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SiC國際會(huì)議：從功率元件到傳感器和集成電路
- 作為新一代功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注的SiC國際會(huì)議“ICSCRM2011”于2011年9月11～16日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)在美國俄亥俄州克利夫蘭舉行。會(huì)上圍繞著SiC基板(晶圓)、元件工藝、各種元件以及相關(guān)電路應(yīng)用等題目進(jìn)行了成果發(fā)表。雖然以SiC制功率元件相關(guān)成果為中心，但發(fā)表的內(nèi)容其實(shí)涉及多個(gè)方面。比如，還有采用SiC制成的傳感器及可支持高溫工作的集成電路，以及SiC材料金剛石和在SiC基板上形成石墨烯等成果發(fā)表。
- 關(guān)鍵字： 功率元件 傳感器
GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)
- 摘要：為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 探測(cè)器 紅外 量子 GaN
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)，被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn)，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負(fù)載／源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí)，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
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