si mosfet 文章 最新資訊
Quamtum-SI DDR3仿真解析
- Automated DDR3 Analysis
Quantum-SI 2008.04 automates signal integrity and timing analysis of DDR3 interfaces. Enhancements include new DDR3-specific waveform quality checks and modeling of dynam - 關鍵字： Quamtum-SI DDR3 仿真
集成式解決方案提高功率調(diào)節(jié)器的效率
- 引言 通信電路板常常采用負載點(PoL)DC-DC轉換器來為數(shù)字IC (FPGA、DSP 及 ASIC) 供電。一般而言，一個48V的背板采用中間總線架構(IBA)作為電路板的輸入電源，為不同負載點(PoL)供電，而中間電壓通常選為12V(見圖1)。這種傳統(tǒng)方案包含一個分立式PoL，該PoL是以分立的方式使用控制器、驅(qū)動器和MOSFET。由于該方案需要額外的設計和制造時間，故半導體供應商目前開始轉而采用完全集成的調(diào)節(jié)器解決方案，以期縮短上市時間，減小PCB空間，并使終端應用達到更高的效率水平。本
- 關鍵字： Fairchild 電源設計 MOSFET
英飛凌第二財季扭虧為盈 凈利潤1.042億美元
- 據(jù)國外媒體報道，歐洲第二大芯片制造商英飛凌(Infineon Technologies AG)近日公布的財報顯示，結束于3月份的本財年第二財季凈利潤為7900萬歐元(約合1.042億美元)，去年同期虧損2.39億歐元;第二財季營收為 10億歐元，同比增長55%。 第二財季凈利潤好于分析師預期，營收與分析師預期相當。據(jù)彭博社調(diào)查的分析師此前曾預計，該公司第二季度經(jīng)調(diào)整凈利潤7130萬歐元。第二財季為英飛凌連續(xù)第三季度實現(xiàn)盈利，而在那之前10個季度該公司累計虧損額高達39億歐元。 英飛凌上調(diào)了
- 關鍵字： 英飛凌 MOSFET
Vishay推出P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內(nèi)，這款20V器件提供業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET最低的導通電阻。 新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產(chǎn)品。這種最先進的技術能夠?qū)崿F(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
- 關鍵字： Vishay MOSFET TrenchFET
si mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條si mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對si mosfet的理解，并與今后在此搜索si mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
si mosfet相關帖子
si mosfet資料下載
si mosfet專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473