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          X7R多層陶瓷片式電容（貼片電容，MLCC）選用指南
          
                                                            
            
                    	
          • X7R貼片電容簡述
　　X7R貼片電容屬于EIA規(guī)定的Class 2類材料的電容。它的容量相對穩(wěn)定。
X7R貼片電容特性
　　具有較高的電容量穩(wěn)定性，在-55℃～125℃工作溫度范圍內(nèi)，溫度特性為
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        X7R  陶瓷電容  貼片電容  MLCC  選用  電容器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          Y5Vt貼片電容(多層陶瓷片式電容,,MLCC)選用指南
          
                                                            
            
                    	
          • Y5V多層陶瓷片式電容簡述
　　Y5V貼片電容屬于EIA規(guī)定的Class 2類材料的電容。它的電容量受溫度、電壓、時間變化影響大。
Y5V貼片電容特性
　　具有較差的電容量穩(wěn)定性，在-25℃～85℃工作溫度范圍內(nèi)，溫度特性為+30%，-80%。
　　層疊獨石結(jié)構(gòu)，具有高可靠性。
　　優(yōu)良的焊接性和和耐焊性，適用于回流爐和波峰焊。
　　應(yīng)用于溫度變化小的退耦、隔直等電路中。
Y5V貼片電容容量范圍
厚度與符號對應(yīng)表 




符號
A
C
E
G
J
K
M
N

            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        貼片電容  MLCC  選用  多層陶瓷片式電容  電容器                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
                                
          
                    
          COG(NPO)貼片電容（多層陶瓷片式電容,MLCC）選型指南
          
                                                            
            
                    	
          • COG(NPO)貼片電容簡述
　　COG(NPO)貼片電容屬于Class 1溫度補(bǔ)償型電容。它的容量穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓、時間的變化而變化。尤其適用于高頻電子電路。
COG(NPO)貼片電容特性
　　具有最高的電容量穩(wěn)定性，在-55℃～125℃工作溫度范圍內(nèi),溫度特性為：0
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        貼片電容  多層陶瓷片式電容  MLCC  選型  電容器                          
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		      			      			      	　目前廣泛應(yīng)用在便攜產(chǎn)品中,主要可分為兩大類：BME化的C0G產(chǎn)品和LOW ESR選材的X7R(X5R)產(chǎn)品。
C0G類MLCC的容量多在1000pF以下，該類電容器低功耗涉及的主要性能指標(biāo)是損耗角正切值tgδ(DF)。傳統(tǒng)的貴金屬電極(NME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍是(2.0～8.0)×10-4，而技術(shù)創(chuàng)新型賤金屬電極(BME)的C0G產(chǎn)品DF值范圍為(1.0～2.5)×10-4，約是前者的(		      	[ 查看詳細(xì) ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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