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無(wú)線充電準(zhǔn)備啟程

對(duì)于消費(fèi)類市場(chǎng)，磁感應(yīng)(Magnetic Induction，簡(jiǎn)稱 MI)或磁共振(Magnetic Resonant，簡(jiǎn)稱 MR)都是備選方案。無(wú)論消費(fèi)市場(chǎng)朝哪個(gè)方向發(fā)展，一個(gè)已知的事實(shí)是，無(wú)線充電必將得到采用。在手機(jī)提供商的主要推動(dòng)下，無(wú)線充電將開始向手機(jī)生態(tài)系統(tǒng)市場(chǎng)滲透。
關(guān)鍵字： IDT 磁感應(yīng) 無(wú)線充電

PMC完成對(duì)IDT閃存控制器業(yè)務(wù)的收購(gòu)

引領(lǐng)大數(shù)據(jù)連接、傳送以及存儲(chǔ)，提供創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案的PMC?公司(納斯達(dá)克代碼：PMCS)日前宣布已經(jīng)完成對(duì)IDT?公司(納斯達(dá)克代碼：IDT)企業(yè)級(jí)閃存控制器事業(yè)部的收購(gòu)，其中包括購(gòu)入全球首款符合標(biāo)準(zhǔn)的NVMe閃存控制器。PMC公司憑借此次收購(gòu)在迅速增長(zhǎng)的企業(yè)級(jí)SSD市場(chǎng)中成為領(lǐng)導(dǎo)者。
關(guān)鍵字： PMC IDT 閃存控制器 SSD

PMC并購(gòu)IDT公司贏取市場(chǎng)先機(jī)確立閃存領(lǐng)導(dǎo)地位

大數(shù)據(jù)時(shí)代下能夠減少延遲、增加帶寬和降低存儲(chǔ)成本的技術(shù)將受到格外的重視，其中最為重要的就是閃存技術(shù)的出現(xiàn)和普及。而基于閃存技術(shù)的SSD相較硬盤，可將I/O性能提升近2000倍，同時(shí)降低延遲至百分之一以下，并大幅提升帶寬。
關(guān)鍵字： PMC 閃存 IDT 控制器

IDT推出創(chuàng)新的電源管理解決方案

IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc)日前宣布，開發(fā)并驗(yàn)證了一款智能的、可擴(kuò)展的和分布式電源管理解決方案，應(yīng)用于英特爾? 凌動(dòng)? 處理器、英特爾? 至強(qiáng)? 處理器和英特爾? 酷睿?處理器。IDT 創(chuàng)新的電源管理解決方用單顆電源管理IC(PMIC)滿足各種基于英特爾處理器應(yīng)用的跨平臺(tái)電源要求。IDT 的專有解決方案已通過(guò)系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證，可支持上述處理器系列。　
關(guān)鍵字： IDT 英特爾 IDTP9145 處理器

磁感應(yīng)或磁共振，哪個(gè)更適合于無(wú)線充電？

摘要：磁感應(yīng)與磁共振是目前最主要的兩種無(wú)線充電技術(shù)，本文分析各種技術(shù)的優(yōu)缺點(diǎn)。
關(guān)鍵字： IDT 磁感應(yīng) 磁共振 201306

IDT推出首款兼容WPC和PMA標(biāo)準(zhǔn)的雙模無(wú)線電源接收器IC

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前宣布，推出業(yè)界首款雙模無(wú)線電源接收器IC，同時(shí)兼容無(wú)線充電聯(lián)盟 (Wireless Power Consortium，WPC) 和PMA聯(lián)盟 (Power Matters Alliance，PMA) 標(biāo)準(zhǔn)。
關(guān)鍵字： IDT 無(wú)線電源 IDTP9021 接收器

IDT推出業(yè)界最低抖動(dòng)MEMS振蕩器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款差異化MEMS振蕩器，具有100飛秒(fs)典型相位抖動(dòng)性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。
關(guān)鍵字： IDT 振蕩器 MEMS

IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出，從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲(chǔ)、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
關(guān)鍵字： IDT MEMS振蕩器 CMOS

IDT推出業(yè)界首款低功率雙通道16位DAC

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前發(fā)布業(yè)界首款低功率雙通道 16 位、具備 JESD204B 的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)，該器件適用于多載波寬帶無(wú)線應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IDT DAC JESD204B

IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內(nèi)存緩沖芯片

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。
關(guān)鍵字： IDT DDR3 LRDIMM

IDT公司推出業(yè)界首款低功率內(nèi)存緩沖芯片

　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運(yùn)行。通過(guò)提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率，并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量，新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用
關(guān)鍵字： IDT DDR3 模擬芯片

IDT一款新的推出數(shù)字步進(jìn)衰減器

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前發(fā)布一款新的數(shù)字步進(jìn)衰減器(DSA)，在多種標(biāo)準(zhǔn)的 4G、3G 和 2G 蜂窩基站以及工業(yè)應(yīng)用中，該產(chǎn)品在最高有效位(MSB)轉(zhuǎn)換時(shí)，可將瞬態(tài)毛刺降低多達(dá)95%。
關(guān)鍵字： IDT DSA

運(yùn)算放大器(OP-AMP)振蕩器電路圖解析

這是運(yùn)算放大器(OP - AMP)振蕩器電路。該電路一定的優(yōu)勢(shì)，他們是這個(gè)電路可以是在低操作頻率與相對(duì)較小的電容，隨著緩沖輸出一個(gè)完全的對(duì)稱輸出波形和它會(huì)總是自啟動(dòng)，并可以不掛起來(lái)，因?yàn)槟抢锸巧貲C積極比負(fù)反饋的
關(guān)鍵字： OP-AMP 運(yùn)算放大器圖解振蕩器電路

RapidIO的應(yīng)用與未來(lái)

　　在嵌入式設(shè)計(jì)中，RapidIO是一個(gè)重要的、并得到廣泛應(yīng)用的接口標(biāo)準(zhǔn)。帶著對(duì)RapidIO的技術(shù)本身及其未來(lái)前景的疑問(wèn)，筆者借RTA年會(huì)的機(jī)會(huì)專訪了據(jù)RapidIO行業(yè)協(xié)會(huì)創(chuàng)始人兼執(zhí)行董事Sam Fuller先生。 RapidIO行業(yè)協(xié)會(huì)創(chuàng)始人兼執(zhí)行董事Sam Fuller先生　　RapidIO行業(yè)協(xié)會(huì)誕生于2000年，其主要目標(biāo)是為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)可靠的、高性能、基于包交換的互連技術(shù)，2001年正式發(fā)表了第一代RapidIO基本規(guī)范，到現(xiàn)在已發(fā)布RapidIO 2.2正式規(guī)范，第三的規(guī)范
關(guān)鍵字： RapidIO IDT PCIe

高通公司選擇IDT開發(fā)集成接收器芯片

擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)和美國(guó)高通公司(Qualcomm Incorporated, NASDAQ: QCOM)宣布，兩家公司已經(jīng)展開合作，促成IDT在高通WiPower?技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)用于消費(fèi)電子設(shè)備的一款集成電路(IC)。
關(guān)鍵字： IDT 高通 WiPower