日本a√视频在线,久久青青亚洲国产,亚洲一区欧美二区,免费g片在线观看网站

<style id="k3y6c"><u id="k3y6c"></u></style>

<mark id="k3y6c"></mark>

<mark id="k3y6c"></mark>

^{<sup id="ek42c"><ol id="ek42c"></ol></sup>}

<legend id="ek42c"></legend>

TI六地嵌入式大會，多個主題等你來現(xiàn)場討論跟講師一起DIY一個拾色播放器呀 e絡(luò)盟全站新客福利，驚喜盲盒已備好! TI三地DLP?主題大會，來報名去現(xiàn)場討論呀

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> si mosfet

si mosfet 文章最新資訊

完全自保護MOSFET功率器件分析

為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本，設(shè)計人員在功率器件中加入故障保護電路，以免器件發(fā)生故障，避免對電子系統(tǒng)造成高代價的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來實現(xiàn)，但是在更多情況下，設(shè)計人員使用完全
關(guān)鍵字：器件分析功率 MOSFET 保護完全

IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其PQFN封裝系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET，為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案，這些應(yīng)用包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、直流電動機、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
關(guān)鍵字： IR MOSFET

基于PMM8731和SI-7300的步進電機驅(qū)動電路

PMM8731是日本三洋電機公司生產(chǎn)的步進電機脈沖分配器。而SI-7300則是日本三青公司生產(chǎn)的高性能步進電機集成功率放大器。它們和單片機一起可構(gòu)成一種高效電機控制驅(qū)動電路。文中介紹了PMM8713與SI-7300的功能，給出了
關(guān)鍵字：驅(qū)動電路電機步進 PMM8731 SI-7300 基于

IR日推出新車用MOSFET系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

力科發(fā)布了SI Studio軟件包以增強其分析和仿真能力

??????? 力科公司，作為示波器、協(xié)議分析儀、串行數(shù)據(jù)測試解決方案和網(wǎng)絡(luò)分析儀領(lǐng)導(dǎo)廠商，今天宣布推出其信號完整性產(chǎn)品線的創(chuàng)新產(chǎn)品：信號完整性工作室(SI Studio)。SI Studio是力科SPARQ應(yīng)用軟件包的附加產(chǎn)品，它不但可以和SPARQ串行網(wǎng)絡(luò)分析儀協(xié)同工作，還可以作為一個獨立的軟件使用。　　可完成信號完整性分析、建模和仿真的功能　　SI Studio針對信號完整性工程師而開發(fā)，可讓工程師使用一個軟件包就能完成對
關(guān)鍵字：力科軟件包 SI-Studio

IR推出堅固的新系列40V至75V車用MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)近日推出新的車用MOSFET系列，適合要求低導(dǎo)通電阻的一系列應(yīng)用，包括傳統(tǒng)內(nèi)燃機 (ICE) 平臺以及微型和混合動力汽車平臺上的重載應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR 柵級驅(qū)動 MOSFET

Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小。
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMC4040SSD

基于SI濾波器的一種小波變換的實現(xiàn)

摘要：文中在應(yīng)用對數(shù)域電路的基礎(chǔ)上，提出了一種新型的連續(xù)小波變換方法，它通過對母小波的一種數(shù)值逼近得到小波函數(shù)的有理公式，并以Marr小波為例來模擬這個逼近過程，并用Matlab對逼近過程進行仿真。仿真結(jié)果顯示
關(guān)鍵字：變換實現(xiàn) 小波濾波器 SI 基于

Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
關(guān)鍵字： Diodes DMC4040SSD MOSFET

說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例

　　現(xiàn)代創(chuàng)新理論的提出者約瑟夫·熊彼特認為，企業(yè)家的職能就是實現(xiàn)“創(chuàng)新”，引進生產(chǎn)要素或生產(chǎn)條件的“新組合”，目的是最大限度地獲取超額利潤。創(chuàng)新催生利潤，因此“創(chuàng)新”一詞得到狂熱追捧，幾乎所有企業(yè)都在打出各式各樣的創(chuàng)新口號。　　不僅業(yè)內(nèi)企業(yè)在摸索和實踐著創(chuàng)新，作為“深圳(國際)集成電路技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用展覽會”的組織機構(gòu)——深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會也在積極行動。他們在深入調(diào)研了
關(guān)鍵字： IC設(shè)計 MOSFET 音頻解碼器

飛兆半導(dǎo)體功率級非對稱雙MOSFET器件

電源工程師一直面對減小應(yīng)用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務(wù)器、游戲和電信應(yīng)用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET FDMS36xxS

IR推出新款PQFN 2mm x 2mm封裝

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案?！?/li>
關(guān)鍵字： IR PQFN MOSFET

IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET登場

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應(yīng)用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
關(guān)鍵字： IR HEXFET MOSFET

2011年中國功率MOSFET市場放緩的兩個因素

　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，2010年中國功率MOSFET市場快速增長，銷售額達到23億美元，比2009年的16億美元增長43%。　　直到去年第三季度，功率MOSFET在2010年多數(shù)時間都處于供應(yīng)不足局面，難以滿足中國各行業(yè)的需求，包括本地數(shù)據(jù)處理、消費與通信領(lǐng)域。功率MOSFET是為處理較高的功率級而設(shè)計的功率半導(dǎo)體器件，主要用于電源與DC-DC轉(zhuǎn)換器中的低電壓開關(guān)。　
關(guān)鍵字： MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器

同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
關(guān)鍵字： MOSFET 同步降壓電阻比

共1341條 66/90 |‹ « 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 » ›|

si mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

si mosfet電路

如何為WLED構(gòu)建一個RGB PWM LED驅(qū)動程序
線性放大電路中的乙類推挽功率放大器設(shè)計
IGBT工作原理解析
四種最常用的電子元器件的參數(shù)解析

si mosfet相關(guān)帖子

永源微AP70H06NF-60VN-Channel增強模式MOSFET
永源微APJ14N65D-650VN-Channel增強模式MOSFET
永源微APM-AP1N50MI650VN通道增強模式MOSFET
超高壓MOS在輔助電源上的應(yīng)用
降低MOSFET損耗同時提升EMI性能
淺析MOSFET的UIS及雪崩能量
從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS
MOSFET耗盡型和增強型兩種類型原理介紹

si mosfet資料下載

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現(xiàn)車載充電器小型化！
安森美 NVHL040N120SC1碳化硅MOSFET
安森美 NVHL020N120SC1碳化硅MOSFET
安森美車用NVHL160N120SC1碳化硅MOSFET
MOSFET管的驅(qū)動電路設(shè)計資料總結(jié)
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應(yīng)用介紹
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品綜述
英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務(wù)器的應(yīng)用指南

si mosfet專欄文章

熱門主題

樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

<sub id="p7g5r"><dl id="p7g5r"><nobr id="p7g5r"></nobr></dl></sub>