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EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據(jù)了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達(dá)13.5納米，約是248波長的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 EUV 電子束 消費(fèi)電子
凌華推出High Speed Link延伸模塊
- 凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產(chǎn)品可以為HSL用戶提供最長可達(dá)2400公尺的長距離使用及多點(diǎn)連接(multi-drop)接線架構(gòu)，搭配高達(dá)十余種I/O及運(yùn)動控制模塊的組合，提供客戶實(shí)時(shí)控制的完整解決方案。 凌華的High Speed Link（HSL）技術(shù)是串列式遠(yuǎn)程I/O實(shí)時(shí)控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術(shù)，針對接線的
- 關(guān)鍵字： High Link Speed 工業(yè)控制 凌華 汽車電子 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線 延伸 模塊 工業(yè)控制
瑞昱推出High Definition 音訊轉(zhuǎn)換芯片
- 音訊內(nèi)容保護(hù) (Content Protection) 技術(shù)與透過傳統(tǒng)電話的Skype應(yīng)用功能加速音訊轉(zhuǎn)換芯片在數(shù)字家庭的應(yīng)用 瑞昱半導(dǎo)體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準(zhǔn)音訊轉(zhuǎn)換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內(nèi)建內(nèi)容保護(hù)與防拷&nbs
- 關(guān)鍵字： High Definition 音訊轉(zhuǎn)換 瑞昱 通訊與網(wǎng)絡(luò) 芯片
尼康NA超過1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用
- 尼康日前正式宣布，2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠商供應(yīng)用于55nm工藝（hp55）芯片制造、開口數(shù)（NA）為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過1的液浸ArF曝光設(shè)備。 這家大型半導(dǎo)體廠商的名字，尼康沒有公布，估計(jì)是過去在技術(shù)方面與之開展合作的東芝。 作為全折射型液浸曝光設(shè)備，NSR-S609B具有全球最大的NA，配合偏光照明技術(shù)，能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問題，據(jù)稱利用名為“Local-fill（局部
- 關(guān)鍵字： NA 尼康 嵌入式系統(tǒng)
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