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意法半導(dǎo)體通過兩項(xiàng)并購(gòu)，進(jìn)一步增強(qiáng)STM32微控制器的無線連接功能

橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域的全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST)，于日前宣布簽署兩項(xiàng)并購(gòu)協(xié)議，收購(gòu)超寬帶技術(shù)專業(yè)設(shè)計(jì)公司BeSpoon的全部股本和Riot Micro公司的蜂窩物聯(lián)網(wǎng)連接資產(chǎn)。在兩項(xiàng)交易走完正常監(jiān)管審批手續(xù)成交后，意法半導(dǎo)體將進(jìn)一步提升其在無線連接技術(shù)方面的服務(wù)，特別是完善STM32微控制器和安全微控制器的產(chǎn)品規(guī)劃。BeSpoon公司位于法國(guó)Le Bourget du Lac，成立于2010年，是一家無晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司，專門研究超寬帶(UWB)通
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Soitec以新技術(shù)為自動(dòng)駕駛發(fā)展保駕護(hù)航

作為一家設(shè)計(jì)和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)，來自于法國(guó)的Soitec以提供高性能超薄半導(dǎo)體晶圓襯底材料來助力整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新，通過不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導(dǎo)體芯片能夠以更高性能和更好的穩(wěn)定性提供服務(wù)。特別是伴隨著5G技術(shù)的不斷推進(jìn)，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機(jī)用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用，可以說Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機(jī)快速普及的幕后英雄之一。當(dāng)然，“幕后英雄”也因?yàn)槠湎冗M(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展，Soitec全球戰(zhàn)略執(zhí)行副總裁Thomas PILISZCZ
關(guān)鍵字： Soitec RF-SOI FD-SOI

ROHM首創(chuàng)過零檢測(cè)IC，進(jìn)一步降低家電待機(jī)功耗

隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及和發(fā)展，Wi-Fi等通信功能配置在不斷普及,為了保證通信功能的正常進(jìn)行，各種家電包括白色家電、黑色家電在內(nèi)，都要始終處于通電狀態(tài)，這種狀態(tài)無疑增加了家電類產(chǎn)品的待機(jī)功耗。另一方面，家電產(chǎn)品的顯示器正在進(jìn)行大型化、高性能化和多功能化的發(fā)展，它的顯示部分越來越復(fù)雜，所以需要搭配高性能的微控制器(MCU)，這一方面增加了工作功耗，使待機(jī)功耗、工作功耗都在不斷的增加；另一方面，隨著綠色可持續(xù)化發(fā)展的需要，要求家電產(chǎn)品要不斷降低待機(jī)功耗和工作功耗。傳統(tǒng)上，會(huì)從AC/DC、DC/DC電源部分來考慮（如
關(guān)鍵字： IC MCU Wi-Fi

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

寬禁帶?材料實(shí)現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計(jì)和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨(dú)一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強(qiáng)固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動(dòng)器。除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計(jì)人員在仿真中實(shí)現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測(cè)試周期。我們的預(yù)測(cè)性離散建?？梢赃M(jìn)行系統(tǒng)級(jí)仿真
關(guān)鍵字： IC RDS(on) CAD MOSFET SiC MOS

利用ADI的mSure技術(shù)實(shí)現(xiàn)電表精度監(jiān)測(cè)

針對(duì)電力公司應(yīng)用的創(chuàng)新不止局限于監(jiān)測(cè)消耗電網(wǎng)能源的硬件設(shè)備，現(xiàn)在還可提供分析功能，旨在了解以前無法在現(xiàn)場(chǎng)跟蹤的電表精度。我們與Helen Electricity Network（芬蘭赫爾辛基的配電系統(tǒng)運(yùn)營(yíng)商）和Aidon（北歐地區(qū)知名的智能電網(wǎng)、智能電表技術(shù)和服務(wù)提供商）合作，運(yùn)用ADI公司先進(jìn)的終端-云電表分析解決方案（采用mSure?技術(shù)）Energy Analytics Studio進(jìn)行了現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)。該解決方案可監(jiān)控部署電表使用壽命內(nèi)的精度，并檢測(cè)多種竊電類型。電表精度監(jiān)測(cè)尤其與芬蘭市場(chǎng)關(guān)系密切，這也
關(guān)鍵字： IC AMI

東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個(gè)簡(jiǎn)單的時(shí)鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進(jìn)的MCU或?qū)Ｓ密浖?。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實(shí)現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
關(guān)鍵字： IC QFN MOSFET

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認(rèn)證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認(rèn)證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級(jí)側(cè)檢測(cè)功能。新獲得認(rèn)證的器件系列適用于電動(dòng)汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機(jī))、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
關(guān)鍵字： OBC BMS EMS MOSFET IC

低漂移、高精度、直插式隔離磁性電機(jī)電流測(cè)量

隨著提升系統(tǒng)效率的需求不斷增長(zhǎng),我們面臨著改善電機(jī)工作效率和控制功能的直接壓力。幾乎所有類型的電機(jī)均面臨著這種需求壓力,包括以下領(lǐng)域中使用的電機(jī):?●? ?白色家電●? ?工業(yè)驅(qū)動(dòng)器●? ?自動(dòng)化●? ?汽車應(yīng)用在工作電壓較高且具有較高功率的系統(tǒng)中尤其如此。對(duì)于確保電機(jī)以峰值效率和性能運(yùn)行而言,反饋到控制算法中的電機(jī)運(yùn)行特性至關(guān)重要。相電流是系統(tǒng)控制器使用的這些重要診斷反饋要素(用于實(shí)現(xiàn)最佳的電機(jī)性能)之一。
關(guān)鍵字： PWM IC

三星采用新思科技的IC Compiler II 機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)設(shè)計(jì)新一代5納米移動(dòng)SoC芯片

重點(diǎn)：IC Compiler II和Fusion Compiler的機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)助力三星將頻率提高高達(dá)5%，功耗降低5%機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)性技術(shù)可加快周轉(zhuǎn)時(shí)間(TAT)，使三星能夠跟上具挑戰(zhàn)性的設(shè)計(jì)時(shí)間表三星在即將推出的新一代移動(dòng)芯片流片中部署了機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)新思科技（Synopsys, Inc.，納斯達(dá)克股票代碼：SNPS）今天宣布，三星(Samsung)為其新一代5納米移動(dòng)芯片生產(chǎn)設(shè)計(jì)，采用了IC Compiler? II布局布線解決方案（新思科技Fusion Design Platform?的一
關(guān)鍵字：三星新思科技 IC Compiler II 機(jī)器學(xué)習(xí) 5納米 SoC

通用快速充電：電池供電應(yīng)用的未來趨勢(shì)

如今，那些“永遠(yuǎn)在線”的消費(fèi)者希望隨時(shí)隨地為他們的便攜式電子產(chǎn)品充電。例如，我們經(jīng)?？吹铰每驮诘却菣C(jī)或乘坐火車時(shí)給手機(jī)、筆記本電腦和耳機(jī)充電。但是，由于每個(gè)設(shè)備的充電方式不同，這些消費(fèi)者必須攜帶不同的適配器，并且記住哪個(gè)適配器適用哪個(gè)設(shè)備是件相當(dāng)麻煩的事情（請(qǐng)參見圖1）。對(duì)于為了解決這一麻煩的工程師來說，他們的電池充電系統(tǒng)設(shè)計(jì)必須支持從各種輸入源充電。圖1：使用不同的輸入源和適配器充電為什么考慮使用USB Type-C PD充電？設(shè)計(jì)一個(gè)單芯片充電器集成電路（IC）來為不同配置和不同輸入電壓范圍的多個(gè)電
關(guān)鍵字： IC USB

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動(dòng)汽車應(yīng)用

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認(rèn)證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級(jí)LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動(dòng)汽車子系統(tǒng)提供簡(jiǎn)單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機(jī)系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
關(guān)鍵字： IC MOSFET

華邦電子HyperRAMTM 推出WLCSP封裝引領(lǐng)穿戴式裝置時(shí)代

全球半導(dǎo)體內(nèi)存解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子于6月10日發(fā)布HyperRAM? 產(chǎn)品，這是繼2019年發(fā)布后，進(jìn)一步推出采用 WLCSP 的 HyperRAM? 產(chǎn)品，在嵌入式應(yīng)用中達(dá)到前所未有的薄型尺寸規(guī)格。HyperBus?技術(shù)最早是由Cypress在2014年發(fā)表，相較于其他內(nèi)存IC的傳輸控制接口， HyperBus? 接口的特點(diǎn)之一是接腳數(shù)低，這使得電路板的布局更簡(jiǎn)潔, 布線面積也更小。多家IC設(shè)計(jì)服務(wù)公司已推出HyperBus?的相關(guān)IP，這讓主芯片廠商在設(shè)計(jì)內(nèi)存控制器時(shí) 更加容易，目前愈來愈多主芯片
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IC供應(yīng)鏈重整技術(shù)生態(tài)兩極化趨勢(shì)確立

這一場(chǎng)中美貿(mào)易爭(zhēng)端，將中美IC產(chǎn)業(yè)直接暴露到了戰(zhàn)場(chǎng)上，作為夾在中美之間的中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的IC產(chǎn)業(yè)該如何尋找屬于自己的機(jī)遇？我們聽聽當(dāng)?shù)氐耐性趺凑f。
關(guān)鍵字： IC 供應(yīng)鏈

艾邁斯半導(dǎo)體推出性能更優(yōu)的新型數(shù)字X射線讀取電路IC，低輻射劑量即可生成更清晰的圖像

全球領(lǐng)先的高性能傳感器解決方案供應(yīng)商、移動(dòng)市場(chǎng)3D臉部識(shí)別領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)者艾邁斯半導(dǎo)體（ams AG）近日推出適用于數(shù)字X射線平板式探測(cè)儀(FPD)的新型讀取集成電路(IC) —— AS5850A，能夠?yàn)榕R床醫(yī)生提供更清晰的圖像，同時(shí)減少對(duì)患者的輻射影響?！? ?新型AS5850A是一款256通道數(shù)字讀取電路IC，適用于醫(yī)療平板式探測(cè)儀●? ?作為醫(yī)療應(yīng)用圖像傳感器的領(lǐng)先提供商，艾邁斯半導(dǎo)體持續(xù)進(jìn)行芯片設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝創(chuàng)新，不斷推出卓越的高速、低功耗、低噪聲產(chǎn)品●?
關(guān)鍵字： IC FPD

低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS懸臂梁開關(guān)的對(duì)比研究*

　　歐書俊，張國(guó)俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學(xué) 電子薄膜與集成器件國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，四川成都 611731）　　摘要：本文針對(duì)一字型懸臂梁RF MEMS開關(guān)，提出了兩種降低驅(qū)動(dòng)電壓RF MEMS開關(guān)的方法，分別為：增大局部驅(qū)動(dòng)面積和降低彈性系數(shù)。根據(jù)這兩種方法設(shè)計(jì)了4種形狀的懸臂梁開關(guān)，分別為增大局部驅(qū)動(dòng)面積的十字型梁，降低彈性系數(shù)的三叉戟型、蟹鉗型和折疊型梁。在梁的長(zhǎng)度、厚度和初始間隙等參數(shù)一致的情況下，通過CMOSOL軟件建模仿真得到了這4種懸臂梁的驅(qū)動(dòng)電壓，分別為7.2 V、5.6 V、
關(guān)鍵字： 202007 RF MEMS 懸臂梁驅(qū)動(dòng)電壓彈性系數(shù)