- 據(jù)報道，韓國檢方近日逮捕了兩名美國半導體設備供應商應用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術等機密并出售給了競爭對手海力士。
美國證券交易委員會的報告顯示，Applied已經確認此事，并透露說其中一人是前應用材料韓國(AMK)高管、現(xiàn)任應用材料副總裁，另一名則是應用材料韓國子工廠的高管。
應用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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應用材料 DRAM NAND
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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MCU NAND NOR Android
- 據(jù)日本經濟新聞報導，東芝計劃今年關閉其國內2個NAND閃存工廠之一,而把存儲芯片封裝工作全部集中于另一工廠。
即將關閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產設備以及約400名員工將被轉移到東芝三重縣四日市的工廠。
為降低生產成本，東芝會將日本本部作為其研發(fā)及測試中心，并加速將量產工作移往海外。
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東芝 NAND
- 英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個25納米NAND技術——該技術能夠增加智能手機、個人音樂與媒體播放器(PMP)等流行消費電子產品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲容量，提供更高的成本效益。
NAND閃存可用于存儲消費電子產品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內容，即使在電源關閉時也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動了該技術持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當前尺寸最小的NAND技術，也是全球最精密的半導體技術——這項技術成就將
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英特爾 25納米 NAND
- 蘋果(Apple)新產品iPad正式亮相，內建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場注入強心針!根據(jù)外資和市調機構估計，2010年iPad出貨量將介于600萬~1,000萬臺不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時也為產業(yè)開創(chuàng)新應用領域。惟近期NAND Flash報價波動相當平靜，并未反映蘋果效應，下游廠指出，大陸在農歷年前又開始嚴查走私，因此當?shù)匦枨箐J減，預計年后才會發(fā)動補貨行情。
蘋果推出的平板計算機(Tablet PC)
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Apple SSD NAND
- 由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經開始使用25nm工藝晶體管試產MLC NAND閃存芯片，并相信足以領先其他競爭對手長達一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進，每12-15個月便升級一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達到了34nm，在業(yè)內領先六個月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產的閃存芯片有49%供給In
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Intel NAND 25nm
- 2010年1月農歷春節(jié)前的補貨行情落空，DRAM價格大跌，所幸NAND Flash價格比預期強勢，存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營收受到2月農歷過年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤較高，另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來，但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。
存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單，創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本，但2010年1月立
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DRAM NAND DDR3
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學說法指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術，可大幅提升手機性能。
首爾大學表示，該團隊研發(fā)的NOR芯片，可克服過去的諸多缺點。負責人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。
一般的NOR芯片通常并不特別，不過首爾大學工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責教授表示
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Samsung NAND NOR芯片
- 英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。
兩家公司有一個生產NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應用于手機，音樂播放器和其他驅動器上。
2009年，兩家公司表示，它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術，在芯片的存儲單元上存儲三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲存一位或兩位數(shù)據(jù)。
這樣，兩家公司就能以更高的存儲性能，更低的成本生產芯片。
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英特爾 NAND 閃存芯片
- NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產品新增產能又相當有限，因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。
近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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Hynix NAND
- 全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。
2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。
和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 業(yè)內人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預付了1億美元給韓國海力士半導體公司以購買其2010年需要的內存和NAND閃存.
此外,該業(yè)內人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應商數(shù)量并且保證能通過預付款的方式獲得足夠多的芯片供應,而威剛所需要的內存此前主要來自韓國供應商.
內存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優(yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨.
另外有消息稱,海力士
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金士頓 內存 NAND
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。
縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
- 2010年存儲器產業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉進32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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存儲器 DRAM NAND
- 三星近日公布了兩款采用新制程技術的閃存產品。其中moviNAND閃存芯片產品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達64GB，封裝內部堆疊了16塊超薄設計的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。
64GB moviNAND
另外，三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時，閃存卡的最
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三星 NAND
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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