power-soi 文章 最新資訊
Power Integrations新推出的725 V InnoSwitch-EP IC為輔助和待機電源帶來革命性變化
- 關注高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產(chǎn)品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調(diào)整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態(tài)響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創(chuàng)新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
- 關鍵字： Power Integrations MOSFET
Power Integrations推出業(yè)界首款兼容高通公司Quick Charge 3.0技術的充電器接口IC
- 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations今日宣布推出ChiPhy™充電器接口IC產(chǎn)品系列的最新器件CHY103D，這是首款兼容Qualcomm Inc.旗下子公司Qualcomm Technologies, Inc.所開發(fā)的Quick Charge (QC) 3.0協(xié)議的離線式AC-DC充電器IC。 與Power Integrations的InnoSwitch™ AC-DC開關IC一起使用，CHY103D器件可提供支持QC 3
- 關鍵字： Power Integrations CHY103D
IBM突破7納米制程瓶頸 或左右Power處理器發(fā)展
- IBM與合作伙伴成功研制出7納米的測試芯片，延續(xù)了摩爾定律，突破了半導體產(chǎn)業(yè)的瓶頸。對于IBM而言，7納米制程技術的后續(xù)發(fā)展將會影響旗下Power系列處理器的規(guī)劃藍圖。 據(jù)The Platform網(wǎng)站報導，7納米制程芯片背后結合了許多尚未經(jīng)過量產(chǎn)測試的新技術，IBM與GlobalFoundries、三星電子(Samsung Electronics)等合作伙伴，對何時能實際以7納米制程制作處理器與其他芯片并未提出時程表。 IBM這次利用矽鍺(silicon germanium)制造一部分的電
- 關鍵字： IBM Power
Leti從FD-SOI學到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)
- 今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國CEA-Leti和比利時IMEC舉辦的年度開放日活動剛好都在六月的同一時期舉行。但這種時程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認為。Leti的一位官方代表指出，“在過去七年來我們一直是在六月的同一周舉行年度活動。對他們來說，我們的排程應該不是什么秘密。” Leti位于法國格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶 不過，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術論壇這兩大
- 關鍵字： FD-SOI 物聯(lián)網(wǎng)
格羅方德半導體推出業(yè)內(nèi)首個22nm FD-SOI工藝平臺
- 格羅方德半導體(GLOBAL FOUNDRIES)今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求。“22FDX™”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡市場提供了一個最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數(shù)無線設備需要在性能、功耗和成本之間實現(xiàn)更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內(nèi)首個22nm二維全耗盡平面晶體管技術(FD-SOI)工
- 關鍵字： 格羅方德 FD-SOI
GlobalFoundries全球首發(fā)22nm FD-SOI工藝
- GlobalFoundries今天宣布推出全新的“22FDX”工藝平臺，全球第一家實現(xiàn)22nm FD-SOI(全耗盡絕緣硅)，專為超低功耗芯片打造。 FD-SOI技術仍然采用平面型晶體管， 目前并不為業(yè)內(nèi)看好，因為無論Intel還是三星、臺積電，22n時代起就紛紛轉(zhuǎn)入了立體晶體管，也就是FinFET。GlobalFoundries技 術實力欠佳，自己搞不出足夠好的立體晶體管技術，22nm上只能繼續(xù)改進平面型，20nm上努力了一陣放棄了，14nm索性直接借用三星的。
- 關鍵字： GlobalFoundries FD-SOI
Power Integrations新推出的HiperPFSTM-3功率因數(shù)校正IC可提高電源的輕載性能
- 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日宣布推出HiperPFSTM-3系列功率因數(shù)校正IC，新器件可在整個負載范圍內(nèi)提供高功率因數(shù)及高效率。該系列IC非常適合通用輸入下連續(xù)輸出功率要求達405 W以及高壓輸入下峰值功率要求達900 W的應用，而且在10%負載點到滿載的范圍內(nèi)其效率均超過95%，空載功耗則低于60 mW。功率因數(shù)在20%負載點可輕松達到0.92以上。 高度集成的HiperPFS-3器件包含變頻CCM控制器、高壓功率MOSFET
- 關鍵字： Power Integrations HiperPFSTM-3
Power Integrations推出寬范圍CAPZero-2 IC，X電容安全放電可達6 μF
- 致力于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路行業(yè)領導者Power Integrations公司今日宣布推出其CAPZero系列創(chuàng)新的雙端子X電容放電IC的下一代器件 - CAPZero™-2 IC。CAPZero-2 IC涵蓋寬范圍的應用和輸出功率，可提高設計的靈活性。由于涵蓋0.1 µF至6 µF的寬范圍X電容，并且額定1 kV的擊穿電壓可經(jīng)受6 kV的瞬態(tài)電壓，因此CAPZero-2 IC可耐受劇烈的輸入浪涌和電壓驟升。 CAPZero-2 IC是一種智能的高壓開關
- 關鍵字： Power Integrations CAPZero
順勢而為：IBM向中國企業(yè)授權基礎技術
- 美國《紐約時報》網(wǎng)絡版撰文稱，由于中美兩國政府在網(wǎng)絡安全方面存在一些分歧，因此IBM選擇向中國部分企業(yè)授權了基礎技術，希望以此適應當下的趨勢，更好地融入中國市場。 作為中國網(wǎng)絡安全領域的頂尖專家，沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風險警告。 但在去年12月，這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化委員會的官方消息，沈昌祥的任務是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術。 過去16個月，IBM已經(jīng)同意向這家名叫華勝天成的
- 關鍵字： IBM Open Power
順勢而為：IBM向中國企業(yè)授權基礎技術
- 導語：美國《紐約時報》網(wǎng)絡版今天撰文稱，由于中美兩國政府在網(wǎng)絡安全方面存在一些分歧，因此IBM選擇向中國部分企業(yè)授權了基礎技術，希望以此適應當下的趨勢，更好地融入中國市場。 以下為文章主要內(nèi)容： 作為中國網(wǎng)絡安全領域的頂尖專家，沈昌祥對中國過度依賴美國科技的現(xiàn)狀發(fā)出了風險警告。 但在去年12月，這位74歲的前軍方工程師卻悄悄與美國科技行業(yè)的代表企業(yè)IBM展開了合作。根據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化委員會的官方消息，沈昌祥的任務是幫助一家不知名的中國公司消化和整合IBM的技術。 過去16個
- 關鍵字： IBM Open Power
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