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從實用角度聊聊 Wintel為何還是勝過蘋果一籌

大家可以試著考慮一個問題，如果從實用性角度來看，英特爾11代酷睿+Windows 11是否更勝蘋果M1+MacOS一籌呢？對于我個人以及身邊不少朋友來說確實如此。無論是在兼容性、易用性，還是在拓展性、泛用性方面，基于英特爾11代酷睿+Windows 11的電腦都更容易上手，使用起來也無需擔(dān)心兼容性問題。作為一名11代酷睿+Windows和蘋果M1+MacOS雙修的打工人，我個人對此深有感觸。而如果你正在為此事而煩惱、正在為選擇哪個陣營而糾結(jié)，那么不妨來看看這篇文章。筆者現(xiàn)在自用的筆記本電腦有兩臺，
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英特爾發(fā)布新PC芯片預(yù)期研發(fā)的超算速度將翻倍

　　10月28日消息，據(jù)外媒報道，美國當(dāng)?shù)貢r間周三，芯片巨頭英特爾發(fā)布了一款速度更快的新個人電腦（PC）處理器芯片系列，并稱其正在幫助美國政府開發(fā)的超級計算機(jī)速度將達(dá)到先前預(yù)期的兩倍。　　在輸給AMD和蘋果等競爭對手后，英特爾正在努力奪回制造速度最快計算芯片的領(lǐng)先地位。蘋果和AMD都使用外包方式來制造芯片，而英特爾始終在內(nèi)部制造模式中苦苦掙扎?！　≡谥荚谡f服軟件開發(fā)商為其芯片編寫代碼的活動上，英特爾展示了其用于PC的第12代英特爾酷睿芯片，代號為“奧爾德湖”(Alder Lake)。該公司表示，該產(chǎn)品線最
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對器件性能的影響：對先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現(xiàn)，如何利用SEMulator3D研究先進(jìn)DR
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點導(dǎo)入

三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點開始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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TrendForce：第四季PC DRAM合約價將轉(zhuǎn)跌0~5%

根據(jù)TrendForce調(diào)查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應(yīng)，本季合約價調(diào)漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現(xiàn)貨市場已提前出現(xiàn)PC DRAM需求疲弱的態(tài)勢。賣方積極調(diào)節(jié)手上庫存，持續(xù)降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔(dān)憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達(dá)高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進(jìn)而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預(yù)估PC DRAM合約價于第四
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三星將在不久后開始生產(chǎn)768GB DDR5內(nèi)存條

　　三星電子昨天公布了其2021年第二季度的收益。該公司整體表現(xiàn)良好，其內(nèi)存業(yè)務(wù)也不例外。該公司預(yù)計該部門將持續(xù)增長，尤其是針對高端服務(wù)器和高性能計算（HPC）市場的DRAM產(chǎn)品。這就是為什么三星一直在推動其用于此類用途的高密度內(nèi)存模塊，該公司最近發(fā)布了業(yè)界首個512GB DDR5 DRAM模塊，從任何角度看都是一個真正的高容量解決方案。　　但事實證明，這家韓國巨頭可能還不滿足，因為它計劃在不久的將來的某個時候更進(jìn)一步，生產(chǎn)768GB DDR5模塊，也就是使用24Gb DRAM芯片。這可以從該公司的財報電
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EUV技術(shù)開啟DRAM市場新賽程

SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競爭力很高。新的芯片將在今年下半年開始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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SK海力士開始量產(chǎn)采用EUV技術(shù)的第四代10納米級DRAM

SK海力士宣布已于7月初開始量產(chǎn)適用第四代10納米（1a）級工藝的?8Gigabit（Gb）?*LPDDR4 移動端DRAM產(chǎn)品。* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 專為移動終端開發(fā)的低功耗DRAM規(guī)格。“DDR” 為電子工程設(shè)計發(fā)展聯(lián)合協(xié)會(Joint Electron Device Engineering Council，簡稱JEDEC)規(guī)定的DRAM規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)名稱，DDR1-2-3-4為其順序進(jìn)行換代。?圖1.
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擁抱開放的英特爾讓PC行業(yè)再次越過創(chuàng)新鴻溝

2021年6月24日晚11點，微軟正式發(fā)布了Windows 11操作系統(tǒng)。相比全新的UI設(shè)計、各項新特性、新功能的加入，帶給我們更大驚喜的，是Windows 11系統(tǒng)打通了跨平臺壁壘，可以直接使用安卓應(yīng)用，這或許會改變我們使用PC和手機(jī)的方式。而Windows 11之所以能夠?qū)崿F(xiàn)對安卓應(yīng)用的支持，則要歸功于背后的英特爾Bridge技術(shù)，這項技術(shù)支持所有安裝Windows 11操作系統(tǒng)的x86設(shè)備直接使用安卓應(yīng)用。這意味著，英特爾以開放態(tài)度，將x86生態(tài)下的所有設(shè)備囊括進(jìn)來，從而徹底突破了Windo
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美光力推業(yè)界首款176層NAND與 1α DRAM 技術(shù)創(chuàng)新

近日，在一年一度的COMPUTEX 2021線上主題演講中，美光總裁兼首席執(zhí)行官 Sanjay Mehrotra代表美光發(fā)布多項產(chǎn)品創(chuàng)新，涵蓋基于其業(yè)界領(lǐng)先的 176 層 NAND 及 1α (1-alpha) DRAM 制程的內(nèi)存和存儲創(chuàng)新產(chǎn)品，并推出業(yè)界首款面向汽車應(yīng)用的通用閃存 (UFS) 3.1 解決方案。這些創(chuàng)新產(chǎn)品和創(chuàng)新技術(shù)體現(xiàn)了美光通過內(nèi)存和存儲創(chuàng)新加速數(shù)據(jù)驅(qū)動洞察的愿景，從而助力數(shù)據(jù)中心和智能邊緣的創(chuàng)新，突出了內(nèi)存和存儲在幫助企業(yè)充分發(fā)揮數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)潛能方面的核心作用。在新的數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)背后，有一
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PC業(yè)務(wù)提振，戴爾Q1營收245億美元利潤9.38億美元

　　5月28日消息，當(dāng)?shù)貢r間周四戴爾科技公布截至4月30日的2022財年第一季度財報。財報顯示，戴爾第一季度營收為244.87億美元，與去年同期的218.97億美元相比增長12%，而分析師平均預(yù)期為233億美元；凈利潤為9.38億美元，與去年同期的1.82億美元相比增長415%；不包含某些項目的每股收益為2.13美元，而分析師平均預(yù)期為1.60美元?！　〈鳡柈?dāng)季營收之所以能超出分析師預(yù)期，主要原因是消費者和企業(yè)在筆記本電腦和臺式電腦方面的開支巨大?！　〈鳡柺紫瘓?zhí)行官邁克爾·戴爾（Michael Dell）
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美光專家對1α節(jié)點DRAM的解答

2021 年1 月，美光科技宣布批量出貨基于1α(1-alpha) 節(jié)點的DRAM產(chǎn)品，是目前世界上最為先進(jìn)的DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面均有重大突破。為此，《電子產(chǎn)品世界》記者采訪了公司DRAM 制程集成副總裁Thy Tran 女士。美光DRAM制程集成副總裁Thy Tran1? ?1α節(jié)點技術(shù)1α 節(jié)點DRAM 相當(dāng)于10 nm 的第四代，其最小特征尺寸（通常是指內(nèi)存陣列激活區(qū)半間距）在(10~19) nm之間。要做到這一點，需要大幅縮小位線和字線間距——可以說是收縮
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IDC報告：PC市場今年將迎來巨幅上升預(yù)計增長超18%

3月11日消息，研究機(jī)構(gòu)IDC發(fā)布最新預(yù)測分析認(rèn)為，今年P(guān)C市場的出貨量將達(dá)到3.574億臺，增長18.2%，這一數(shù)字遠(yuǎn)高于該機(jī)構(gòu)早前發(fā)布的2020年12.9%的市場增幅。展望未來，IDC認(rèn)為，行業(yè)前景比歷史水平更為強(qiáng)勁，預(yù)計2020-2025年的復(fù)合年增長率為2.5%。IDC指出，2020年以來全球個人電腦需求達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄水平，盡管許多地區(qū)已經(jīng)在COVID-19疫情爆發(fā)后重新開始開放，但市場需求仍然強(qiáng)勁。該機(jī)構(gòu)認(rèn)為，最大的驅(qū)動因素是消費者和學(xué)生以及企業(yè)升級，理由是這些用戶需要可靠的系統(tǒng)來維持生產(chǎn)和與外界溝
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2021年DRAM與NAND增長快，美光領(lǐng)跑研發(fā)與新技術(shù)

近日，美光在業(yè)界率先推出 1α DRAM 制程技術(shù)。值此機(jī)會，該公司舉辦了線上媒體溝通會，執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana 先生介紹了對DRAM、NAND的市場預(yù)測，以及美光的研發(fā)、資本支出、產(chǎn)品布局等。執(zhí)行副總裁兼首席商務(wù)官Sumit Sadana1? ?2021年DRAM和NAND將增長19%展望2021年，全球GDP增長約5%。而根據(jù)不同分析師的預(yù)測，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)預(yù)計增長可達(dá)12%，整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將達(dá)5020億美元。其中，內(nèi)存與存儲預(yù)計增長可達(dá)19%，增度遠(yuǎn)超整
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美光科技：DRAM芯片供應(yīng)緊張將持續(xù)數(shù)年，NAND產(chǎn)能今年保持穩(wěn)定

存儲芯片大廠美光（Micron）執(zhí)行副總裁兼事業(yè)長Sumit Sadana近日接受采訪表示，2020年汽車電子和智能型手機(jī)需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年顯現(xiàn)明顯復(fù)蘇，并帶動存儲器需求增長。目前主要有兩種存儲器產(chǎn)品，一種是DRAM（動態(tài)隨機(jī)存儲器），用于緩存，另一種是NAND Flash（閃存），用于數(shù)據(jù)的存儲。在DRAM領(lǐng)域，韓國三星、海力士、美國美光三家企業(yè)把控了全球主要市場份額。NAND Flash市場則由三星、凱俠、西部數(shù)據(jù)、美光和NAND Flash瓜分。Sumit Sadana稱，預(yù)期今
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