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          meso-synchronous 文章 最新資訊

          CMOS快被取代?英特爾將采用MESO降低10倍功耗

          •   目前,現(xiàn)有的CMOS半導體工藝正在逐步逼近物理極限,因而提高性能、降低功耗都并非易事。未來十年的計算時代中,CMOS工藝很有可能被新技術取代?! 〗?,英特爾聯(lián)合加州大學伯克利分校的研究人員開發(fā)了一種新的MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件,這種常溫量子材質(zhì)制造的設備可以將芯片工作電壓從3V減少到500mv,減少5倍,能耗降低10-30倍,而且運行速度也是CMOS工藝的5倍。  這項技術是英特爾、加州大學伯克利分校合作的,論文已經(jīng)發(fā)表在《自然》雜志上,它所用的MESO是一種鉍,鐵和氧(BiFeO3)組成的
          • 關鍵字: CMOS,MESO  

          關于數(shù)Gpbs高速存儲器接口設計的分析

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