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Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)期至3000億
- Gartner現(xiàn)在預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)到3000億美元，比去年增長(zhǎng)31.5%。它之前預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體營(yíng)收的增幅只有27.1%。包括手機(jī)和筆記本電腦在內(nèi)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)將推動(dòng)半導(dǎo)體營(yíng)收的增長(zhǎng)，而電腦出貨量增長(zhǎng)速度的減慢將被平板電腦銷售的增長(zhǎng)所抵消。 Gartner表示，盡管個(gè)人電腦銷售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營(yíng)收仍將增長(zhǎng)。DRAM營(yíng)收今年將增長(zhǎng)82.5%，幾乎達(dá)到420億美元，但它可能會(huì)從明年下半年開始減慢增長(zhǎng)速度。Gartner預(yù)
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NAND Flash跌價(jià)深 上游大廠開始對(duì)模塊廠讓步
- NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動(dòng)，部分模塊廠開始回補(bǔ)一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。 近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國(guó)市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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爾必達(dá)已與Spansion開發(fā)出4G NAND閃存
- 爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。 這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來開發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動(dòng)?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項(xiàng)新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)
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分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商
- 市場(chǎng)研究公司IC Insights日前預(yù)計(jì)，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴(kuò)張計(jì)劃，三星的芯片營(yíng)收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營(yíng)收將趕超英特爾的想法簡(jiǎn)直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營(yíng)收以13.5%年復(fù)合 增長(zhǎng)率(compound annual growth rate)的速度增長(zhǎng)，而英特爾同期的年復(fù)合增長(zhǎng)率僅為3.4%?；诖嗽鲩L(zhǎng)速率，IC Insights預(yù)計(jì)，三星的芯片銷售額
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Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進(jìn)行評(píng)估，預(yù)計(jì)這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲(chǔ)密度為64Gb，為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計(jì)，一個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲(chǔ)量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲(chǔ)芯片，為達(dá)到最高效率，該芯片使用了三層存儲(chǔ)單元技術(shù)。 首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲(chǔ)設(shè)備。該芯片在每個(gè)存儲(chǔ)單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場(chǎng)上最有效率的。 英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲(chǔ)單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級(jí)的產(chǎn)品。公司計(jì)劃利
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iSuppli:閃存價(jià)格可能會(huì)跌到1美元/GB
- iSuppli今天警告稱閃存價(jià)格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因?yàn)橛糜陂W存產(chǎn)品的NAND記憶體價(jià)格今年開始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價(jià)位開始雪崩。 由于下降的價(jià)格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時(shí)間內(nèi)開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場(chǎng)被SSD擠占。 此外，快閃記憶體價(jià)格的總體下降對(duì)于各種手持設(shè)備是一個(gè)極大的利好消息，各種手機(jī)、智能本廠商將會(huì)帶來更加豐厚的利潤(rùn)空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價(jià)。
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英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。 新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息，存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計(jì)將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補(bǔ)貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。 近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
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第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(zhǎng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長(zhǎng)約9.5%。 三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠 從市場(chǎng)面觀察，由于第二季 DRAM 合
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Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級(jí)別64Gb存儲(chǔ)密度NAND閃存
- 南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級(jí)別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級(jí)為2xnm制程節(jié)點(diǎn)后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機(jī)，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長(zhǎng)。 ? Hynix Cheong-ju M11工廠 Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 20nm
U-Boot從NAND Flash啟動(dòng)的實(shí)現(xiàn)
- 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動(dòng)給應(yīng)用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動(dòng)。分析了U-Boot啟動(dòng)流程的兩個(gè)階段及實(shí)現(xiàn)從NAND Flash啟動(dòng)的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲(chǔ)特點(diǎn)，增加U-
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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財(cái)報(bào)喜憂參半
- 日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財(cái)報(bào)表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(dá)(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營(yíng)業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長(zhǎng)村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機(jī)需求帶動(dòng)，加上 NANDFlash均價(jià)跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠(yuǎn)超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測(cè) 但CEO們?nèi)允侵?jǐn)慎的樂觀
- VLSI提高IC預(yù)測(cè)，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場(chǎng)再次下跌。 同時(shí)由于經(jīng)濟(jì)大環(huán)境可能對(duì)于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對(duì)于產(chǎn)業(yè)抱謹(jǐn)慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測(cè)，2010年IC市場(chǎng)可能增長(zhǎng)30%，但是2011年僅增長(zhǎng)3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長(zhǎng)96%。 而在之前的預(yù)測(cè)中認(rèn)為2010年全球IC市場(chǎng)增長(zhǎng)28.1%，其它預(yù)測(cè)尚未改變。
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡(jiǎn)單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]
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