- 在中國智能手機市場，CMOS(互補金屬氧化物半導體)傳感器領域的競爭正硝煙彌漫。現在的中國，低價手機也至少配備了800萬像素的傳感器，對CMOS的需求持續(xù)上漲?？梢宰⒁獾降氖?，主要生產企業(yè)都紛紛加大當地生產能力，并專門制定對中國市場的戰(zhàn)略。
今年中國智能手機出貨量比去年增長了56%，預計會達到約3億2000萬臺，占世界總量的30%。除去中國一線城市，其他城市的主流手機仍然是從1000到2000元左右的低價手機。產品價格低，那么上面搭載的原件價格也低。
據此，CMOS傳感器預計中國需
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智能手機 CMOS 傳感器
- 摘要：LDMOS RF功率放大器因其極高的性價比在GSM和CDMA基站市場占據了主導地位。使用LDMOS放大器時，保證高性能 ...
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DS4303 LDMOS RF 功率放大器
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PCB布局 現音頻放大器 RF 噪聲抑制
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RF放大器 RF
- Analog Devices, Inc.(NASDAQ：ADI)，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，近日宣布推出面向射頻(RF)信號器件的超低噪聲LDO(低壓差)穩(wěn)壓器。ADM7150/1的工作電壓為4.5 V至16 V，最多可提供800 mA輸出電流，輸出電壓范圍為1.5至5.0 V。
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ADI RF 穩(wěn)壓器
- ROHM(羅姆)旗下的LAPIS Semiconductor憑借面向ZigBee?產品等長年開發(fā)的RF電路設計技術，開發(fā)出無線通信LSI“ML7105”，達成了收發(fā)數據時的電路電流目標。最大限度地發(fā)揮以往的技術積累，實現細致的電路電流的優(yōu)化和RF電路結構的大幅變更。
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LAPIS ROHM 無線通信 RF MCU 201311
- 2013 年 11 月5 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5?低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出的器件采用新的模擬工藝，導通電阻只有1.5?
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Vishay CMOS 導通電阻
- 新計劃的第1階段將在3個相關又有所區(qū)別的領域支持6個探索性的項目：第1個領域是細胞形態(tài)-半導體電路設計領域，將從細胞生物學獲得的經驗應用到新型芯片體系結構中，反之亦然;第2個領域是生物電子傳感器、執(zhí)行器和能源領域，專門支持半導體生物混合系統;第3個領域是分子級精確增材制造領域，將在受生物啟發(fā)的數納米級尺度上開發(fā)制造工藝。該研究計劃第1階段的研究成果將用于指導未來多代半導體合成生物技術研究。半導體研究聯盟的全球研究合作計劃將為第1階段研究投資225萬美元。-
麻省理工學院的RahulSarpe
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半導體 CMOS
- 該前置放大器采用了改良后的RGC結構作為輸入端。Cadence Virtuoso 仿真軟件的仿真結果表明：在光探測器結電容 ...
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RGC CMOS 前置放大器
- 設計了一種用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS運算放大器。主運放采用帶開關電容共模反饋的折疊式共源 ...
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增益 高速 CMOS 運算放大器
- MCS-51內部都有一個反相放大器，XTAL1、XTAL2分別為反相放大器輸入和輸出端，外接定時反饋元件以后就組成振蕩器 ...
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CMOS 單片機 時鐘電路
- 新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲抑制能力，是一款兩全其美外加實用的好產品。
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新日本 CMOS 無線網絡
- 目前，在設計中使用的主要有3種電阻器：多晶硅、MOS管以及電容電阻。在設計中，要根據需要靈活運用這3種電阻，使芯片的設計達到最優(yōu)。
1CMOS集成電路的性能及特點
1.1功耗低CMOS集成電路采用場效應管，且都是互補結構，工作時兩個串聯的場效應管總是處于一個管導通，另一個管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個門電路的功耗典型值僅為20mW，動態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時)也僅為幾mW。
1.2工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電
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CMOS 電阻
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