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RF功率MOSFET產(chǎn)品及其工藝開發(fā)
- 摘 要：本文簡述了RF 功率 MOSFET器件的應(yīng)用，分析了以LDMOSFET工藝為基礎(chǔ)的RF 功率 MOSFET的功能特性、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和制造工藝特點。文中結(jié)合6寸芯片生產(chǎn)線，設(shè)計了產(chǎn)品的制造工藝流程，分析了制造工藝的難點，并提出了解決方案。關(guān)鍵詞：RF 功率 MOSFET；LDMOSFET；器件結(jié)構(gòu)；制造工藝 引言RF 功率 MOSFET的最大應(yīng)用是無線通訊中的RF功率放大器。直到上世紀(jì)90年代中期，RF功率MOSFET還都是使用硅雙極型晶體管或GaAs MOSFET
- 關(guān)鍵字： LDMOSFET MOSFET RF RF專題 電源技術(shù) 功率 模擬技術(shù) 器件結(jié)構(gòu) 制造工藝
2010年中國芯片需求將超千億
- 記者昨日從在深圳舉行的第十二屆國際集成電路研討會暨展覽會上獲悉，中國的半導(dǎo)體消費在未來的幾年內(nèi)仍將保持高速增長，到2010年，中國所需的芯片產(chǎn)值將超過1000億美元。 市場調(diào)研機構(gòu)IC Insights公布的數(shù)據(jù)顯示，去年亞洲地區(qū)芯片銷售額首度增至1000億美元，僅在6年時間之內(nèi)，亞洲地區(qū)芯片市場在全球芯片市場所占的份額從25%激增至48%，而這一增長的主要動力來自中國。據(jù)IC Insights 預(yù)測，至2010年，中國所需的芯片產(chǎn)值將逾1000億美元，雖然本土銷售額將有所增長，但多達89%的產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： IC Insights 芯片需求
EEPW 2006模擬/混合信號IC產(chǎn)品評選結(jié)果揭曉
- 金豬報喜來啦！由《電子產(chǎn)品世界》每年舉辦的影響中國的“EEPW模擬/混合信號IC產(chǎn)品評選”于日前落下了帷幕。 回首我們一同走過的2006年，在模擬/混合信號IC產(chǎn)品市場中，新技術(shù)/產(chǎn)品數(shù)不勝數(shù)。此次報名參加評選的20余家廠商的60余款產(chǎn)品（參選產(chǎn)品網(wǎng)址：http://yuyingmama.com.cn/ic2006/index.htm），涵蓋了電源與電源管理、接口IC、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器、放大器等領(lǐng)域。本刊編委會和編輯部會同業(yè)內(nèi)技術(shù)專家，通過認(rèn)真細致地甄選、討論，結(jié)合廣大網(wǎng)友的投票，關(guān)注到了國內(nèi)領(lǐng)先的I
- 關(guān)鍵字： IC 混合 模擬
模擬IC從不缺少增長的動力
- 模擬IC市場發(fā)展最顯著的特征就是隨著整個半導(dǎo)體市場同步發(fā)展，并沒有因為數(shù)字時代到來而停滯不前，近10年來模擬IC一直保持著10.5%的年均增長。而據(jù)市場調(diào)研公司DataBeans日前發(fā)表的一份報告，繼2005年表現(xiàn)相對平平之后，預(yù)計2006年模擬芯片市場將達到新的高度，銷售額將達379億美元，之后5年的年平均增長率有望保持在11%左右（表1）。同樣樂觀的預(yù)測也來自美國半導(dǎo)體協(xié)會(SIA)和WSTS，到2006年，全球的模擬器件市場將為350億美元，一舉超過數(shù)字IC市場。 其中，高性能模擬IC占據(jù)了相當(dāng)大的
- 關(guān)鍵字： IC 電源技術(shù) 模擬技術(shù)
Quellan推出突破性的超級數(shù)據(jù)中心連接設(shè)備
- 噪音消除集成電路 (IC) 的領(lǐng)導(dǎo)者 Quellan Incorporated 攜手 Leoni 于今日宣布推出用于當(dāng)今超級數(shù)據(jù)中心 (mega data center) 的全球最小規(guī)格的 Active Cable（智能電纜）。在非智能電纜 (passive cable) 的每一端植入 Quellan
- 關(guān)鍵字： IC Incorporated Quellan 其他IC 制程
IR推出新型具備PFC功能的全集成保護式高壓IC
- IR推出IRS2168D全集成保護式高壓IC (HVIC)。新器件具備動態(tài)功率因數(shù)校正功能 (Power Factor Correction，簡稱PFC)，適用于先進線性熒光燈鎮(zhèn)流器。 新IC將PFC、鎮(zhèn)流器控制和半橋驅(qū)動器集成在緊湊的16引腳的SO封裝中，具備范圍廣闊的輸入電壓PFC，以簡化復(fù)雜的多燈電路，同時為多燈鎮(zhèn)流器的電流檢測引腳提供了故障計數(shù)器，可以為PFC邊提供周期性保護，以確保其高可靠性。 IR 亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“I
- 關(guān)鍵字： IC IR PFC 單片機 電源技術(shù) 高壓 模擬技術(shù) 嵌入式系統(tǒng) 全集成保護式
行業(yè)專家分析：三大支點撬動IC市場出路
- 目前我國集成電路市場規(guī)模占全球的四分之一，已經(jīng)成為世界第二大集成電路市場。但這個市場80%以上被國外企業(yè)所占據(jù)。如何以自主創(chuàng)新帶動產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從而培育參與全球競爭的能力，成為擺在業(yè)界面前的首要問題。在創(chuàng)新過程中，市場化導(dǎo)向、知識產(chǎn)權(quán)戰(zhàn)略、產(chǎn)業(yè)鏈互動正成為三個有力的支撐點。研發(fā)與市場“合拍” 近幾年國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)雖然發(fā)展迅速，但仍無法趕上市場增長的速度。從市場需求的幾大類產(chǎn)品看，國內(nèi)能夠生產(chǎn)的產(chǎn)品集中在模擬電路、
- 關(guān)鍵字： IC 電子 集成電路
DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動全球半導(dǎo)體工業(yè)進步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺?？v觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
- 關(guān)鍵字： 8英寸 DRAM IC 存儲器
飛思卡爾使EDGE RF 子系統(tǒng)尺寸減半
- 緊湊型解決方案支持 DigRF 接口，縮短了產(chǎn)品上市時間 通過擴大其支持Enhanced Data Rates for GSM Evolution (EDGE) 手機設(shè)計的RF產(chǎn)品，飛思卡爾半導(dǎo)體揭開了公司第一款RF CMOS 90 納米收發(fā)器的神秘面紗。新RFX275-30是一個收發(fā)器子系統(tǒng)，具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的低發(fā)送和接收電流、高接收器靈敏度，并且結(jié)構(gòu)非常緊湊。通過簡化編程，新
- 關(guān)鍵字： EDGE RF 尺寸減半 單片機 飛思卡爾 嵌入式系統(tǒng) 子系統(tǒng)
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