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	rf-cmos
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          rf-cmos 文章
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          有關混合信號的技術方案及應用文獻，包括示波器、信號調(diào)節(jié)器等
          
                                                            
            
                    	
          • 　　混合信號，一種說法是未來的系統(tǒng)將是大型的混合信號系統(tǒng)，它所占的比例將會增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片，將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯們，而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。
　　RF和混合信號設計的藝術與科學
　　設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨立的模擬和分立IC市場，是因為模擬與數(shù)字IC相結合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設計一直被認為是&l
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          • 關鍵字：
                        ASICs  CMOS                          
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          手機RF和混合信號集成設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　一直以來，蜂窩電話都使用超外差接收器和發(fā)射器。但是，隨著對包含多標準(GSM、cdma2000和W-CDMA)的多模終端的需求不斷增長，直接轉換接收器和發(fā)射器架構變得日趨流行。在過去十年中，集成電路技術取得長足發(fā)展，使得在單一芯片上集成各種不同的RF、混合信號和基帶處理功能成為可能。
　　一個典型的蜂窩收發(fā)器(見圖)包括RF前端、混合信號部分和實際的基帶處理部分。就接收器而言，通常的架構選擇包括直接轉換到直流、極低中頻(IF)和直接采樣。直接轉換到直流的方法會受直流偏移和低頻噪音干擾，而低IF可以減
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          • 關鍵字：
                        RF  混合信號                          
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          RF和混合信號設計的藝術與科學
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在過去的幾十年中，混合信號集成電路(IC)設計一直是半導體行業(yè)最令人興奮、且在技術上最具挑戰(zhàn)的設計之一。在這期間，盡管半導體行業(yè)取得了不少的進步，但是一個永恒不變的需求是保證我們所處的模擬世界能夠與可運算的數(shù)字世界實現(xiàn)無縫對接，當前無處不在的移動環(huán)境和迅速崛起的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)“再創(chuàng)新”的要求尤為如此。
　　當今全球半導體的市場份額約為3，200億美元，數(shù)字和存儲器IC約占這個市場的三分之二。摩爾定律(Moore‘s Law)和先進的CMOS處理技術驅動著這些IC
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          • 關鍵字：
                        RF  混合信號                          
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          基于電荷泵改進型CMOS模擬開關電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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          • 關鍵字：
                        CMOS  模擬開關                          
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          NRAM已準備好進軍市場？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　美國記憶體技術開發(fā)商Nantero最近宣布進行新一輪融資，并準備“浮出水面”──因為該公司認為其獨家的非揮發(fā)性隨機存取記憶體(non-volatile random access memory，NRAM;或稱Nano-RAM)，已經(jīng)準備好取代企業(yè)應用或消費性應用市場上的儲存級記憶體。
　　Nantero已經(jīng)向新、舊投資人募得3,150萬美元資金，可用以加速NRAM的研發(fā);該公司執(zhí)行長Greg Schmergel在接受EE Times 美國版編輯電話訪問時表示，NRAM是以碳奈
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          • 關鍵字：
                        NRAM，CMOS                          
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          CMOS電容式微麥克風設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　隨著智能手機的興起，對于聲音品質和輕薄短小的需求越來越受到大家的重視，近年來廣泛應用的噪聲抑制及回聲消除技術均是為了提高聲音的品質。相比于傳統(tǒng)的駐極體式麥克風(ECM)，電容式微機電麥克風采用硅半導體材料制作，這便于集成模擬放大電路及ADC(∑-ΔADC)電路，實現(xiàn)模擬或數(shù)字微機電麥克風元件，以及制造微型化元件，非常適合應用于輕薄短小的便攜式裝置。本文將針對CMOS微機電麥克風的設計與制造進行介紹，并比較純MEMS與CMOS工藝微導入麥克風的差異。
　　電容式微麥克風原理
　　
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          • 關鍵字：
                        CMOS                          
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          基于電荷泵改進型CMOS模擬開關電路
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當前VLSI技術不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關注。模擬開關導通電阻的大小直接影響開關的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關速度。要減小開關導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關的輸入和輸出，在每個開關周期其充放電過
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          • 關鍵字：
                        CMOS  模擬開關                          
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          實現(xiàn)模擬/RF設計復用？ADI實驗室電路開始大顯身手
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在電子設計中，模擬/RF設計一直是最讓設計師頭疼的部分，傳統(tǒng)上，模擬射頻器件供應商一般只提供器件的datasheet以及若干參考設計，但 是，要讓器件運轉正常，設計師需要更多實際電路的評估和測試，這方面需要時間和經(jīng)驗的積累，也是非常耗費精力財力的，有沒有什么辦法讓設計師可以加快這方 面的設計呢?或者能實現(xiàn)模擬射頻電路的復用?ADI的實驗室電路給出了一些探索。
　　“ADI的實驗室電路不同于參考設計，是更接近實際應用的 電路。”ADI電路工程師胡生富在接受電子創(chuàng)新網(wǎng)采訪時表示，
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          • 關鍵字：
                        ADI  RF                          
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          如何挑選一個高速ADC
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　高速ADC的性能特性對整個信號處理鏈路的設計影響巨大。系統(tǒng)設計師在考慮ADC對基帶影響的同時，還必須考慮對射頻(RF)和數(shù)字電路系統(tǒng)的影響。由于ADC位于模擬和數(shù)字區(qū)域之間，評價和選擇的責任常常落在系統(tǒng)設計師身上，而系統(tǒng)設計師并不都是ADC專家。
　　還有一些重要因素用戶在最初選擇高性能ADC時常常忽視。他們可能要等到最初設計樣機將要完成時才能知道所有系統(tǒng)級結果，而此時已不太可能再選擇另外的ADC。
　　影響很多無線通信系統(tǒng)的重要因素之一就是低輸入信號電平時的失真度。大多數(shù)無線傳輸?shù)竭_ADC的信號
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          • 關鍵字：
                        ADC  CMOS                          
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          10納米碳納米管CMOS器件面世
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，在北京市科委先導與優(yōu)勢材料創(chuàng)新發(fā)展專項支持下，北京大學彭練矛教授團隊在世界上首次研制出10納米碳納米管互補金屬氧化物半導體(CMOS)器件。與同尺寸硅基器件相比，該器件速度是其5倍，而功耗僅為1/5。該團隊還在世界上首次成功制備出含有100個晶體管的碳納米管集成電路。
　　下一步，該團隊將繼續(xù)優(yōu)化碳納米管CMOS器件制備工藝，建立標準的碳基CMOS器件技術加工平臺，并基于該平臺開發(fā)碳納米管CPU，最終推動碳基集成電路在下一代通用芯片和消費電子等領域的應用。
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          • 關鍵字：
                        碳納米管  CMOS                          
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          分析：傳感器的危與機
          
                                                            
            
                    	
          • 人有五官，用來辨別和感受外界環(huán)境的變化，而傳感器是電子行業(yè)的五官，什么是傳感器？傳感器關鍵廠商專利布局重點有那些？技術要項又有那些？　
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          • 關鍵字：
                        傳感器  CMOS                          
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          詳解TTL和CMOS電平
          
                                                            
            
                    	
          • 　　“TTL電平”最常用于有關電專業(yè)，如：電路、數(shù)字電路、微機原理與接口技術、單片機等課程中都有所涉及。在數(shù)字電路中只有兩種電平(高和低)高電平+5V、低電平0V.同樣運用比較廣泛的還有CMOS電平、232電平、485電平等。
　　TTL電路
　　TTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。
　　1.輸出高電平Uoh和輸出低電平Uol
　　Uoh≥2.4V，Uol&le
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          • 關鍵字：
                        TTL  CMOS                          
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          RF電路與天線的EMC研究
          
                                                            
            
                    	
          • 　　當射頻電路一切都按預先設定的方案設計完成之后，其性能不一定就會完全達標，其中會導致射頻性能不達標的一個重要因素有可能就是電磁干擾，而電磁干擾并不一定是因為射頻范疇內(nèi)電路布局、布線不合理造成，亦可能是因為其它方方面面的原因。大多數(shù)情況導致干擾出現(xiàn)都是當和其它電路，如數(shù)字電路部分、電源電路部分等組合后才產(chǎn)生的。
　　處理干擾問題是做設計工作必須的、更是射頻設計、預研工作重點之一。在此簡單談談我們對射頻方面電磁干擾的理解與認識。
　　電磁干擾(EMI)在電子系統(tǒng)與設備中無處不在，在射頻領域表現(xiàn)卻特別突出
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          • 關鍵字：
                        RF  EMC                          
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          AT89S52的機載電氣盒測試儀的設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　1 引言
　　AT89S52是一種低功耗、高性能CMOS8位微控制器，具有8K 在系統(tǒng)可編程Flash 存儲器。AT89S52使用Atmel 公司高密度非易失性存儲器技術制造，與工業(yè)80C51 產(chǎn)品指令和引腳完全兼容。片上flash允許程序存儲器在系統(tǒng)可編程，亦適于常規(guī)編程器。在單芯片上，AT89S52擁有靈巧的8 位CPU 和在系統(tǒng)可編程Flash，使得AT89S52為眾多嵌入式控制應用系統(tǒng)提供高靈活、超有效的解決方案。AT89S52具有以下標準功能： 8k字節(jié)Flash，256字節(jié)RAM，32 
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          • 關鍵字：
                        AT89S52  CMOS                          
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          基于AT89C51單片機技術詳解、設計技巧、應用案例大全
          
                                                            
            
                    	
          • 　　AT89C51是一種帶4K字節(jié)FLASH存儲器(FPEROM—Flash Programmable and Erasable Read Only Memory)的低電壓、高性能CMOS 8位微處理器，俗稱單片機。本文為您介紹基于AT89C51單片機技術詳解、設計技巧、應用案例大全，僅供參考。
　　基于AT89C51的操控鍵盤的設計
　　本文以PC機通用鍵盤為例，闡述研制小型一體化專用鍵盤的方法。 采用小型一體化專用鍵盤不但可完成按鍵的功能，而且要求根據(jù)儀器外形進行一體化優(yōu)化設計，使產(chǎn)品
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          • 關鍵字：
                        CMOS  微處理器                          
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          rf-cmos介紹
          
      			
          
		      	
          
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