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          mos—fet 文章
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          場效應晶體管的幾點使用知識
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應管就陌生一點，但是，由于場效應管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應晶體管的種類很多，根據(jù)結構不同分為結型場效應管和絕緣柵型場效應管;絕緣柵型場效應管又稱為金屬氧化物導體場效應管，或簡稱MOS場效應管.　　1、如何防止絕緣柵型場效應管擊穿　　由于絕緣柵場效應管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應出來的
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          • 關鍵字：
                        場效應晶體管  MOS                          
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          宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結果表明器件的失效率很低
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽浚瑸楣こ處熖峁┛尚刨嚰翱?nbsp;替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案。　　宜普電源轉(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
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          • 關鍵字：
                        宜普電源  FET                          
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          TI推出業(yè)界首款100V高壓側(cè)FET驅(qū)動器可驅(qū)動高電壓電池
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側(cè) FET 驅(qū)動器。該驅(qū)動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅(qū)動能量存儲系統(tǒng)，以及電機驅(qū)動型應用中常用電池里的高壓側(cè)N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
　　電感性
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          • 關鍵字：
                        TI  FET                          
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          深度分析MOS場效應管在消費類電子中的電路設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當我們還是學生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學習NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰(zhàn)的角度進行MOS場效應管的分析?！　∈紫任覀儊砜聪陆?jīng)常使用的增強型mos場效應管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應管。　　在消費類電子設計中由于對功耗要求比較嚴格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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          • 關鍵字：
                        MOS  場效應管                          
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          怎樣正確使用MOS 集成電路
          
                                                            
            
                    	
          • 　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡進行保護，雖然如此，器件內(nèi)的保護網(wǎng)絡還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴重程度靜電損害有多種形式，最嚴重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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          • 關鍵字：
                        MOS  集成電路                          
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          到底什么是fmax講解
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關。
　　這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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          • 關鍵字：
                        MOS  fmax                          
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          一種簡單的防短路保護方法
          
                                                            
            
                    	
          • 　　簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。
　　前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機控制對負載供電，滿負載時基準電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。
　　雖然MOS管導通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
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          • 關鍵字：
                        靜電損壞  MOS                          
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          低待機功耗電源方案選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。
　　2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關機模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設計管理委員會批準的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達到第一階段的要求，2013年1月6日達到第二階段要求。
　　

 
　　圖1 Eup圖標
　　我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求，
　　1、產(chǎn)品在關機或待機
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          • 關鍵字：
                        MOS  AC-DC                          
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          詳解LED PWM調(diào)光技術及設計注意點
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅(qū)動，連接每一個驅(qū)動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出?，F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應用只需要開和關的簡單功能，絕大多數(shù)都需要從0～100%去微調(diào)亮度。目前，針對亮度控制方面，主要的兩種解決方案為線性調(diào)節(jié)LED的電流(模擬調(diào)光)或在肉眼無法察覺的高頻下，讓驅(qū)動電流從0到目標電流值之間來回切換(數(shù)字調(diào)光)。利用脈沖寬度調(diào)變(PWM)來設定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光的最簡單的方法，原因是相同的技術可以用來控制大部分的開關轉(zhuǎn)換器。
　　PWM調(diào)光能調(diào)配準確色光
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          • 關鍵字：
                        PWM  FET                          
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          怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術簡單、成本低廉得到了廣泛的應用。然而在實際應用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。
　　【問題分析】
　　

 
　　上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進行續(xù)流，導致VS端產(chǎn)生負壓，且負壓的大小與寄生電感與成正比關系。該負壓會把驅(qū)動的電位拉到負電位，導致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
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          • 關鍵字：
                        MOS  SCR                          
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          場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 一、場效應管的工作原理- -概念
　　場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。

二、
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          • 關鍵字：
                        場效應管  MOS  JFET  場效應管工作原理                          
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          高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。
　　在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。
　　在CMOS電路設
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          • 關鍵字：
                        MOS  諧波混頻器                          
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          你造嗎？	四大MOSFET實用技巧
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。
　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。
　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。
　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
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                        MOSFET  MOS                          
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          分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽世界。其實，東芝的分立器件也在市場上占有重要位置。
　　
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          • 關鍵字：
                        東芝  LED  晶圓  MOS  分立器  201411                          
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          CMOS電路ESD保護結構設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　1　引　言
　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設計者主要考慮的問題。
　　2　ESD保護原理
　　ESD保護電路的設計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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                        CMOS  ESD  MOS                          
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