合增長率預計將達8%[3]。尤其是電池驅動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關芯片?！ ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運用更老的技術節(jié)點，使用200毫米(和
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SiC GaN
與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認為功率半導體競爭格局固定,技術升級步伐相對緩慢,與集成電路產業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導體的產業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導體產業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導體的重要性被長期低估,我國功率半導體產業(yè)存在規(guī)模小、技術落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
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功率半導體 SiC
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