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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？

英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來(lái)兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
關(guān)鍵字：英特爾 High-NA EUV 臺(tái)積電

一：項(xiàng)目背景：家電客戶(hù)使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導(dǎo)測(cè)試中，低頻段超標(biāo)需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動(dòng)特性解決問(wèn)題。二：頻率抖動(dòng)基本原理開(kāi)關(guān)電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開(kāi)關(guān)電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測(cè)試結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)，開(kāi)關(guān)電源在開(kāi)關(guān)時(shí)刻通常容易超過(guò)EMI 限值，而在其它頻率點(diǎn)上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開(kāi)發(fā)新的EMC 技術(shù)院如何通過(guò)各種方式降低開(kāi)關(guān)時(shí)刻的EM
關(guān)鍵字： ST Low EMI jitter frequency Viper17 豆?jié){機(jī)

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
關(guān)鍵字： SK海力士 High-k Metal Gate

本項(xiàng)目主要的內(nèi)容是：設(shè)計(jì)制作一臺(tái)能工作在HF及VHF波段的數(shù)字調(diào)制發(fā)射機(jī),能提供AM, FM,DSB,SSB等語(yǔ)音通信調(diào)制模式,及ASK,FSK,PSK等數(shù)據(jù)通信調(diào)制模式.
關(guān)鍵字： HF/VHF 數(shù)字調(diào)制多功能發(fā)射機(jī) V2pro DAC

早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加對(duì)入射光的吸收，但該方法均需先單獨(dú)采用熱氧化方法生長(zhǎng)一層10～20umSiO2使硅片表面非晶化、且對(duì)多晶效果不理想。SixNy膜層不僅減緩漿料中玻璃體對(duì)
關(guān)鍵字：晶體硅絲網(wǎng)印刷 HF-PECVD

為了更加快速、便捷、廉價(jià)地實(shí)現(xiàn)家電物聯(lián)網(wǎng)，本文介紹了一款基于嵌入式微處理器，采用Wi-Fi模塊，配合機(jī)智云服務(wù)平臺(tái)，可以接入互聯(lián)網(wǎng)并對(duì)家電設(shè)備進(jìn)行遠(yuǎn)程控制的家電物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)通過(guò)Wi-Fi模塊來(lái)接收由智能手機(jī)上家電控制軟件APP下發(fā)的控制命令，經(jīng)過(guò)數(shù)據(jù)處理，通過(guò)局域網(wǎng)或者遠(yuǎn)程方式來(lái)對(duì)家電進(jìn)行控制。經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)測(cè)試，該系統(tǒng)達(dá)到性能穩(wěn)定、簡(jiǎn)便、高性?xún)r(jià)比等預(yù)期。
關(guān)鍵字： STM8S003 HF-LPB100 Wi-Fi模塊機(jī)智云 APP 201610

　　2014年電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議將持續(xù)召開(kāi)整整三天，展覽面積進(jìn)一步擴(kuò)大，來(lái)自全球的高端企業(yè)積極踴躍地成為其贊助商?！　∮捎贓DICON?2013第一屆的成功召開(kāi)，以及在觀眾、演講人和參展商的熱情感召下，2014電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI?CON2014)于4月8日到10日在北京國(guó)際會(huì)議中心(BICC)盛大開(kāi)幕，這是一個(gè)由行業(yè)從業(yè)人員推動(dòng)的面向中國(guó)本土行業(yè)人士的國(guó)際性行業(yè)大會(huì)，本屆會(huì)議展覽面積進(jìn)一步擴(kuò)大、主題會(huì)議更加專(zhuān)業(yè)?！　∪缤暌粯?，EDI?CON2014聚集了主題演講者、學(xué)術(shù)
關(guān)鍵字： HF/HS EDICON 5G RFID

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸ǎ笠粝渥龅帽M可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
關(guān)鍵字：制作音箱監(jiān)聽(tīng) A4 High-end

一、設(shè)計(jì)及制作由于普通家庭室.內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
關(guān)鍵字：制作方法音箱監(jiān)聽(tīng) A4 High-end

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：安森美 ADS High-QIPD 高電阻率硅銅

很多的100KW以上級(jí)別的大功率廣播電臺(tái)都是搞根高的直立天線，而在其附近建一個(gè)天調(diào)室,專(zhuān)門(mén)負(fù)責(zé)將天線調(diào)到與發(fā)射機(jī)匹配,無(wú)線電發(fā)射的電效率對(duì)他們來(lái)說(shuō)遠(yuǎn)比我們要求高! 為此,借鑒他們的思路,用一個(gè)全自動(dòng)室外天調(diào)+軍用
關(guān)鍵字：天線制作方法直立波段 HF 簡(jiǎn)單

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝knmiddot;f33middot;VB
上式中，k
關(guān)鍵字：監(jiān)聽(tīng) 音箱 A4 High-end 制作如何