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ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術吸引觀眾駐足
- 全球知名半導體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產(chǎn)品、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產(chǎn)品。這些高新領先的技術、強勢多元化的產(chǎn)品、多種熱門應用解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流?！ ?nbsp;
- 關鍵字： ROHM SiC
“助攻”電源設計：900V SiC MOSFET導通電阻創(chuàng)新低！
- 全球SiC領先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應晶體管技術，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應用進行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設備技術，是開關模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應用等的電源管理解決方案。 世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
- 關鍵字： 世強 SiC
ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展
- 2016年11月16日-21日，全球知名半導體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻的傳感器網(wǎng)絡技術和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領先技術、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評。 ROHM模擬電源“領銜”業(yè)內(nèi)標準 近年來，全世
- 關鍵字： ROHM SiC
業(yè)界首款900V SiC MOSFET,導通電阻65 mΩ
- SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業(yè)界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。該款升級版平臺，基于Cree的SiC平面技術從而擴展了產(chǎn)品組合，能夠應對市場更新的設計挑戰(zhàn)，可用于更高直流母線電壓。且領先于900V超結(jié)Si基MOSFET技術，擴大了終端系統(tǒng)的功率范圍，在更高溫度時仍能提供低導通電阻Rds(on)，大大減小了熱管理系統(tǒng)的尺寸，很好地解決了散熱及顯著降額的問題。與目前的Si基方案相比， 900V SiC MOSFET平臺為電源轉(zhuǎn)換設計者提供了更多的創(chuàng)新空間，方便
- 關鍵字： Cree SiC
EV/HEV市場可期 SiC/GaN功率器件步入快車道
- 根據(jù)Yole Development預測，功率晶體管將從硅晶徹底轉(zhuǎn)移至碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)基板，以期能在更小的空間中實現(xiàn)更高功率。 在最新出版的“GaN與SiC器件驅(qū)動電力電子應用”(GaN and SiC Devices for Power Electronics Applications)報告中，Yole Development指出，促進這一轉(zhuǎn)型的巨大驅(qū)動力量之一來自電動車(EV)與混合動力車(HEV)產(chǎn)業(yè)。Yole預期EV/HEV產(chǎn)業(yè)將持續(xù)大力推動Si
- 關鍵字： SiC GaN
專利設計發(fā)功 ROHM量產(chǎn)溝槽式SiC-MOSFET
- SiC-MOSFET技術新突破。羅姆半導體(ROHM)近日研發(fā)出采用溝槽(Trench)結(jié)構的SiC-MOSFET，并已建立完整量產(chǎn)機制。新推出的溝槽式SiC-MOSFET和平面型SiC-MOSFET相比，可降低50%導通電阻，大幅降低太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器和工業(yè)用變流器等設備的功率損耗。 羅姆半導體功率元件制造部部長伊野和英(左2)表示，新發(fā)布的溝槽式SiC-MOSFET采用該公司獨有的雙溝槽結(jié)構專利，目前已開始量產(chǎn)。 羅姆半導體應用設計支援部課長蘇建榮表示，相對于Si-IGBT，SiC
- 關鍵字： ROHM SiC-MOSFET
sic 介紹
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結(jié)構可分為兩類：一類是閃鋅礦結(jié)構的立方SiC晶型，稱為3C或β－SiC，這里3指的是周期性次序中面的數(shù)目；另一類是六角型或菱形結(jié)構的大周期結(jié)構，其中典型的有6H、4H、15R等，統(tǒng)稱為α－SiC。與Si相比，SiC材料具有更大的Eg、Ec、Vsat、λ。大的Eg使其可以工作于650℃以上的高溫環(huán)境，并具有極好的抗輻射性能.
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