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TI發(fā)布業(yè)內(nèi)首款80V半橋GaN FET模塊

　　近日，德州儀器推出了業(yè)內(nèi)首款80V、10A集成氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 功率級原型機(jī)。此次原型機(jī)由位于四方扁平無引線 (QFN) 封裝內(nèi)的一個(gè)高頻驅(qū)動器和兩個(gè)采用半橋配置的GaN FET組成，使之非常易于設(shè)計(jì)。如需了解更多信息，敬請?jiān)L問www.ti.com.cn/lmg5200-pr-cn。　　全新的LMG5200 GaN FET功率級原型機(jī)將有助于加快下一代GaN電源轉(zhuǎn)換解決方案的市場化，此方案為空間有限且高頻的工業(yè)應(yīng)用和電信應(yīng)用提供更高的功率密度和效率。　　TI高壓電源
關(guān)鍵字：德州儀器 GaN

　　英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。在此背景下，松下電器向英飛凌授予了使用其常閉型GaN晶體管結(jié)構(gòu)的許可。按照這份協(xié)議的規(guī)定，兩家公司均可生產(chǎn)高性能GaN器件。由此帶來的益處是客戶可以從兩條渠道獲得采用可兼容封裝的GaN功率開關(guān)。迄今為止，沒有任何其他硅基板GaN器件提供了這樣的供貨組合。雙方商定不披露任何其他合同細(xì)節(jié)。　　作為新一代化合物半導(dǎo)體技術(shù)，硅基板Ga
關(guān)鍵字：英飛凌 GaN

　　氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會這樣認(rèn)為，畢竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作電壓(減少了阻抗變換損耗)，更高的效率并且能夠在高頻高帶寬下大功率射頻輸出，這就是GaN，無論是在硅基、碳化硅襯底甚至是金剛石襯底的每個(gè)應(yīng)用都表現(xiàn)出色!帥呆了! 　　至少現(xiàn)在看是這樣，讓我們回顧下不同襯底風(fēng)格的GaN：硅基、碳化硅(S
關(guān)鍵字： GaN 射頻

　　摘要：現(xiàn)在，高性能電源系統(tǒng)已經(jīng)有了長足進(jìn)展，設(shè)計(jì)人員正在使用多個(gè)輸入電壓，驅(qū)動種類繁多應(yīng)用的多路電壓軌。為了確保PoL穩(wěn)壓器盡可能靠近負(fù)載的需求，設(shè)計(jì)人員需要在一個(gè)非常小的范圍實(shí)現(xiàn)大量功率轉(zhuǎn)換功能。與此同時(shí)，企業(yè)資源正趨于擴(kuò)展到工程師，常常是由多面手，而不是電源專家來負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)。因此，當(dāng)今復(fù)雜的電源要求可能令設(shè)計(jì)人員非常頭痛：如何利用不同資源為多樣化的負(fù)載提供高性能電源，從而保證架構(gòu)的所有部分都在其功率和散熱范圍內(nèi)運(yùn)行，同時(shí)還可優(yōu)化效率和成本目標(biāo)。　　工程師如何充分利用現(xiàn)在可用的高性能構(gòu)建模
關(guān)鍵字： Vicor 電源系統(tǒng) 功率元件 SELV 穩(wěn)壓器 201412

　　微控制器(MCU)廠商正積極補(bǔ)強(qiáng)功率半導(dǎo)體元件戰(zhàn)力，強(qiáng)攻直流變頻馬達(dá)市場。無論是直流無刷馬達(dá)(BLDC)或永磁同步馬達(dá)(PMSM)，其與交流感應(yīng)馬達(dá)最大的不同之處，就在于變頻電路的設(shè)計(jì)，因此MCU廠為了直攻變頻馬達(dá)市場，除了提升MCU的控制性能之外，亦戮力強(qiáng)化與MCU搭配的功率元件戰(zhàn)力。　　德州儀器(TI)馬達(dá)事業(yè)部現(xiàn)場應(yīng)用工程師劉俊男表示，歐盟在2015年時(shí)預(yù)計(jì)將7.5千瓦(kW)以上之馬達(dá)最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)提升至IE3，到2017年時(shí)，才將IE3管制范圍向下探至0.75kW以上，從這
關(guān)鍵字：功率元件 MCU

為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導(dǎo)體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟(jì)型高性能功率場效應(yīng)電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
關(guān)鍵字： Cascode GaN 場效應(yīng)管

GaN被認(rèn)為是下一代的功率元件，被賦予了代替SiC的神圣使命。但是近日，來自英飛凌的MarkMuenzer表示，其前景雖好，但是還沒到廣泛使用的時(shí)候，因它還有很多未被探索出來的部分。
關(guān)鍵字： GaN.功率元件

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiC MOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也
關(guān)鍵字： SiC GaN

　　與現(xiàn)在的Si功率半導(dǎo)體相比，SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐漸增加，同時(shí)各企業(yè)也圍繞這些元件展開了激烈的開發(fā)競爭。　　SiC功率半導(dǎo)體方面，在柵極設(shè)有溝道的溝道型MOSFET的開發(fā)在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出溝道型。溝道型MOSFET的導(dǎo)通電阻只有平面型的幾分之一，因此可以進(jìn)一步降低損耗。導(dǎo)通電阻降低后，采用比平面型更小的芯片面積即可獲得相同載流量。也就
關(guān)鍵字： GaN 功率半導(dǎo)體