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是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案
- 與硅技術相比，SiC MOSFET在光伏和儲能應用中具有明顯的優(yōu)勢，它解決了能效與成本的迫切需求，特別是在需要雙向功率轉換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng)，將會非常利于運維。因此，尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導體使電力轉換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源，而且使設備更小、更輕，相關的資本、安裝和維護成本更低。關鍵的應用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中，1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低，同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
- 關鍵字： 英飛凌 SiC 逆變器
高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望
- 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢，在高壓應用領域需求廣泛，具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術進展，總結了進一步提高器件品質因數(shù)的元胞優(yōu)化結構，介紹了針對高壓器件的幾種終端結構及其發(fā)展現(xiàn)狀，對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
- 關鍵字： SiC MOSFET
特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導體迎來爆發(fā)
- 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產(chǎn)品設計和功能變化都引起了外界關注。在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產(chǎn)應用，這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車，可提高續(xù)航里程，對突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸，乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內(nèi)普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導體將成為下一代半導體主要材料，那么寬禁帶半導體當前發(fā)展狀況如何？國內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導體有哪些區(qū)別？未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)？01、特斯拉 Model 3 首批
- 關鍵字： 特斯拉 Model 3 SiC
瑞薩電子推出新型柵極驅動IC 用于驅動EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅動IC作為電動汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們在低壓域接收來自MCU的控制信號，并將這些信號傳遞至高壓域，快速開啟和關閉功率器件。為適應電動車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
- 關鍵字： 瑞薩 柵極驅動IC EV逆變器 IGBT SiC MOSFET
安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術達成戰(zhàn)略協(xié)議，進一步鞏固戰(zhàn)略合作關系
- 2023 年 1 月 30 日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
- 關鍵字： 安森美 大眾汽車集團 電動汽車 碳化硅 SiC
基于安森美半導體高頻率準諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?產(chǎn)品實體圖?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
- 關鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
基于安森美半導體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡、機器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術，功率將是關鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質，在電子遷移率遠遠高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術優(yōu)
- 關鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應用中的重要作用
- 電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領域的進步。電力電子轉換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關重要的作用。它們的應用正在增加，并且在眾多新技術中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領域的進步。電力電子電路不斷發(fā)展以實現(xiàn)更高的效率，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物場效應晶體管（MOSFET）等電力電子設備為令人興奮
- 關鍵字： 國晶微半導體 SIC
羅姆的第 4 代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱“日立安斯泰莫”）用于其純電動汽車（以下簡稱“EV”）的逆變器。在全球實現(xiàn)無碳社會的努力中，汽車的電動化進程加速，在這種背景下，開發(fā)更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統(tǒng)已經(jīng)成為必經(jīng)之路。尤其是在EV領域，為了延長續(xù)航里程并減小車載電池的尺寸，提高發(fā)揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題，業(yè)內(nèi)對碳化硅功率元器件寄予厚望。 羅姆自2010年
- 關鍵字： 羅姆 SiC MOSFET 日立安斯泰莫 純電動汽車逆變器
意法半導體第3代SiC碳化硅功率模塊，這品牌用上了？
- 現(xiàn)代-起亞集團的 E-GMP 純電平臺以 800V 高電壓架構、高功率充電備受肯定，原先 E-GMP 平臺在后馬達 Inverter 逆變器的功率模塊(Power Module)就有采用 SiC 碳化硅半導體，成本與轉換效率比傳統(tǒng)的硅半導體更高，更能提升續(xù)航。如今瑞士半導體供應商意法半導體 (STMicroelectronics) 日前推出第 3 代的 SiC 碳化硅功率模塊，并確認 E-GMP 平臺的起亞 EV6 等車款將采用，預計在動力、續(xù)航都能再升級。E-GMP 平臺，原先已在后馬達逆變器采用 Si
- 關鍵字： SiC 碳化硅功率模塊 起亞 EV6 意法半導體 ACEPACK DRIVE
世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業(yè)電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
宇宙輻射對OBC/DCDC中高壓SiC/Si器件的影響及評估
- 汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發(fā)展，同應對大多數(shù)工程挑戰(zhàn)一樣，設計人員把目光投向先進技術，以期利用現(xiàn)代超結硅（Super Junction Si）技術以及碳化硅（SiC）技術來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產(chǎn)品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
- 關鍵字： Infineon OBC SiC
英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設備供電的主流標準。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標準中，擴展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
- 關鍵字： 英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題
- 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求?；诠璧慕鉀Q方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產(chǎn)品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
- 關鍵字： SiC MOSFET 功率轉換
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