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mos—fet 文章最新資訊

車載筆記本電源的設(shè)計制作

此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
關(guān)鍵字：車載筆記本 MOS IC器件

eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉(zhuǎn)換器

隔離型磚式轉(zhuǎn)換器被廣泛應(yīng)用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備供電，這些轉(zhuǎn)換器可以提供各種標(biāo)準(zhǔn)尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
關(guān)鍵字： eGaN FET 硅功率器轉(zhuǎn)換器

正確的同步降壓FET時序設(shè)計

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階...
關(guān)鍵字：同步降壓 FET 時序設(shè)計

SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
關(guān)鍵字： SJ-MOS VDMOS

電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計小貼士德州儀器

電源設(shè)計：正確地同步降壓 FET 時序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計同步降壓 FET 時序

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
關(guān)鍵字： X-FAB XT018 MOS

德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負載開關(guān)

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負載開關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： TI TPS27081A FET

將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
關(guān)鍵字： FET 光電電位器光耦

基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

　在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進?！　C/DC平均系統(tǒng)
關(guān)鍵字：改善能量效率開關(guān) FET 優(yōu)化變換器基于

設(shè)計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)

圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合，包括電池供電存儲器電...
關(guān)鍵字：主電源備用電源 FET-OR

舞臺功放MOS管改裝介紹

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：介紹改裝 MOS 功放舞臺

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關(guān)器件

英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計的電源開關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOS

舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：電路圖方法改裝 MOS 功放舞臺

對反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進行緩沖的方法

圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
關(guān)鍵字：緩沖方法進行電壓 FET 關(guān)斷轉(zhuǎn)換器

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