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日本新技術將GaN材料成本降90%
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn)，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率
- 關鍵字： 日本 GaN 材料 成本
自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試
- _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
- 關鍵字： 寬禁帶 SiC GaN 雙脈沖測試
碳化硅芯片是否即將主宰市場？阿斯麥臉色不再重要！
- 在科技領域中，碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星，逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領域的迅速發(fā)展，芯片技術也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術浪潮中，碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資，人們開始紛紛關注，碳化硅芯片是否即將主宰市場？更高的溫度耐受性碳化硅芯片，作為一種新興的半導體材料，因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關注。其中，其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體，
- 關鍵字： 碳化硅芯片 SiC 阿斯麥
東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅（SiC）MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏極電流（DC）額定值為250A，適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率，其功率器件多為1200V或1700V產(chǎn)品。然而，預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用，因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
- 關鍵字： 東芝 2200V 雙碳化硅 SiC MOSFET模塊
GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設計中實現(xiàn)高效率
- 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉化為調節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)
- 關鍵字： ti GaN 圖騰柱 PFC 電源
大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設計
- TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設計，該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術（包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器）如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
- 關鍵字： SiC 牽引逆變器
適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
- 隨著設備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當今的設計人員有一個優(yōu)先目標：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現(xiàn)這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動器可以減少 30% 的能量損耗，同時限度地延長系統(tǒng)正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
- 關鍵字： SiC
全球SiC爭霸賽，誰在豪擲千金？
- “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領先技術的國家，將能夠改變游戲規(guī)則，擁有SiC將對美國具有深遠的影響。” Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月，由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金（NSF）獲得了1787萬美元的資助，用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育，以達到鼓勵美國新一代在該領域發(fā)展的目的，此外其部署的SiC晶圓生產(chǎn)線，能夠讓美國大學，企業(yè)以及政府研究人員進行長期
- 關鍵字： SiC MOSFET 功率損耗 碳中和
GaN Systems 與上海安世博能源科技結盟 推進氮化鎵進入中國電動車應用市場
- 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產(chǎn)品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設計及批量生產(chǎn)的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現(xiàn)下世代電動車對尺寸微縮、輕
- 關鍵字： GaN Systems 安世博 氮化鎵 電動車
意法半導體量產(chǎn)PowerGaN器件，讓電源產(chǎn)品更小巧、更清涼、更節(jié)能
- 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產(chǎn)品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
- 關鍵字： 意法半導體 PowerGaN 氮化鎵 GaN
GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現(xiàn)高效率
- 幾乎所有現(xiàn)代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網(wǎng)中獲取電能，并將其轉化為調節(jié)良好的直流電壓傳輸?shù)诫姎庠O備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數(shù)據(jù)
- 關鍵字： TI GaN PFC
意法半導體是怎樣煉成巨頭的？擅長聯(lián)合，布局多重應用，投資未來
- 歐洲是世界半導體的重要一極，ST（意法半導體）、英飛凌、恩智浦（NXP）被稱為歐洲半導體的三駕馬車，也是全球知名的半導體巨頭。ST的特點是不像歐洲其他兩家巨頭——英飛凌和恩智浦出身名門1、自帶一定的應用市場，ST要靠自己找市場、摸爬滾打，以解決生存和發(fā)展問題。據(jù)市場研究機構Garnter數(shù)據(jù)，ST 2022年營收158.4億美元，年增長率為25.6%，是歐洲最大、世界第11大半導體公司。大浪淘沙、洗牌無數(shù)的半導體行業(yè)，ST是如何顯露出真金本色，成為歐洲乃至世界半導體巨頭的？又是如何布局未來的？表1 202
- 關鍵字： 意法半導體 MCU SiC
ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數(shù)據(jù)服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現(xiàn)器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
- 關鍵字： ROHM AC適配器 GaN HEMT Si MOSFET
實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試
- 氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
- 關鍵字： GaN HEMT 功率器件 動態(tài)特性測試
汽車芯片，有兩大好賽道
- 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導體，車規(guī)功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
- 關鍵字： 功率半導體 SiC GaN 模擬芯片
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