power-soi 文章 最新資訊
格羅方德半導體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖
- 格羅方德半導體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導體工藝平臺12FDXTM，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個多節(jié)點FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領先地位。新一代12FDXTM平臺建立在其22FDXTM平臺的成功基礎之上，專為未來的移動計算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應用智能系統(tǒng)而設計。 隨著數(shù)以百萬計的互聯(lián)設備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應用也不斷要求著半導體的進一步創(chuàng)新。用于實現(xiàn)這些應用的芯片正逐漸演進為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
- 關鍵字： 格羅方德 FD-SOI
格羅方德半導體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新
- 格羅方德半導體今日宣布一項全新合作伙伴計劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設計，并縮短產(chǎn)品上市時間。 隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計劃，為希望實現(xiàn)先進節(jié)點設計的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 通過格羅方德半導體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
- 關鍵字： 格羅方德 FD-SOI
工信部副部長會見IBM副總裁 加強Power技術領域合作
- 記者從8月26日工信部獲悉，8月25日，工業(yè)和信息化部副部長懷進鵬會見美國IBM公司全球高級副總裁羅思民，就進一步加強Power技術領域合作交換意見。 懷進鵬對IBM公司與中國業(yè)界在Power芯片、服務器系統(tǒng)和軟件服務領域合作取得的積極進展表示贊賞，希望IBM公司繼續(xù)秉持開放合作的態(tài)度，深化與中國業(yè)界在技術和產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系建設方面的合作，服務經(jīng)濟社會信息化發(fā)展，實現(xiàn)雙方互利共贏。 工業(yè)和信息化部電子信息司司長刁石京、信息化和軟件服務業(yè)司司長謝少鋒、國際合作司副司長程建軍等參加會見。
- 關鍵字： IBM Power
Power Integrations任命Thomas Simonis為大功率產(chǎn)品業(yè)務副總裁
- 高壓IGBT及SiC MOSFET驅動器技術領域的領導者Power Integrations今天宣布任命Thomas Simonis為公司大功率產(chǎn)品業(yè)務副總裁，負責產(chǎn)品管理、研發(fā)和營銷。Simonis先生在高壓電機驅動器及半導體領域從業(yè)超過25年，加入Power Integrations之前，他先后在ATB、CPM和Infineon等數(shù)家知名公司擔任技術及業(yè)務管理職務，是一名業(yè)內(nèi)資深人士。Simonis先生是從退休的Wolfgang Ademmer手中接任該職的，Wolfgang Ademmer于20
- 關鍵字： Power Integrations IGBT
Power Integrations推出可控硅調光LYTSwitch-7 LED驅動器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%
- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的業(yè)界領導者Power Integrations公司今日推出適合于單級非隔離降壓式可調光LED驅動器應用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應用。在LYTSwitch-7的設計中只需采用一個簡單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調光器的要求。另外，設計中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標準電感。LYTSwitch-7的
- 關鍵字： Power Integrations LYTSwitch-7 IC
Globalfoundries正進行下一代FD-SOI制程開發(fā)
- Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術長GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 Globalfoundries聲稱其針對不同應用最佳化的22FDX平臺四種制程，能提
- 關鍵字： Globalfoundries FD-SOI
RF-SOI技術：加強5G網(wǎng)絡和智能物聯(lián)網(wǎng)應用
- 今天的智能手機和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關、可調諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術可支持移動設備調整和獲取蜂窩信號——在更廣泛的區(qū)域為無線設備提供持續(xù)強勁且清晰的網(wǎng)絡連接?！ ∫苿邮袌鰧F SOI的追捧持續(xù)升溫，因為它以高性價比實現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個雙贏的技術選擇，能夠提高智能手機和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關鍵作用?！ ?/li>
- 關鍵字： RF-SOI 5G
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中
- 中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產(chǎn)品。Flux
- 關鍵字： Power Integrations IGBT
Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅動器技術引入到1200 V應用中
- 中等電壓和高壓逆變器應用領域IGBT和MOSFET驅動器技術的領導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術引入1200 V驅動器應用的產(chǎn)品。Flux
- 關鍵字： Power Integrations IGBT
Power Integrations推出InnoSwitch-CE開關電源IC，可提高效率和待機功耗性能
- 致力于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者Power Integrations公司今日發(fā)布InnoSwitch?-CE IC，新器件是InnoSwitch系列恒壓/恒流離線反激式開關IC的子系列。InnoSwitch-CE IC適用于TEC法規(guī)相關的消費電子應用(TEC法規(guī)是由政府認定的重要總能耗法規(guī))?！ nnoSwitch IC采用了名為FluxLink?的磁感耦合技術，該技術由Power Integrations發(fā)明，可在省去不可靠的光耦器
- 關鍵字： Power Integrations InnoSwitch
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