intel foundry 文章 最新資訊
傳Intel 25nm閃存固態(tài)硬盤延期至明年2月
- Intel與美光合資公司出品的25nm工藝NAND閃存在今年5月就已經(jīng)實現(xiàn)了量產(chǎn)。原本我們認為,Intel計劃中在今年四季度推出采用該閃存的第三代固態(tài)硬盤產(chǎn)品已經(jīng)足夠穩(wěn)健了。但根據(jù)歐洲媒體近日得到的消息,Intel近期又修改計劃,將該系列固態(tài)硬盤的發(fā)布時間推遲到了明年2月。根據(jù)之前泄露的路線圖,Intel 計劃在今年四季度推出代號Postville Refresh的第三代X25-M以及X25-V。憑借25nm工藝MLC NAND閃存的優(yōu)勢,實現(xiàn)容量翻倍,性能提升,更重要的是價格大幅下降。而到了明年一季
- 關鍵字: Intel 固態(tài)硬盤 25nm
iSuppli公布第二季全球微處理器市場份額
- iSuppli今天發(fā)表報告稱,2010年第二季度的全球微處理器產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)了高速增長,但是Intel、AMD這對老冤家基本維持了各自的市場份額。 上季度全球微處理器市場總收入同比大幅增長了34%,PC出貨量也同比增長了22.8%,而去年同期還是下滑4.3%。顯然,PC產(chǎn)業(yè)已經(jīng)從經(jīng)濟危機的低迷中走出,正在步入快車道。 按照收入計算,Intel目前的市場份額為80.4%,相比去年同期80.7%的高峰點下滑了0.3個百分點,相比此前一季度則增加了0.1個百分點。 AMD的份額則是11.52%,
- 關鍵字: Intel 球微處理器 RISC
張紅——回家的感覺真好
- 每一天都釋放創(chuàng)意 千禧年之際,結束博士后工作的張紅以研究員的身份進入到英特爾這個在當時看似“神秘”的企業(yè),從事人機交互技術研究工作。但僅僅一年半之后,由于美國911和互聯(lián)網(wǎng)泡沫的影響,公司的業(yè)務進行了大幅度的調(diào)整,研究中心的業(yè)務和人員也進行了重大調(diào)整。張紅與其他一些同事離開了公司:“在一個產(chǎn)業(yè)變遷非常頻繁的環(huán)境下,這是很正常的現(xiàn)象。”她說。 此后,張紅到另外一家外企工作,繼續(xù)她的研究員職業(yè)生涯。在那里,公司的領導和同事們都很親切,公司的文化講
- 關鍵字: Intel 交互技術
英特爾英飛凌交易具十大意義:對網(wǎng)民影響最大
- CNET科技資訊網(wǎng) 8月31日特邀評論(文/劉克麗):贊!今天我收到一篇來自英特爾(中國)公司新聞稿,內(nèi)容是英特爾以14億美元收購了德國英飛凌公司的無線解決方案部,從此英特爾公司除了己有的wi—fi、wiMAX之后,又有了2G、3G技術產(chǎn)品。半個小時后,我作為ZDNET《絕對熱點》的嘉賓,專門加急錄制了專題,要點如下: 1、無線互聯(lián)的市場近年高于傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)市場,發(fā)展下去,無線可以淹沒傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)市場,傳統(tǒng)互聯(lián)網(wǎng)終端的CPU芯片、整機相關外設、外圍硬、軟件設備廠商,他們之前都很尷尬;
- 關鍵字: intel 無線
三星醞釀“搶班奪權” 2014有望超越Intel成最大半導體廠商
- 據(jù)IC Insight和McClean Report等市調(diào)公司發(fā)布的最近市調(diào)報告顯示,三星公司最近的半導體業(yè)務營收增長勢頭十分旺盛,如果他們的營收增長勢頭能夠一直按現(xiàn)在這樣的步調(diào)增長下去,那么到2014年三星將超越Intel,成為半導體業(yè)界最大的廠商。 從1999-2009年,三星公司半導體業(yè)務營收方面的年復合增長率CAGR達到了13.5%。而相比之下Intel公司同期的年復合增長率則只有3.4%。因此假如三星能夠維持現(xiàn)在的增長勢頭,那么他們的半導體產(chǎn)品銷售額將在2014年超越Intel。
- 關鍵字: Intel 半導體
Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片
- Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品,目前他們已經(jīng)將有關的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估,預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb,為三位元型閃存。 這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制,芯片采用了3位元(TLC)型設計,一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù),比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
- 關鍵字: Intel 25nm NAND
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