據(jù)外媒報道，比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱已研發(fā)全球首款CMOS 140GHz片上雷達，該產(chǎn)品配有一體式天線，采用標準型28nm技術，該機構正在尋找伙伴方。該產(chǎn)品的應用領域包括：打造安全的駕駛員遠程監(jiān)控模塊、測試患者的呼吸及心率、人機交互用手勢識別?！ ∽鳛閭鞲衅鞫裕摽钇侠走_前景極好，采用非接觸式、非侵入式交互，適用于人物探查及分類、重要信號監(jiān)控及手勢界面等物聯(lián)網(wǎng)應用?！ ≈挥袑崿F(xiàn)高清分辨率、體積微型化、節(jié)能性高、易于生產(chǎn)及購買等條件后，該款雷達才能得到廣泛應用，這就是IMEC研發(fā)140G
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IMEC，片上雷達
根據(jù)比利時研究機構Imec指出，設計人員可以選擇采用2D非等向性(顆粒狀速度更快)材料(如黑磷單層)，讓摩爾定律(Moore‘s Law)擴展到超越5納米(nm)節(jié)點。Imec研究人員在Semicon West期間舉辦的年度Imec技術論壇(Imec Technology Forum)發(fā)表其最新研究成果。
Imec展示的研究計劃專注于實現(xiàn)高性能邏輯應用的場效電晶體(FET)，作為其Core CMOS計劃的一部份。Imec及其合作伙伴分別在材料、元件與電路層級實現(xiàn)協(xié)同最佳化，證實了在傳
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Imec 5nm
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域，人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網(wǎng)實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
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EEG SiC 生物電信號采集 IMEC
本文介紹采用IMEC的SiC技術，它的開發(fā)重點是進一步縮小集成后的EEG系統(tǒng)體積以及將低功耗處理技術、無線通信技術和能量提取技術整合起來，在已有系統(tǒng)上增加一個帶太陽能電池和能量存儲電路的額.
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信號采集 電信號 生物電信號 IMEC
隨著半導體發(fā)展腳步接近未來的14埃米，工程師們可能得開始在相同的芯片上混合FinFET和奈米線或穿隧FET或自旋波電晶體，他們還必須嘗試更多類型的存儲器;另一方面，14埃米節(jié)點也暗示著原子極限不遠了…
在今年的Imec技術論壇(ITF2017)上，Imec半導體技術與系統(tǒng)執(zhí)行副總裁An Steegen展示最新的半導體開發(fā)藍圖，預計在2025年后將出現(xiàn)新制程節(jié)點——14埃米(14A;14-angstrom)。這一制程相當于從2025年的2nm再微縮0.7倍;此
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Imec 埃米
比利時微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關鍵技術在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。
比利時微電子研究中心與全球許多半導體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進制程和創(chuàng)
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7納米 IMEC
歐洲主要的納米電子研究中心imec以及數(shù)字研究與育成中心iMinds即將合并，共同為數(shù)字經(jīng)濟打造一座世界級的高科技研究中心。
這項合作行動預計將于2016年底完成，屆時將可進一步強化比利時西部Flanders作為高科技中心的影響力以及成為更專注于打造永續(xù)發(fā)展數(shù)字未來的地區(qū)。
iMinds將整合于imec旗下新設的業(yè)務單位，融合來自全球超過2,500名imec研究人員的技術與系統(tǒng)專業(yè)，以及近50個國家約1,000名iMinds研究人員的先進數(shù)字能力，成為一個全新的研究中心。
在加入iM
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imec iMinds
比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。
目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。
此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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Imec III-V
SEMICON Taiwan 2015期間，除了設備、材料、晶圓代工與封測業(yè)者們齊聚一堂外，今年也很罕見地看到第三方中立機構來臺發(fā)聲，通常這類機構集結(jié)了全球各地產(chǎn)學研的研發(fā)人 才，扮演先進技術的開發(fā)與研究的重要角色。其中位于比利時魯汶的IMEC(愛美科)便是一例。
全球半導體產(chǎn)業(yè)在兩三年前，就已經(jīng)有了18寸晶圓廠的呼聲，雖然18寸晶圓廠需要龐大的資金與技術投入，甚至必須要采取結(jié)盟策略，以分擔高額開發(fā)成本所帶來的沉重負擔，在當時，市場不斷討論18寸晶圓廠導入的可能性。
但 時至今日，這個題議
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IMEC 7納米
華為與納米研究中心——比利時的微電子研究中心(IMEC，Interuniversity Microelectronics Centre)聯(lián)合宣布，聚焦于光學數(shù)據(jù)鏈路技術，其戰(zhàn)略合作伙伴關系再進一步。
這一對于硅基光學互連的聯(lián)合研究有望帶來諸多益處，包括高速、低功耗和成本節(jié)省。
通過為創(chuàng)造用于數(shù)據(jù)傳輸和通訊的高集成度、低功耗的光收發(fā)器，硅光子學是有望徹底改變光通信的關鍵技術。
華為現(xiàn)已加入了IMEC聚焦于在系統(tǒng)層面優(yōu)化帶寬密度、功耗、熱穩(wěn)定性和成本的研究項目。華
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華為 IMEC 硅光子
松下與比利時微電子研究中心(IMEC)共同開發(fā)出了1小時即可完成檢測的全自動小型基因檢測芯片。該芯片可利用...
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IMEC 自動基因檢測
比利時微電子研究中心(IMEC)正全速開發(fā)下世代10奈米制程技術。為協(xié)助半導體產(chǎn)業(yè)跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術門檻，IMEC已啟動新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術實現(xiàn)更細致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問世。
IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術外，IMEC亦全力推動18寸晶圓的發(fā)展，目前已有相關設備進入驗證階段。
I
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IMEC 10nm
雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽能等領域濕沉積技術的領先供應商Alchimer，宣布與歐洲研究機構IMEC攜手進行一項合作研發(fā)計劃，為先進的奈米互連技術評估和實施銅(Cu) 填充解決方案。該計劃的重點將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產(chǎn)品系列，其已證明可在 7nm 節(jié)點裝置上實現(xiàn)無空隙填充，并允許在阻擋層上直接進行銅填充，且鑲嵌制程無需晶種層。由于 CMOS規(guī)模增加，使制程更加精細，因此市場要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm)，采
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IMEC 22nm
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術向前發(fā)展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。
明天的智慧系統(tǒng)將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。
在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續(xù)推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
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IMEC CMOS 10nm
在本周舉辦的國際固態(tài)電路研討會(ISSCC2012)上，imec和瑞薩電子株式會社(TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”)推出了創(chuàng)新型SAR-ADC(逐次比較性模數(shù)轉(zhuǎn)換器)，大幅提升了能效和速度，面向符合新一代高帶寬標準要求的無線接收器，例如LTE-advanced和新興的Wi-Fi(IEEE802.11ac)。
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瑞薩 imec ADC
imec介紹
IMEC,全稱為Interuniversity Microelectronics Centre, 微電子研究中心.
IMEC成立于1984年，目前是歐洲領先的獨立研究中心，研究方向主要集中在微電子，納米技術，輔助設計方法，以及信息通訊系統(tǒng)技術（ICT）. IMEC 致力于集成信息通訊系統(tǒng)設計；硅加工工藝；硅制程技術和元件整合；納米技術，微系統(tǒng)，元件及封裝；太陽能電池；以及微電子領域的高級培訓 [
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