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          nor flash 文章 最新資訊

          傳Spansion將出售日本300mm工廠

          •   據(jù)來自ISMI Symposium的消息,NOR閃存制造商Spansion將出售其300mm工廠。   Spansion高層拒絕對(duì)這座名為SP1工廠的狀態(tài)進(jìn)行評(píng)論。“SP1是Spansion Japan的資產(chǎn),目前正在對(duì)可能的重組方案進(jìn)行評(píng)估。我們繼續(xù)和Spansion Japan緊密合作,并通過我們內(nèi)部和外部的資源,對(duì)客戶的要求進(jìn)行最大程度的支持。”Spansion在一份聲明中表示。   2007年,Spansion啟用業(yè)界首座300mm NOR閃存工廠。這座耗資12億美
          • 關(guān)鍵字: 閃存  NOR  300mm  

          Adobe和高通為下一代移動(dòng)終端帶來完整的Flash Player體驗(yàn)

          •   在Adobe舉辦的全球開發(fā)商大會(huì)Adobe MAX上,Adobe系統(tǒng)公司和先進(jìn)無線技術(shù)、產(chǎn)品和服務(wù)的領(lǐng)先開發(fā)及創(chuàng)新廠商高通公司今天宣布,作為Open Screen項(xiàng)目的一部分,雙方正聯(lián)手優(yōu)化并顯著提高Adobe® Flash® Player 10.1在高通公司面向智能手機(jī)和智能本的芯片組上的運(yùn)行性能。首批支持Flash Player 10.1的消費(fèi)類終端將包括東芝等公司推出的智能手機(jī)和智能本,并基于高通公司的Snapdragon™芯片組。Flash Player的beta測(cè)
          • 關(guān)鍵字: 高通  Flash  智能手機(jī)  智能本  

          NAND Flash缺翻天 三星推品牌記憶卡與民爭(zhēng)食?

          •   2009年NAND Flash缺貨缺翻天,三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余,不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀,還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來搶食客戶飯碗,到底葫蘆里是賣什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對(duì)立場(chǎng)的大客戶創(chuàng)見,這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商,究竟整起故事的來龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感,只能說三星2009年真的是新人事、新作風(fēng),每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡!   與三星做生意的客戶都知道,2009年不論在DRAM或是N
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  Flash  

          年內(nèi)必有存儲(chǔ)廠商倒閉 Spansion進(jìn)行戰(zhàn)略調(diào)整

          •   “2009年一定會(huì)有一些閃存或者DRAM廠商倒閉,產(chǎn)業(yè)鏈進(jìn)一步整合是必然趨勢(shì),而剩下的閃存或DRAM廠商要想生存,就必需盡快尋找到自己的重生之道。”8月11日,全球最大的NOR閃存廠商Spansion(飛索)公司企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation抵京,他帶來了Spansion最新的第二季度財(cái)務(wù)狀況,以及公司為脫離破產(chǎn)保護(hù)而進(jìn)行的戰(zhàn)略調(diào)整。   Spansion是全球最大的NOR型閃存制造商,也是全球最大一家專門出品閃存的企業(yè)。   今年3月1日,Spansion公司宣布,根
          • 關(guān)鍵字: Spansion  DRAM  NOR  

          Flash M25P64驅(qū)動(dòng)開發(fā)與應(yīng)用

          • M25P64是一款8 M字節(jié)串行Flash存儲(chǔ)器。利用其諸多特性可為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)提供一種解決方案。介紹了M25P64的主要特點(diǎn),工作原理,驅(qū)動(dòng)程序的開發(fā)以及典型應(yīng)用實(shí)例。在其典型應(yīng)用實(shí)例中,基于SPI接口的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)
            系統(tǒng)能簡(jiǎn)單有效穩(wěn)定運(yùn)行。
          • 關(guān)鍵字: M25P64  Flash  驅(qū)動(dòng)開發(fā)    

          基于CCS的DSP片外Flash直接燒寫設(shè)計(jì)

          • 要可靠啟動(dòng)DSP系統(tǒng)中用戶代碼,關(guān)鍵是Flash正確可靠燒寫。提出了一種基于CCS簡(jiǎn)單、容易理解的直接燒寫方法。通過恰當(dāng)設(shè)置COFF代碼段,保存運(yùn)行地址必需的DATA,以在線編程的方式將保存的DATA燒寫到外部Flash中。采用TMS320C6711 DSP試驗(yàn)板,對(duì)Flash燒寫上電加載后,DSP能夠正確、穩(wěn)定的運(yùn)行。給出了直接燒寫方法,操作簡(jiǎn)便,容易掌握,為DSP系統(tǒng)中Flash的燒寫提供了一條有效解決途徑。
          • 關(guān)鍵字: Flash  CCS  DSP  燒寫    

          加大在華投資 恒憶正式入駐上海外高橋保稅區(qū)

          •   全球最大NOR閃存芯片供應(yīng)商之一恒憶(Numonyx)宣布,該公司已于7月12日與上海外高橋保稅區(qū)簽署廠房租賃合同,正式投資落戶上海。今天上午,恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison專程赴滬考察上海研發(fā)中心新址,并拜會(huì)了外高橋保稅區(qū)管委會(huì)主任助理、功能區(qū)域黨工委副書記、管委會(huì)副主任簡(jiǎn)大年等領(lǐng)導(dǎo)。雙方代表齊聚一堂,共同見證了這一重要?dú)v史時(shí)刻。   恒憶正式成立于2008年3月,是由英特爾(Intel)和意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)以各自的閃存部門組成的合資企業(yè),擁有技術(shù)
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  NOR  NAND  RAM  PCM  

          基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動(dòng)程序設(shè)計(jì)

          • 0 引 言
            目前,隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展,計(jì)算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展,產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計(jì)算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來說,還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個(gè)中心點(diǎn)就是存儲(chǔ)一控制,所以存儲(chǔ)器
          • 關(guān)鍵字: VxWorks  FLASH  NAND  驅(qū)動(dòng)    

          基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ)

          • 基于FPGA的高速大容量FLASH存儲(chǔ),1、引言
            數(shù)字電路應(yīng)用越來越廣泛,傳統(tǒng)通用的數(shù)字集成芯片已經(jīng)難以滿足系統(tǒng)的功能要求,隨著系統(tǒng)復(fù)雜程度的提高,所需通用集成電路的數(shù)量呈爆炸性增值,使得電路的體積膨大,可靠性難以保證 [1]。因而出現(xiàn)了現(xiàn)場(chǎng)可編
          • 關(guān)鍵字: FLASH  存儲(chǔ)  大容量  高速  FPGA  基于  

          R8C/1B單片機(jī)的Flash編程/擦除掛起功能

          •   Flash存儲(chǔ)器已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。但是在對(duì)Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過程中,如果單片機(jī)需要處理一些緊急的情況(如中斷、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)等等),就需要暫停相對(duì)比較消耗時(shí)間的Flash編程/擦寫過程,優(yōu)先處理這些緊急情況。這對(duì)Flash存儲(chǔ)器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。   瑞薩公司推出的R8C/1B單片機(jī)采用改進(jìn)的Flash存儲(chǔ)器工藝,大大縮短了編程/擦除掛起的時(shí)間,使其能夠更加及時(shí)地響應(yīng)中斷或進(jìn)行其他操作。   Flash編程/擦除掛起功能   所謂掛起功能,是
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  R8C  Flash  

          基于SoPC目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用

          • 隨著EDA(電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化)技術(shù)的發(fā)展和可編程邏輯器件性能的不斷提高,基于FPGA的可編程片上系統(tǒng)技術(shù)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)提供了一種簡(jiǎn)單、靈活、高效的途徑?;贜iosII的可編程片上系統(tǒng)(SoPC)設(shè)計(jì)中,幾乎所有的應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用Flash存儲(chǔ)器,而Flash的編程必需相應(yīng)的目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)支持。結(jié)合實(shí)際應(yīng)用詳細(xì)論述了目標(biāo)板Flash編程設(shè)計(jì)的創(chuàng)建及應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: Flash  SoPC  編程    

          FLASH存儲(chǔ)器的測(cè)試方法研究

          • 1.引言 隨著當(dāng)前移動(dòng)存儲(chǔ)技術(shù)的快速發(fā)展和移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)的高速擴(kuò)大,F(xiàn)LASH型存儲(chǔ)器的用量迅速增長。FLASH芯片由于其便攜、可靠、成本低等優(yōu)點(diǎn),在移動(dòng)產(chǎn)品中非常適用。市場(chǎng)的需求催生了一大批FLASH芯片研發(fā)、
          • 關(guān)鍵字: FLASH  存儲(chǔ)器  測(cè)試  方法研究    

          恒憶與三星合作的生意經(jīng)

          •   2009年6月24日,恒憶(Numonyx)與三星電子(Samsung Electronics Co., Ltd)宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器(Phase Change Memory,PCM)產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,兩大存儲(chǔ)器廠商的攜手再次印證了“商場(chǎng)上沒有永遠(yuǎn)的對(duì)手”。   韓國三星電子稱霸存儲(chǔ)器行業(yè)已有多時(shí),其DRAM市場(chǎng)近30%、閃存市場(chǎng)近40%的份額長期無可撼動(dòng)。而恒憶作為存儲(chǔ)器行業(yè)的新寵,其正式成立距今不過一年左右的時(shí)間。它的主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM,并利
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  PCM  DRAM  RAM  NOR  

          恒憶與三星電子共同合作開發(fā) PCM

          •   恒憶 (Numonyx) 與三星電子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布將共同開發(fā)制定相變存儲(chǔ)器 (Phase Change Memory,PCM) 產(chǎn)品的市場(chǎng)規(guī)格,此新一代存儲(chǔ)技術(shù)可滿足載有大量內(nèi)容和數(shù)據(jù)平臺(tái)的性能及功耗要求,從而幫助多功能手機(jī)及移動(dòng)應(yīng)用、嵌入式系統(tǒng)*、高級(jí)運(yùn)算裝置的制造商應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。制定針對(duì)PCM 產(chǎn)品的通用軟硬件兼容標(biāo)準(zhǔn),將有效簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程并縮短產(chǎn)品開發(fā)時(shí)間,使制造商能在短時(shí)間內(nèi)采用這兩家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存儲(chǔ)產(chǎn)品。   相較于
          • 關(guān)鍵字: Numonyx  NAND  NOR  PCM  SDRAM  
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          nor flash介紹

          NOR Flash存儲(chǔ)器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]

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